The invention provides an image sensor, a pixel structure and a control method thereof. The pixel structure comprises an active layer, a photocell, the photocell in the active layer, a suspension point in the active layer, the photocell and the suspension point in different layers, and the photocell and the suspension point in the active layer. The projection on the active layer does not overlap; and the gate of the transfer transistor is located above the active layer. The projection of the gate of the transfer transistor on the active layer overlaps the projection on the phototube and the suspension point respectively on the active layer. The gate of the transfer transistor comprises a plurality of sub-gates. The electrodes are arranged in the first direction, which is the charge transfer direction of the phototube and the suspension point. The image sensor, the pixel structure and the control method provided by the invention enhance the performance of the image sensor.
【技术实现步骤摘要】
图像传感器、像素结构及其控制方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种图像传感器、像素结构及其控制方法。
技术介绍
图像传感器正在被广泛用于消费类移动设备,安防监控,工业视觉,科学应用等领域。同时,这些领域对图像传感器的性能要求也在越来越高。高帧率的读取速度,低照度下的高感光,低暗电流,低噪声,以及高动态范围输出,这些多被作为各类场景应用的图像传感器性能指标。为了达到这些设计要求,图像传感器读取电路需要被优化为低噪声,高峰峰值输出,快速建立稳定系统。同时,更多的图像传感器性能提升来自于像素结构的合理优化和创新设计,因此本专利技术旨在提出一种新型的像素结构来提升图像传感器整体的性能。
技术实现思路
本专利技术为了克服上述现有技术存在的缺陷,提供一种图像传感器、像素结构及其控制方法,以提升图像传感器整体的性能。根据本专利技术的一个方面,提供一种像素结构,包括:有源层;光电管,所述光电管置于所述有源层内;悬浮点,置于所述有源层内,所述光电管与所述悬浮点位于不同的层,且所述光电管与所述悬浮点在所述有源层上的投影不重叠;以及传输晶体管的栅极,位于所述有源层之上,所述传输晶体管的栅极在所述有源层上的投影分别与所述光电管及所述悬浮点在所述有源层上的投影部分重叠,所述传输晶体管的栅极包括多个子栅极,各子栅极沿第一方向排列,所述第一方向为所述光电管与所述悬浮点的电荷传输方向。可选地,所述传输晶体管的各子栅极沿垂直所述第一方向的第二方向延伸。可选地,所述传输晶体管的各子栅极在所述第一方向上的间距为100nm至500nm。可选地,所述传输晶体管的栅极采用分块沉淀多晶硅的方式制 ...
【技术保护点】
1.一种像素结构,其特征在于,包括:有源层;光电管,所述光电管置于所述有源层内;悬浮点,置于所述有源层内,所述光电管与所述悬浮点位于不同的层,且所述光电管与所述悬浮点在所述有源层上的投影不重叠;以及传输晶体管的栅极,位于所述有源层之上,所述传输晶体管的栅极在所述有源层上的投影分别与所述光电管及所述悬浮点在所述有源层上的投影部分重叠,所述传输晶体管的栅极包括多个子栅极,各子栅极沿第一方向排列,所述第一方向为所述光电管与所述悬浮点的电荷传输方向。
【技术特征摘要】
1.一种像素结构,其特征在于,包括:有源层;光电管,所述光电管置于所述有源层内;悬浮点,置于所述有源层内,所述光电管与所述悬浮点位于不同的层,且所述光电管与所述悬浮点在所述有源层上的投影不重叠;以及传输晶体管的栅极,位于所述有源层之上,所述传输晶体管的栅极在所述有源层上的投影分别与所述光电管及所述悬浮点在所述有源层上的投影部分重叠,所述传输晶体管的栅极包括多个子栅极,各子栅极沿第一方向排列,所述第一方向为所述光电管与所述悬浮点的电荷传输方向。2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述传输晶体管的各子栅极沿垂直所述第一方向的第二方向延伸。3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述传输晶体管的各子栅极在所述第一方向上的间距为100nm至500nm。4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述传输晶体管的栅极采用分块沉淀多晶硅的方式制程。5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,还包括:复位晶体管,所述复位晶体管的栅极位于所述有源层之上,所述复位晶体管的栅极在所述有源层上的投影与所述悬浮点在所述有源层上的投影部分重叠;源跟随晶体管,所述源跟随晶体管的栅极位于所述有源层...
【专利技术属性】
技术研发人员:段杰斌,严慧婕,温建新,李琛,董林妹,
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司,成都微光集电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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