一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，属于电容领域，其技术方案要点是，包括电容主体、正极通电杆和负极通电杆，正极通电杆和负极通电杆固定安装在电容主体的下端。采用边缘加厚锌铝金属化聚丙烯薄膜制成的安规电容在直接跨接在电力线两线之间两端线路中工作，基于双面双层金属化聚丙烯薄膜叠层卷绕构成的结构为内部串联结构，从而彻底解决了国内外研发机构至今都无法解决的金属化薄膜电容在长期工作条件易出现电容量超差或丢失以及自愈后均可导致容量减小所致的容量稳定性差和因金属化膜层较薄而承载大电流能力较弱两大技术难题，有效的控制和消除金属化薄膜层间空气以及改善封装的关键工艺过程及技术。

A X2 safety capacitor based on the breakthrough performance of cross line suppression and its preparation process

The invention discloses an X2 ampere gauge capacitor based on cross-line suppression breakthrough performance, which belongs to the field of capacitance. The technical scheme of the X2 ampere gauge capacitor includes a capacitor body, a positive pole and a negative pole, and the positive pole and the negative pole are fixed at the lower end of the capacitor body. The safety gauge capacitor made of edge-thickened zinc-aluminum metallized polypropylene film works directly across the two ends of the power line. Based on the double-sided double-layer metallized polypropylene film laminated winding structure, the internal series structure is formed. Thus, the metal which can not be solved by domestic and foreign research and development institutions up to now is completely solved. Capacitance of metallized film is liable to exceed or lose its capacitance in long-term working conditions, and can lead to poor capacity stability due to capacity reduction and weak carrying capacity of large current due to thin metallized film. Effective control and elimination of air between metallized film layers and improvement of packaging process are two key technical problems. Process and technology.

