防止电流倒灌驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及了一种防止电流倒灌驱动电路，包括外部设备的主控电路以及与所述主控电路电连接的控制电路；所述控制电路包括第三电阻、第四电阻、三极管、第二电阻、第一电阻、第一MOS管和第二MOS管；所述控制电路上设置有输入端IN和输出端OUT。该防止电流倒灌驱动电路通过控制电路采用第一MOS管和第二MOS管一正一反反向连接形成的开关达到预防电流倒灌的目的，有效解决了低电压充电的终端设备遇到一个输出高电压的充电器充电时出现倒灌异常现象，避免了损坏充电器或移动终端设备，甚至起火、爆炸；该电路设计简单，制造成本低，实用性强。

Driving circuit for preventing current from flowing backward

The utility model relates to a driving circuit for preventing current backfilling, which comprises a main control circuit of an external device and a control circuit electrically connected with the main control circuit; the control circuit comprises a third resistance, a fourth resistance, a triode, a second resistance, a first resistance, a first MOS tube and a second MOS tube; and the control circuit comprises a third resistance, a fourth resistance, a triode, a second resistance, a first MOS tube and a second MOS The input IN and output OUT are set. This circuit can prevent current back-filling by using the switch formed by the first MOS transistor and the second MOS transistor connected one positive and one reverse to prevent the current back-filling. It effectively solves the abnormal phenomenon of current back-filling when the terminal equipment with low voltage charging encounters a charger with high output voltage charging and avoids damaging charging. Electrical appliances or mobile terminal equipment, or even fire, explosion; the circuit design is simple, low manufacturing cost, strong practicability.

