一种半导体金属DEP的异常处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体，所述处理装置主体上设有腔室，所述腔室的底部内壁上固定安装有反应池，所述腔室的顶部内壁上开设有嵌入槽，所述嵌入槽的顶部内壁上固定安装有步进电机，所述步进电机的输出轴上焊接有第一连接轴，所述第一连接轴的底端焊接有转盘，所述转盘的底部一侧开设有第一凹槽，所述第一凹槽的两侧内壁上均焊接有固定块，两个固定块相互靠近的一侧均开设有通槽。本实用新型专利技术使用方便，通过对CU析出晶片的退火，每年平均减少800片由于ALCU空闲的引起的WAT参数异常，且可以极大的减少金属DEP异常引起的报废，通过对金属DEP异常晶片的返工，每年平均减少大约70片的晶片报废，可节省20万元左右的成本。

An exception handling device for semiconductor metal DEP

The utility model discloses an abnormal processing device for semiconductor metal DEP, including a processing device main body, a chamber is arranged on the processing device main body, a reaction pool is fixed on the bottom inner wall of the chamber, an embedded groove is arranged on the top inner wall of the chamber, and an embedded groove is fixed on the top inner wall of the embedded groove. The output shaft of the stepping motor is welded with a first connecting shaft, and the bottom end of the first connecting shaft is welded with a turntable. A first groove is arranged on the bottom side of the turntable, and fixed blocks are welded on both sides of the inner wall of the first groove, and a through groove is arranged on the side of the two fixed blocks which are close to each other. The utility model is convenient to use. By annealing the precipitated CU wafers, 800 wafers of abnormal WAT parameters caused by the idle ALCU can be reduced annually on average, and the scrap caused by the abnormal metal DEP can be greatly reduced. By reworking the abnormal metal DEP wafers, the scrap of about 70 wafers can be reduced annually on average, and 200,000 yuan can be saved. The cost of left and right.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体金属DEP的异常处理装置
本技术涉及半导体金属DEP的异常处理
，尤其涉及一种半导体金属DEP的异常处理装置。
技术介绍
金属DEP中有三种常见异常会导致晶片报废：ALCUDEP后超过10MIN没有进冷却箱腔冷却，会导致CU析出，造成金属刻蚀后金属残留，影响金属梳子，窟问题，进而造成报废；TI和ALCU在DEP后不能暴露在空气中，但是有些时候由于设备ALARM等异常原因，导致金属DEP在TI或者ALCUDEP中或者DEP后中断，只能卸载出设备，暴露在空气中，每年都会报废约50～60片晶片；DEP完金属的晶片，如果发现金属膜下或者膜内缺陷OOS，通常也会报废。针对上述三种常见异常导致的晶片报废，我们提出了一种半导体金属DEP的异常处理装置，用于解决上述才提出的问题。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题，本技术提出了一种半导体金属DEP的异常处理装置。