【技术实现步骤摘要】
一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容及其制备工艺
本专利技术涉及电容制备领域，特别涉及一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容及其制备工艺。
技术介绍
金属化薄膜X2安规电容是直接跨接在电力线两线(L-N)之间两端，应用在电源滤波器里，其作用是过滤交流信号，抑制差模干扰，使直流信号传递到使用电路中，降低电器、电子设备或其它干扰源产生的电磁干扰，被广泛应用于家用电器、医疗设备、工业控制系统的电子线路中，但在大量选用X2安规电容过程中，常会出现电容量衰减和损耗角正切值tgδ增大而退化性失效的情况，使得电容性能不再可靠，造成电子产品不能达到抑制电源电磁干扰的效果或停止工作，产品功能完全失效，给终端用户带来较大困扰，并对电子产品品质产生怀疑。授权公告号为CN106531439A的中国专利公开了一种电容，本装置中的芯包被安装在固定套内，在原厂状态下，芯包设置在靠下位置，通过接线柱完成焊接固定，当接线柱的裸露部分发生折断时，可以通过旋转螺丝的方式将芯包向上顶，此时接线柱被延长，方便再次进行焊接操作，减少损坏率，特别对部分成本较高的电容，该种方式可以大大减少损坏率。授权公告号为CN102201408A的中国专利公开了一种电容，其包括形成于第一层上的相互间隔的第一导电部和第二导电部，形成于第二层上的相互间隔的第三导电部和第四导电部，形成于第三层上的相互间隔的第五导电部和第六导电部；其中位于中间层的第三导电部和第四导电部的厚度很厚可以形成很大的相对面积，在中间层上产生很大的电容，大大的增加了电容值，从而在单位晶圆面积上提高了电容密度。但现有的电容常会出现电容量衰减和损耗角正切值tgδ增大而退化性失效的情况，使得电容性能不再可靠，造成电子产品不能达到抑制电源电磁干扰的效果或停止工作，产品功能完全失效，给终端用户带来较大困扰，并对电子产品品质产生怀疑，且排热效果不佳，不能对该电容达到温度检测效果，并且封装效果差。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的是提供一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容及其制备工艺，采用边缘加厚锌铝金属化聚丙烯薄膜制成的安规电容在直接跨接在电力线两线之间两端线路中工作，容量和损耗几乎无变化，基于双面双层金属化聚丙烯薄膜叠层卷绕构成的结构为内部串联结构，从而彻底解决了国内外研发机构至今都无法解决的金属化薄膜电容在长期工作条件易出现电容量超差或丢失以及自愈后均可导致容量减小所致的容量稳定性差和因金属化膜层较薄而承载大电流能力较弱两大技术难题，有效的控制和消除金属化薄膜层间空气以及改善封装的关键工艺过程及技术。本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，包括电容主体、正极通电杆和负极通电杆，正极通电杆和负极通电杆固定安装在电容主体的下端，电容主体的正面紧密贴合有铭牌，电容主体的内部中心固定安装有电容芯子，电容芯子靠近正极通电杆的一端电性连接有引线，且电容芯子、正极通电杆、负极通电杆串联，电容主体内部的上端固定安装有测温系统，电容主体靠近正极通电杆的一端熔接有通电杆加固层，通电杆加固层突出电容主体的下表面，电容芯子靠近正极通电杆的内部插接有夹板，电容芯子的上端紧密贴合有薄金属正电极，电容芯子的下端紧密贴合有薄金属负电极，电容芯子的外壁卷绕有环形外芯，环形外芯的外壁紧密贴合有绝缘层，电容芯子的内部固定安装有双面金属化聚丙烯膜a和双面金属化聚丙烯膜b。通过上述技术方案，通过通电杆加固层有效的将正极通电杆和负极通电杆固定安装在电容主体的下端，从而增加电容工作的稳定性，避免了空间移动发生扭断现象。进一步的，双面金属化聚丙烯膜a(404)介质两面表层各蒸镀有薄金属层作为电极，使其形成双面金属化聚丙烯薄膜，且在聚丙薄膜两面分别依次蒸镀锌层与铝层，使薄金属层为锌铝复合层，，充分融汇了镀铝金属化薄膜附着力较好与镀锌金属化薄膜良好电特性参数的各自优点，且金属层相对应的两个边缘逐渐加厚。通过上述技术方案，通过双面金属化聚丙烯膜a介质上依次蒸镀铝、锌复合金属化全膜，有效的提高了改电容工作场强的10-20％，从而有效的增加了双面金属化聚丙烯膜a通电的稳定性，避免了电容量误差发生明显变化。进一步的，双面金属化聚丙烯膜a两面表层各蒸镀一层薄金属作为电极，增大喷金层与双面金属化聚丙烯膜a金属层的接触面积。通过上述技术方案，通过双面金属化聚丙烯膜a两面表层各蒸镀一层薄金属作为电极，有效的增强了喷金层与双面金属化聚丙烯膜a金属层之间的粘结强度和相互渗透力，增大了喷金层与金属化薄膜镀层接触面积，降低了接触电阻，大大提高了电容的通流及抗浪涌能力，不会造成电容开路或容量大幅度下降，从而增加该电容工作的稳定性。进一步的，双面金属化聚丙烯膜a和双面金属化聚丙烯膜b的中部固定安装有聚丙烯光膜a，使双面金属化聚丙烯膜a和双面金属化聚丙烯膜b进行分隔，双面金属化聚丙烯膜b的下端固定安装有聚丙烯光膜b。通过上述技术方案，通过双面金属化聚丙烯膜a和双面金属化聚丙烯膜b的有效的结合，有效的组成两组串联的电阻，从而使该电容自愈性能损耗低、温升低、局部放电性能优良。进一步的，常温环氧树脂密封外层的上端贯穿连接有通气孔，使电容主体的内部与外部相贯通，且通气孔从内到外开孔越来越小。通过上述技术方案，通过通气孔有效的将电容芯子工作使散热的热量进行排出，由于通气孔从内到外开孔越来越小，当电容进行通电时，此时，电容芯子外部的温度越来越高，使电容芯子外部进行膨胀，从而将内部的热量个和空气通过通气孔散发到外部。进一步的，薄电容芯子的下表面电镀有喷金层，且喷金层，且喷金材料熔点低。通过上述技术方案，通过喷金层有效的增加电容到点的稳定性，由于喷金材料熔点低，有效的保证喷金颗粒均匀良好的渗入极板，避免金属化薄膜的边缘因发热而收缩及喷金料在喷涂过程中氧化，获得较高的喷金质量。进一步的，电容芯子的两端和引线的外壁紧密贴合有锡锌焊料，且锡锌焊料均匀涂抹在电容芯子的两端。通过上述技术方案，通过锡锌焊料有效的减小喷金层与双面金属化聚丙烯膜b的接触电阻，提高了该电容的耐压性，在瞬间高电压大电流的冲击下不会造成短路，有效避免了飞弧击穿现象，提高了电容的可靠性和使用寿命。进一步的，电容主体的外壁熔接有常温环氧树脂密封外层，夹板靠近常温环氧树脂密封外层的一端填充有聚丙薄膜介质。通过上述技术方案，通过环氧树脂密封外层有效的改善封装，将膜层间的空气与外界环境较好地隔离，可以延长电容的使用寿命，当电容在高温高湿环境中工作时，电容衰减的速度远远小于改善前，有效阻止了外界环境水份侵入，减少空气电离，对抑制电容容量的衰减有较好的作用。进一步的，正极通电杆包括镀锡铜和钢线，镀锡铜卷绕在钢线的外壁，且镀锡铜呈“螺旋状”，镀锡铜远离钢线的一端固定安装有固定接头。通过上述技术方案，通过“螺旋状”镀锡铜卷绕在钢线的外壁，有效的提高该正极通电杆的自愈性，使正极通电杆品质损耗小，绝缘电阻高，安全性和抑制干扰特性强，能承载较大电流，明显提升了产品的抗电磁干扰性能，可以直接跨接在火地线中。进一步的，测温系统靠近电容芯子的一端固定安装有感温板，且感温板的下端呈“多弧面形状”。通过上述技术方案，通过感温板有效的将电容芯子外侧的温度进行测试，当感温板贴近电容芯子时，此时，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，包括电容主体(1)、正极通电杆(2)和负极通电杆(201)，正极通电杆(2)和负极通电杆(201)固定安装在电容主体(1)的下端，其特征是：电容主体(1)的正面紧密贴合有铭牌(101)，电容主体(1)的内部中心固定安装有电容芯子(4)，电容芯子(4)靠近正极通电杆(2)的一端电性连接有引线(103)，且电容芯子(4)、正极通电杆(2)、负极通电杆(201)串联，电容主体(1)靠近正极通电杆(2)的一端熔接有通电杆加固层(301)，通电杆加固层(301)突出电容主体(1)的下表面，电容芯子(4)靠近正极通电杆(2)的内部插接有夹板(5)，电容芯子(4)的上端紧密贴合有薄金属正电极(402)，电容芯子(4)的下端紧密贴合有薄金属负电极(4021)，电容芯子(4)的外壁卷绕有环形外芯(401)，环形外芯(401)的外壁紧密贴合有绝缘层(4011)，电容芯子(4)的内部固定安装有双面锌铝复合金属化聚丙烯膜a(404)和双面金属化聚丙烯膜b(406)。