【技术实现步骤摘要】
防止电流倒灌驱动电路
本技术涉及充电设备电路
，具体地，涉及防止电流倒灌驱动电路。
技术介绍
随着目前手机等终端智能设备市场发展，这些设备的换代更新周期越来越短，竞争也日趋激烈，但由于目前这些设备的充电没有一个统一的标准，各家都有各家的充电标准和协议，有5V充电的，有5-9V充电，有5-12V充电的，最新的充电已有5-20V充电。那么问题来了，用户就有可能有各种不同的终端智能设备和不同标准的充电器，当一个只支持低电压充电的终端设备遇到一个输出高电压的充电器充电时就会有可能出现倒灌异常现象，就有可能损坏设备，甚至出现起火、爆炸的危险。中国专利的专利号为ZL201420258559.X的技术专利公开了防电流倒灌电路，该电路采用一个MOS管进行开关控制防止电流倒灌回流。虽然此电路有加入单个MOS管进行开关控制电流倒灌，但由于MOS中体二极管的存在还是会出现上述现象。因此，需提供一种防止电流倒灌驱动电路，以解决现有技术的不足。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术提供了一种防止电流倒灌驱动电路，该电路通过两个MOS管一正一反的连接，而MOS管的管体二极管在线路中是一正一反连接，从而达到防止电流倒罐的目的。本技术的技术方案如下：一种防止电流倒灌驱动电路，包括外部设备的主控电路以及与所述主控电路电连接的控制电路；所述控制电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管Q3、第一MOS管Q1和第二MOS管Q2；所述控制电路上设置有输入端IN和输出端OUT。较优选地，所述外部设备的主控电路为充电器或移动终端设备的主控电路。较优选地，所述主控电路上设有第二输入端CGATE，所述第二输入端CGATE电连接第三电阻R3的一端接口，第三电阻R3的另一端接口与所述三极管Q3的基极电连接，第四电阻R4的一端接口与所述三极管Q3的基极电连接，第四电阻R4另一端接口与所述三极管Q3的发射极电连接后再接地，所述三极管Q3的集电极与第二电阻R2电连接。较优选地，所述三极管Q3为NPN型三极管。较优选地，所述第一MOS管Q1包括第一控制端G、第一导通端D及次级第一导通端S；所述第二MOS管Q2包括第二控制端G、第二导通端D及次级第二导通端S。较优选地，所述第一控制端G和所述第二控制端G为栅极，所述第一导通端D和所述第二导通端D为漏极，所述次级第一导通端S和次级第二导通端S为源极。较优选地，所述第一控制端G和所述第二控制端G电连接，所述第一导通端D与所述输入端IN电连接；所述次级第一导通端S与所述次级第二导通端S电连接并记为B点，所述第二导通端D与所述输出端OUT电连接。较优选地，所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2选用为P沟道MOSFET管。较优选地，第二电阻R2并联于所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2的控制端G的D点，第二电阻R2还与第一电阻R1串联连接于所述第一MOS管Q1的次级第一导通端S和所述第二MOS管Q2的次级第二导通端S的1引脚。本技术的有益效果为：与现有技术相比，该防止电流倒灌驱动电路通过由第三电阻R3、第四电阻R4、三极管Q3、第二电阻R2、第一电阻R1、第一MOS管Q1和第二MOS管Q2组成的控制电路；控制电路采用第一MOS管Q1和第二MOS管Q2一正一反反向连接形成的开关达到预防电流倒灌的目的，有效解决了低电压充电的终端设备遇到一个输出高电压的充电器充电时出现倒灌异常现象，避免了损坏充电器或移动终端设备，甚至起火、爆炸；该电路设计简单，制造成本低，实用性强。附图说明：图1为本技术所述防止电流倒灌驱动电路的框架图。图2为本技术所述防止电流倒灌驱动电路的电路原理图。具体实施方式为了使本技术的专利技术目的，技术方案及技术效果更加清楚明白，下面结合具体实施方式对本技术做进一步的说明。应理解，此处所描述的具体实施例，仅用于解释本技术，并不用于限定本技术。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。参照图1和图2，本技术的防止电流倒灌驱动电路，包括外部设备的主控电路100，以及与所述主控电路100电连接的控制电路200；所述控制电路200上设置有输入端IN和输出端OUT。在本技术实施例中，该外部设备的主控电路100为充电器或移动终端设备内部的主控电路。参照图2，所述控制电路200包括第三电阻R3、第四电阻R4、三极管Q3、第二电阻R2、第一电阻R1、第一MOS管Q1和第二MOS管Q2；所述主控电路100上设有第二输入端CGATE，所述第二输入端CGATE电连接第三电阻R3的一端接口，第三电阻R3的另一端接口与所述三极管Q3的基极电连接，第四电阻R4的一端接口与所述三极管Q3的基极电连接，第四电阻R4另一端接口与所述三极管Q3的发射极电连接后再接地，所述三极管Q3的集电极与第二电阻R2电连接。在本技术的实施例中，所述三极管Q3为NPN型三极管。参照图2，所述第一MOS管Q1包括第一控制端G、第一导通端D及次级第一导通端S；所述第二MOS管Q2包括第二控制端G、第二导通端D及次级第二导通端S；在本技术的实施例中，所述第一控制端G和所述第二控制端G为栅极，所述第一导通端D和所述第二导通端D为漏极，所述次级第一导通端S和次级第二导通端S为源极。所述第一控制端G和所述第二控制端G电连接，所述第一导通端D与所述输入端IN电连接；所述次级第一导通端S与所述次级第二导通端S电连接并记为B点，所述第二导通端D与所述输出端OUT电连接。其中，所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2选用为P沟道MOSFET管。第二电阻R2并联于所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2的控制端G的D点，第二电阻R2还与第一电阻R1串联连接于所述第一MOS管Q1的次级第一导通端S和所述第二MOS管Q2的次级第二导通端S的1引脚。该防止电流倒灌驱动电路的工作原理是：当充电器和智能终端设备的主控电路工作且两者之间充电协议达成一致时，充电器和移动终端设备的主控电路控制信号从E点CGATE输入端输入，所述主控电路100通过第二输入端CGATE输出的高电平信号到E点，所述三极管Q3导通下拉到地，此时所述第一控制端G与所述第二控制端G连接的节点D点为低电平，所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2导通，充电器和移动终端设备可以正常充电。当充电器和移动终端设备的主控电路没有工作的时候或两者之间充电协议不一致时，第二输入端CGATE的E点为低电平，所述三极管Q3是截止的，此时所述第一控制端G与所述第二控制端G连接的节点D点为高电平，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止电流倒灌驱动电路，包括外部设备的主控电路以及与所述主控电路电连接的控制电路，其特征在于：所述控制电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、三极管(Q3)、第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)；所述控制电路上设置有输入端(IN)和输出端(OUT)；所述主控电路上设有第二输入端(CGATE)，所述第二输入端(CGATE)电连接第三电阻(R3)的一端接口，第三电阻(R3)的另一端接口与所述三极管(Q3)的基极电连接，第四电阻(R4)的一端接口与所述三极管(Q3)的基极电连接，第四电阻(R4)另一端接口与所述三极管(Q3)的发射极电连接后再接地，所述三极管(Q3)的集电极与第二电阻(R2)电连接；第二电阻(R2)并联于所述第一MOS管(Q1)和所述第二MOS管(Q2)的控制端(G)的D点。

【技术特征摘要】
1.一种防止电流倒灌驱动电路，包括外部设备的主控电路以及与所述主控电路电连接的控制电路，其特征在于：所述控制电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、三极管(Q3)、第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)；所述控制电路上设置有输入端(IN)和输出端(OUT)；所述主控电路上设有第二输入端(CGATE)，所述第二输入端(CGATE)电连接第三电阻(R3)的一端接口，第三电阻(R3)的另一端接口与所述三极管(Q3)的基极电连接，第四电阻(R4)的一端接口与所述三极管(Q3)的基极电连接，第四电阻(R4)另一端接口与所述三极管(Q3)的发射极电连接后再接地，所述三极管(Q3)的集电极与第二电阻(R2)电连接；第二电阻(R2)并联于所述第一MOS管(Q1)和所述第二MOS管(Q2)的控制端(G)的D点。2.根据权利要求1所述的防止电流倒灌驱动电路，其特征在于，所述三极管(Q3)为NPN型三极管。3.根据权利要求1所述的防止电流倒灌驱动电路，其特征在于，所述第一MOS管(Q1)包括第一控制端(G)、第一导通端(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈顺鹏，
申请(专利权)人：惠州市嘉润茂科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44