The utility model provides a seed crystal ingot charging structure, which comprises an accommodation cavity, a seed crystal layer arranged at the bottom of the accommodation cavity, a crystal block tailing layer arranged on the seed crystal layer, a positioning layer arranged on the crystal block tailing layer and at the center of the accommodation cavity, and the positioning layer is a vertically placed crystal silicon block material. A silicon wafer layer is arranged in a reserved space between the wafer tailing layer and the positioning layer, and the top of the silicon wafer layer is on the same horizontal plane as the top of the positioning layer. The charging structure of the seed crystal ingot provided by the utility model can avoid the gap between silicon materials, and can accurately control the rate of the melting stage, and effectively control the reserved height of the seed crystal.
【技术实现步骤摘要】
一种籽晶铸锭装料结构
本技术属于多晶硅熔化
,特别是涉及一种籽晶铸锭装料结构。
技术介绍
目前籽晶铸锭领域多采取籽晶半熔铸锭,此铸锭工艺的熔化过程需要不断的通过石英棒试探未熔化部分高度,以此来保证底部留有一定的籽晶高度并将整个熔化过程控制在合理的时间范围内。由于每个熔化炉的装料结构都存在差异,现有的铺设方法无法精确控制每个熔化炉内炉台的熔化速率,而且装料结构中常常产生缝隙,导致在测熔化速率时石英棒的高度会有较大的偏差。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术提供了一种籽晶铸锭装料结构,能够避免硅料之间产生间隙,并能够对熔化阶段的速率进行精确管控,并有效控制籽晶预留高度。为了达到上述目的,本技术提供如下技术方案:一种籽晶铸锭装料结构,包括容纳腔;籽晶层,设置在所述容纳腔底部;晶块尾料层,设置在所述籽晶层上;定位层,设置在所述晶块尾料层上且位于所述容纳腔中心处;所述定位层为竖直放置的晶硅块料;硅小料层,设置在所述晶块尾料层和所述定位层之间的预留空间中,且所述硅小料层顶部与所述定位层顶部处于同一水平面上。优选的,还包括原生硅料层,所述原生硅料层设置在所述硅料层上方。优选的,还包括硅颗粒层,所述硅颗粒层设置在所述原生硅料层上。优选的,所述晶硅块料设置为长方体形状或圆柱体形状。通过上述描述可知,本技术提供的一种籽晶铸锭装料结构,包括容纳腔;籽晶层,设置在所述容纳腔底部;晶块尾料层,设置在所述籽晶层上;定位层,设置在所述晶块尾料层上且位于所述容纳腔中心处;所述定位层为竖直放置的晶硅块料;硅小料层,设置在所述晶块尾料层和所述定位层之间的预留空间中,且所述硅小料层顶部与所述定 ...
【技术保护点】
1.一种籽晶铸锭装料结构,其特征在于,包括容纳腔;籽晶层,设置在所述容纳腔底部;晶块尾料层,设置在所述籽晶层上;定位层,设置在所述晶块尾料层上且位于所述容纳腔中心处;所述定位层为竖直放置的晶硅块料;硅小料层,设置在所述晶块尾料层和所述定位层之间的预留空间中,且所述硅小料层顶部与所述定位层顶部处于同一水平面上。
【技术特征摘要】
1.一种籽晶铸锭装料结构,其特征在于,包括容纳腔;籽晶层,设置在所述容纳腔底部;晶块尾料层,设置在所述籽晶层上;定位层,设置在所述晶块尾料层上且位于所述容纳腔中心处;所述定位层为竖直放置的晶硅块料;硅小料层,设置在所述晶块尾料层和所述定位层之间的预留空间中,且所述硅小料层顶部与所述定位层顶部处于同一水平面上。...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡石山,毛亮亮,唐碧见,周飞龙,龙昭钦,周慧敏,徐志群,
申请(专利权)人:晶科能源有限公司,浙江晶科能源有限公司,
类型:新型
国别省市:江西,36
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