本技术提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体，所述处理装置主体上设有腔室，所述腔室的底部内壁上固定安装有反应池，所述腔室的顶部内壁上开设有嵌入槽，所述嵌入槽的顶部内壁上固定安装有步进电机，所述步进电机的输出轴上焊接有第一连接轴，所述第一连接轴的底端焊接有转盘，所述转盘的底部一侧开设有第一凹槽，所述第一凹槽的两侧内壁上均焊接有固定块，两个固定块相互靠近的一侧均开设有通槽，且两个通槽内放置有同一个燃烧器，所述燃烧器的两侧均开设有对称设置的活动槽，且活动槽的一侧内壁上固定安装有齿条，所述通槽的两侧内壁上均开设有安装槽，所述安装槽远离安装槽槽口的一侧内壁上固定安装有第一驱动电机，所述第一驱动电机的输出轴上焊接有第二连接轴，所述第二连接轴远离第一驱动电机的一端延伸至通槽内并焊接有齿轮，且齿轮延伸至活动槽内并与齿条相啮合，所述燃烧器的底部焊接有喷火嘴，所述转盘的底部另一侧开设有第二凹槽，且第二凹槽的顶部内壁上开设有通孔，所述转盘的顶部固定安装有第二驱动电机，所述第二驱动电机的输出轴上焊接有第三连接轴，且第三连接轴的底端贯穿通孔并焊接有推杆电机，所述推杆电机转动安装在第二凹槽内，所述推杆电机的输出轴上焊接有连接杆，且连接杆的底端延伸至腔室内并焊接有圆盘，所述圆盘的底部四周焊接有多个搅拌棒。优选的，所述步进电机的顶部焊接有第一固定板，且第一固定板的四角位置均开设有第一螺栓孔，所述第一螺栓孔内螺纹连接有第一螺栓，所述步进电机通过第一螺栓孔和第一螺栓固定安装在嵌入槽的顶部内壁上。优选的，所述第一驱动电机的一侧焊接有第二固定板，所述第二固定板的四角位置均开设有第二螺栓孔，所述第二螺栓孔内螺纹连接有第二螺栓，所述第一驱动电机通过第二螺栓孔和第二螺栓固定安装在安装槽远离安装槽槽口的一侧内壁上。优选的，所述腔室为压力腔室，且腔室内的压力比外界压力大。优选的，所述通孔的内壁上焊接有轴承，且第三连接轴贯穿轴承并与轴承的内圈相焊接。优选的，所述推杆电机的顶部焊接有弧形滑块，且第二凹槽的顶部内壁上设有环形滑轨，所述弧形滑块与环形滑轨滑动连接。优选的，所述通槽的内壁上设有密封圈，且燃烧器通过密封圈滑动安装在通槽内。优选的，所述喷火嘴的底部延伸至腔室内并位于反应池的正上方，且多个搅拌棒均位于反应池的上方。优选的，所述搅拌棒的数量为五到七个，且五到七个搅拌棒呈环形等间距分布在圆盘的底部四周。优选的，所述第二驱动电机的底部焊接有第三固定板，且第三固定板通过自攻丝固定安装在转盘的顶部，所述第二驱动电机的输出轴贯穿第三固定板并与第三连接轴相焊接。本技术的有益效果是：通过处理装置主体、腔室、反应池、嵌入槽、第一固定板、步进电机、第一连接轴和转盘相配合，步进电机可以带动第一连接轴进行转动，从而使得转盘进行转动，通过第一凹槽、固定块、通槽、燃烧器、活动槽、齿条、安装槽、第二固定板、第一驱动电机、第二连接轴、齿轮和喷火嘴相配合，第一驱动电机可以带动第二连接轴进行转动，并通过第二连接轴带动齿轮进行转动，齿轮与齿条相啮合，从而使得第一驱动电机带动燃烧器进行上下移动，通过第二凹槽、通孔、第二驱动电机、第三连接轴、推杆电机、连接杆、圆盘和搅拌棒相配合，推杆电机可以带动连接杆进行上下移动，使得搅拌棒可以进行上下移动，并通过第二驱动电机可以带动推杆电机进行旋转，从而可以对反应池内的溶液进行搅拌。本技术使用方便，通过对CU析出晶片的退火，每年平均减少800片由于ALCU空闲的引起的WAT参数异常，且可以极大的减少金属DEP异常引起的报废，通过对金属DEP异常晶片的返工，每年平均减少大约70片的晶片报废，可节省20万元左右的成本。附图说明图1为本技术提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的结构示意图；图2为本技术提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的A结构放大图；图3为本技术提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的A结构仰视图；图4为本技术提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的B结构放大图；图5为本技术提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的局部结构侧视图。附图标记说明：1处理装置主体2腔室3反应池4嵌入槽5第一固定板6步进电机7第一连接轴8转盘9第一凹槽10固定块11通槽12燃烧器13活动槽14齿条15安装槽16第二固定板17第一驱动电机18第二连接轴19齿轮20喷火嘴21第二凹槽22通孔23第二驱动电机24第三连接轴25推杆电机26连接杆27圆盘28搅拌棒具体实施方式下面结合具体实施例对本技术作进一步解说。实施例参考图1-5，本实施例中提出了一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体1，处理装置主体1上设有腔室2，腔室2的底部内壁上固定安装有反应池3，腔室2的顶部内壁上开设有嵌入槽4，嵌入槽4的顶部内壁上固定安装有步进电机6，步进电机6的输出轴上焊接有第一连接轴7，第一连接轴7的底端焊接有转盘8，转盘8的底部一侧开设有第一凹槽9，第一凹槽9的两侧内壁上均焊接有固定块10，两个固定块10相互靠近的一侧均开设有通槽11，且两个通槽11内放置有同一个燃烧器12，燃烧器12的两侧均开设有对称设置的活动槽13，且活动槽13的一侧内壁上固定安装有齿条14，通槽11的两侧内壁上均开设有安装槽15，安装槽15远离安装槽15槽口的