一种加快相变存储器写操作速度的方法技术

本发明专利技术提供了一种加快相变存储器写操作的方法，其中，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，进行写操作，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止；有益效果：采用预加热技术对第一个地址之后的后续地址依次进行预先加热，使这些后续的地址在准备开始写入时就已经达到了所需的温度并可直接进行相关操作，从而大大节省了写入时间，加快了写入速度。

A method to accelerate the writing speed of phase change memory

The present invention provides a method for speeding up the write operation of phase change memory, in which a phase change memory is provided to perform the following steps when writing to a succession of write operation addresses in the phase change memory: taking the current write operation address as the current address and performing the write operation; and after the current address The writing operation addresses are successively pre-heated; when the writing operation for the current address is completed, the writing operation is turned to the next one until all the writing operations for the writing operation addresses are completed; the beneficial effect is that the pre-heating technique is used after the first address. The subsequent addresses are pre-heated in turn, so that the subsequent addresses have reached the required temperature when they are ready to start writing and can be directly operated, thus greatly saving writing time and speeding up the writing speed.

【技术实现步骤摘要】
一种加快相变存储器写操作速度的方法
本专利技术涉及存储器读写领域，尤其涉及一种加快相变存储器写操作速度的方法。
技术介绍
相变存储器(PhaseChangeMemory,PCM)是利用特殊的可相变材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。根据相变存储器的工作原理，在对它进行写入数据时，无论是SET操作还是RESET操作(特别是SET操作，因为SET操作需要持续的时间比较长)，都必须先让待写入的单元中的相变材料升温，之后才能使用适当的方法使其变成晶态或者非晶态。而温度的上升过程需要耗费一定的时间，从而制约了相变存储器的写入速度。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了一种加快相变存储器写操作的方法，其中，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：步骤S1，将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；步骤S2，对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；步骤S3，当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，并返回所述步骤S1，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止。其中，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的一个所述写操作地址进行预加热处理。其中，所述步骤S2中，所述当前地址后续的所述写操作地址为所述相变存储器中的存储单元的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储页的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储块的存储地址。其中，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的所述写操作地址进行预加热处理，以使后续的所述写操作地址所对应的所述相变存储器中的存储单元的温度达到一适于进行所述写操作的预设温度。其中，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的多个所述写操作地址进行预加热处理；则所述步骤S2中，在对所述当前地址后续的所述写操作地址进行预加热处理之前，首先执行下述判断：判断后续的所述写操作地址所对应的所述存储单元的温度是否已经达到所述预设温度：若是，则不对对应的所述写操作地址进行所述预加热处理；若否，则对对应的所述写操作地址进行所述预加热处理。其中，所述相变存储器包括平面型相变存储器和立体型相变存储器。其中，当所述相变存储器为所述立体型相变存储器时，所述相变存储器中包括上下堆叠的多层存储器层；则所述步骤S2中，只对所述相变存储器中的最顶层的所述存储器层执行所述预加热处理。有益效果：在对相变存储器进行写操作时，对第一个地址之后的后续地址单元依次进行预先加热，使这些后续的地址单元在准备开始写入时就已经达到了所需的温度并可直接进行相关操作，从而大大节省了写入时间，加快了写入速度。附图说明图1为本专利技术的工作原理示意图；图2为本专利技术针对立体型相变存储器时的示意图；图3为本专利技术流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。