The utility model relates to a SiC single crystal PVT growth device, which mainly comprises a crucible, a heat insulation layer, an induction coil and a heat conduction device, and is characterized in that the crucible is located in the heat insulation layer, and the heat conduction device is connected with the inner wall of the crucible and is arranged in the SiC powder inside the crucible for use in the crucible. The heat at the inner wall of the crucible is transmitted to the SiC powder so that the SiC powder is evenly heated, and the heat conducting device is provided with a plurality of air holes so that the SiC powder can be effectively transported and grown. The utility model uses the heat conduction device to transfer the heat of the crucible wall into the powder, and the powder is heated and carbonized seriously from the powder near the crucible wall to be heated evenly, thereby reducing the degree of carbonization of the powder, thereby reducing the inclusions in the crystal; at the same time, the effective utilization ratio of the powder is increased, and the crystal growth is not affected. Speed, crystals grow thicker and increase production.
【技术实现步骤摘要】
一种SiC单晶PVT生长装置
本技术涉及SiC单晶生长
,具体涉及一种SiC单晶PVT生长装置。
技术介绍
SiC作为宽带隙半导体材料以其高的禁带宽度为Si的3倍,高的击穿临界场强约为Si的9倍,高电子饱和漂移速度为Si的2倍和高热导率约为Si的3倍,小的介电常数,以及抗辐射能力强,结实耐磨损等特性而成为制作高频、大功率、耐高温和抗辐射器件的理想材料。因而成为当前广泛研究的材料之一。在SiC单晶生长技术方面,目前国际上主要采用物理气相输运(PVT)生长SiC单晶,在单晶生长过程中,籽晶表面所进行的晶体生长过程并不是一个简单的合成过程。多种气相在生长室内的分压不稳定,会造成SiC晶体生长前沿气相的Si/C比远远偏离SiC化学计量比,形成Si或者C包裹物。SiC晶体中的包裹物会诱导产生其它的晶体缺陷,比如说微管、螺位错、基面位错、平面六方空洞和晶向偏移区域等。这些包裹物和缺陷的存在严重的影响了SiC器件的特性。例如,C包裹物影响衬底电阻率的均匀性,可能造成漏电流增大和击穿电压降低;螺型位错(TSD)会引起p-n结和肖特基势垒二极管反向电压特性退化;基面位错(BPD)对双极型功率器件影响十分严重,能引起新的载流子的有效复合中心,显著增加器件电阻,从而导致正向电压降漂移。同时BPD对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅氧化层的可靠性有着严重地影响,可导致栅氧化层的绝缘性降低,严重削弱了SiCMOSFET的长期可靠性。所以非常有必要采取一定的措施来减少晶体中碳包裹物生成。现有技术中,大多数使用如钽等的碳吸收剂,吸收坩埚边缘等处的碳化粉料,降低粉料碳 ...
【技术保护点】
1.一种SiC单晶PVT生长装置,包括:坩埚、隔热层、感应线圈和导热装置,其特征在于,其中,所述坩埚位于所述隔热层内;所述导热装置与所述坩埚的内壁相连,且设置于所述坩埚内的SiC粉料内部,用于把所述坩埚内壁处的热量传导到SiC粉料内,使SiC粉料均匀受热;所述导热装置设有多个通气孔,使SiC粉料进行有效的输运和生长。
【技术特征摘要】
1.一种SiC单晶PVT生长装置,包括:坩埚、隔热层、感应线圈和导热装置,其特征在于,其中,所述坩埚位于所述隔热层内;所述导热装置与所述坩埚的内壁相连,且设置于所述坩埚内的SiC粉料内部,用于把所述坩埚内壁处的热量传导到SiC粉料内,使SiC粉料均匀受热;所述导热装置设有多个通气孔,使SiC粉料进行有效的输运和生长。2.根据权利要求1所述的SiC单晶PVT生长装置,其特征在于,所述坩埚的顶盖下表面固定设有籽晶。3.根据权利要求1所述的SiC单晶PVT生长装置,其特征在于,所述感应线圈设置于所述隔热层的外部,用于感应加热。4.根据权利要求1所述的SiC单晶PVT生长装置,其特征在于,所述导热...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘新辉,杨昆,牛晓龙,路亚娟,郑清超,
申请(专利权)人:河北同光晶体有限公司,
类型:新型
国别省市:河北,13
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