一侧内壁上固定安装有第一驱动电机17，第一驱动电机17的输出轴上焊接有第二连接轴18，第二连接轴18远离第一驱动电机17的一端延伸至通槽11内并焊接有齿轮19，且齿轮19延伸至活动槽13内并与齿条14相啮合，燃烧器12的底部焊接有喷火嘴20，转盘8的底部另一侧开设有第二凹槽21，且第二凹槽21的顶部内壁上开设有通孔22，转盘8的顶部固定安装有第二驱动电机23，第二驱动电机23的输出轴上焊接有第三连接轴24，且第三连接轴24的底端贯穿通孔22并焊接有推杆电机25，推杆电机25转动安装在第二凹槽21内，推杆电机25的输出轴上焊接有连接杆26，且连接杆26的底端延伸至腔室2内并焊接有圆盘27，圆盘27的底部四周焊接有多个搅拌棒28，在处理装置主体1、腔室2、反应池3、嵌入槽4、第一固定板5、步进电机6、第一连接轴7和转盘8的配合下，步进电机6可以带动第一连接轴7进行转动，从而使得转盘8进行转动，在第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体(1)，其特征在于，所述处理装置主体(1)上设有腔室(2)，所述腔室(2)的底部内壁上固定安装有反应池(3)，所述腔室(2)的顶部内壁上开设有嵌入槽(4)，所述嵌入槽(4)的顶部内壁上固定安装有步进电机(6)，所述步进电机(6)的输出轴上焊接有第一连接轴(7)，所述第一连接轴(7)的底端焊接有转盘(8)，所述转盘(8)的底部一侧开设有第一凹槽(9)，所述第一凹槽(9)的两侧内壁上均焊接有固定块(10)，两个固定块(10)相互靠近的一侧均开设有通槽(11)，且两个通槽(11)内放置有同一个燃烧器(12)，所述燃烧器(12)的两侧均开设有对称设置的活动槽(13)，且活动槽(13)的一侧内壁上固定安装有齿条(14)，所述通槽(11)的两侧内壁上均开设有安装槽(15)，所述安装槽(15)远离安装槽(15)槽口的一侧内壁上固定安装有第一驱动电机(17)，所述第一驱动电机(17)的输出轴上焊接有第二连接轴(18)，所述第二连接轴(18)远离第一驱动电机(17)的一端延伸至通槽(11)内并焊接有齿轮(19)，且齿轮(19)延伸至活动槽(13)内并与齿条(14)相啮合，所述燃烧器(12)的底部焊接有喷火嘴(20)，所述转盘(8)的底部另一侧开设有第二凹槽(21)，且第二凹槽(21)的顶部内壁上开设有通孔(22)，所述转盘(8)的顶部固定安装有第二驱动电机(23)，所述第二驱动电机(23)的输出轴上焊接有第三连接轴(24)，且第三连接轴(24)的底端贯穿通孔(22)并焊接有推杆电机(25)，所述推杆电机(25)转动安装在第二凹槽(21)内，所述推杆电机(25)的输出轴上焊接有连接杆(26)，且连接杆(26)的底端延伸至腔室(2)内并焊接有圆盘(27)，所述圆盘(27)的底部四周焊接有多个搅拌棒(28)。...

【技术特征摘要】
1.一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体(1)，其特征在于，所述处理装置主体(1)上设有腔室(2)，所述腔室(2)的底部内壁上固定安装有反应池(3)，所述腔室(2)的顶部内壁上开设有嵌入槽(4)，所述嵌入槽(4)的顶部内壁上固定安装有步进电机(6)，所述步进电机(6)的输出轴上焊接有第一连接轴(7)，所述第一连接轴(7)的底端焊接有转盘(8)，所述转盘(8)的底部一侧开设有第一凹槽(9)，所述第一凹槽(9)的两侧内壁上均焊接有固定块(10)，两个固定块(10)相互靠近的一侧均开设有通槽(11)，且两个通槽(11)内放置有同一个燃烧器(12)，所述燃烧器(12)的两侧均开设有对称设置的活动槽(13)，且活动槽(13)的一侧内壁上固定安装有齿条(14)，所述通槽(11)的两侧内壁上均开设有安装槽(15)，所述安装槽(15)远离安装槽(15)槽口的一侧内壁上固定安装有第一驱动电机(17)，所述第一驱动电机(17)的输出轴上焊接有第二连接轴(18)，所述第二连接轴(18)远离第一驱动电机(17)的一端延伸至通槽(11)内并焊接有齿轮(19)，且齿轮(19)延伸至活动槽(13)内并与齿条(14)相啮合，所述燃烧器(12)的底部焊接有喷火嘴(20)，所述转盘(8)的底部另一侧开设有第二凹槽(21)，且第二凹槽(21)的顶部内壁上开设有通孔(22)，所述转盘(8)的顶部固定安装有第二驱动电机(23)，所述第二驱动电机(23)的输出轴上焊接有第三连接轴(24)，且第三连接轴(24)的底端贯穿通孔(22)并焊接有推杆电机(25)，所述推杆电机(25)转动安装在第二凹槽(21)内，所述推杆电机(25)的输出轴上焊接有连接杆(26)，且连接杆(26)的底端延伸至腔室(2)内并焊接有圆盘(27)，所述圆盘(27)的底部四周焊接有多个搅拌棒(28)。2.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述步进电机(6)的顶部焊接有第一固定板(5)，且第一固定板(5)的四角...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍志军，
申请(专利权)人：苏州赛森电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32