【技术特征摘要】
1.一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，包括电容主体(1)、正极通电杆(2)和负极通电杆(201)，正极通电杆(2)和负极通电杆(201)固定安装在电容主体(1)的下端，其特征是：电容主体(1)的正面紧密贴合有铭牌(101)，电容主体(1)的内部中心固定安装有电容芯子(4)，电容芯子(4)靠近正极通电杆(2)的一端电性连接有引线(103)，且电容芯子(4)、正极通电杆(2)、负极通电杆(201)串联，电容主体(1)靠近正极通电杆(2)的一端熔接有通电杆加固层(301)，通电杆加固层(301)突出电容主体(1)的下表面，电容芯子(4)靠近正极通电杆(2)的内部插接有夹板(5)，电容芯子(4)的上端紧密贴合有薄金属正电极(402)，电容芯子(4)的下端紧密贴合有薄金属负电极(4021)，电容芯子(4)的外壁卷绕有环形外芯(401)，环形外芯(401)的外壁紧密贴合有绝缘层(4011)，电容芯子(4)的内部固定安装有双面锌铝复合金属化聚丙烯膜a(404)和双面金属化聚丙烯膜b(406)。2.根据权利要求1所述的一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，其特征是：双面金属化聚丙烯膜a(404)介质两面表层各蒸镀有薄金属层作为电极，使其形成双面金属化聚丙烯薄膜，且在聚丙薄膜两面分别依次蒸镀锌层与铝层，使薄金属层为锌铝复合层，且金属层相对应的两个边缘逐渐加厚。3.根据权利要求1所述的一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，其特征是：双面金属化聚丙烯膜a(404)和双面金属化聚丙烯膜b(406)的中部固定安装有聚丙烯光膜a(405)，使双面金属化聚丙烯膜a(404)和双面金属化聚丙烯膜b(406)进行分隔，双面金属化聚丙烯膜b(406)的下端固定安装有聚丙烯光膜b(407)。4.根据权利要求1所述的一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，其特征是：常温环氧树脂密封外层(3)的上端贯穿连接有通气孔(102)，且使电容主体(1)的内部与外部相贯通，且通气孔(102)从内到外开孔越来越小。5.根据权利要求1所述的一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，其特征是：电容芯子(4)的下表面电镀有喷金层(403)，且喷金层(403)熔点低。6.根据权利要求1所述的一种基于跨线抑制突破性能的X2安规电容，其特征是：电容芯子(4)的两端和引线(103)的外壁紧密贴合有锡锌焊料(40...

【专利技术属性】
技术研发人员：程金科，罗学民，
申请(专利权)人：长兴友畅电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33