在一个较佳的实施例中，如图3所示，提出了一种加快相变存储器写操作的方法，其中，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：步骤S1，将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；步骤S2，对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；步骤S3，当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，并返回所述步骤S1，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止。上述技术方案中所谓的预加热技术即是指对后续需要进行写操作的地址进行预先加热，使后续需要进行写操作的地址达到可以直接进行写操作的预设温度。进一步地，上述预设温度可以在100℃至300℃之间，更为优选的为200℃。上述技术方案中，针对相变存储器的连续写入过程，采用预加热技术对第1个地址之后的后续地址依次进行预先加热，使这些后续的地址在准备开始写入时就已经达到了所需的温度并可直接进行相关操作，可以大大节省了写入时间，加快了写入速度。在一个较佳的实施例中，所述步骤S2中，所述当前地址后续的所述写操作地址为所述相变存储器中的存储单元的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储页的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储块的存储地址。在一个较佳的实施例中，在步骤S2中可以对当前地址后续的一个写操作地址进行预加热处理。具体的，若一次需要对n个连续的单元进行写入操作，如图1所示，在t0时刻开始对第1个地址1对应的单元做写入操作，期间，也开始对第2个地址2对应的单元进行预加热。当t1时刻完成对第1个地址1的写入操作的同时也使得第2个地址2所对应的单元达到了所需的温度，那么接下来就可以直接对它进行SET或RESET的相关操作了。同样的，在对第2个地址2做写操作期间也开始对第3个地址3所对应的单元进行预加热，当t2时刻完成了对第2个地址2的写入操作的同时也使得第3个地址3所对应的单元达到了所需的温度，那么同样也可以直接进行相关操作了。同理，后续地址的单元也像这样依次进行下去，直至完成所有写操作。在一个较佳的实施例中，可以对当前写操作地址的后续多个写操作地址进行预加热操作。但采用这种做法时，需要在步骤S2之前加一个条件判断：判断后续的写操作地址所对应的存储单元的温度是否已经达到预设温度：若是，则不对对应的写操作地址进行预加热处理；若不是，则对对应的写操作地址进行预加热处理。具体的，在对第1个地址进行写操作时，对第2个地址所对应的存储单元的温度进行判断；若对应的存储单元的温度达不到进行写操作时需要的温度，则对第2个地址对应的存储单元和第3个地址对应的存储单元同时进行预加热处理。当第1个地址的写操作完成后，进行第2个地址的写操作处理。此时，对第3个地址所对应的存储单元的温度进行判断；若对应的存储单元的温度达不到进行写操作时需要的温度，则对第3个地址对应的存储单元和第4个地址对应的存储单元同时进行预加热处理。但一般情况下，第3个地址对应的存储单元的温度是符合写操作步骤温度要求的。此时，直接进行第3个地址的写操作处理。接下来。对后续的多个写操作地址重复上述的操作，直至对所有写操作地址的写操作均执行完毕为止。同样的，若想对后续的3个、4个、n个地址进行预加热处理也可使用上述步骤。在一个较佳的实施例中，相变存储器除了平面型相变存储器外，还包括多片堆叠的立体型相变存储器。上述技术方案中，针对立体型相变存储器时，如图2所示，该立体型相变存储器由n片存储器层堆叠而成，考虑到其内部的散热问题，且存储器本身工作时就会产生热量，如果继续对第1层到第n-1层进行加热的话可能会使其温度过高而影响其性能，所以，我们只针对第n层，即与空气接触的面积大，散热比较好的最顶层的存储器层采用预加热技术。以上所述仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本专利技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加快相变存储器写操作的方法，其特征在于，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：步骤S1，将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；步骤S2，对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；步骤S3，当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，并返回所述步骤S1，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止。

【技术特征摘要】
1.一种加快相变存储器写操作的方法，其特征在于，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：步骤S1，将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；步骤S2，对所述当前地址后续的所述写操作地址依次进行预加热处理；步骤S3，当完成对所述当前地址的写操作后，转向下一个所述写操作地址，并返回所述步骤S1，直至对所有所述写操作地址的写操作均执行完毕为止。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的一个所述写操作地址进行预加热处理。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述当前地址后续的所述写操作地址为所述相变存储器中的存储单元的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储页的存储地址，和/或所述相变存储器中的存储块的存储地址。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，对所述当前地址后续的所述写操作...

【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚亮，陈邦明，
申请(专利权)人：上海新储集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31