The utility model discloses a heating device for magnetron sputtering coating, which comprises a fixed heating plate, a bracket rotated relative to the heating plate and a sample clamp which can be placed in the bracket and rotated with the bracket. The bracket comprises a first plate and a second plate which are arranged in succession and are relatively fixed at upper and lower intervals. The heating tray is arranged between the first plate and the second plate, and the position opposite the heating tray on the second plate is provided with a first clamping hole for accommodating the sample clamp, the sample clamp comprises an absorbing layer relative to the heating tray, a tray arranged below the absorbing layer, and the absorbing layer and the heating tray. A thermal conductive layer between the pallets is used to support the sample and expose the surface of the sample away from the thermal conductive layer to the lower surface of the pallet for sputtering coating. The utility model provides a heating device for magnetron sputtering coating, which can efficiently and uniformly heat the sample substrate in the magnetron sputtering device.
【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射镀膜用加热装置
本技术涉及磁控溅射镀膜设备
,更具体地说,它涉及一种磁控溅射镀膜用加热装置。
技术介绍
磁控溅射技术是物理气相沉积技术的一种,具有成膜速率高,膜基粘附性好,可实现大面积镀膜等优点。从上世纪70年代开始发展起来,磁控溅射技术发展出多种类型,广泛应用于半导体微电子、光学薄膜和材料表面处理等领域。其中,反应溅射是磁控溅射的一种,是指在溅射过程中通入氧气、氮气等反应气体与溅射出来的靶原子发生反应从而沉积获得化合物薄膜。与常规磁控溅射不同,反应溅射由于需要发生化学反应,所以通常需要基片在较高温度下,而且基片温度对所得化合物成分影响很大。现有磁控溅射镀膜用加热装置中,样品基片上部的加热盘通过非接触辐射的方式直接对基片进行加热,这样导致对样品基片的加热不及时,加热效率低,对于吸热系数较低的基片很难达到要求的温度;且由于加热盘与样品之间有一定的距离,会造成温度的扩散,导致样品基片中心处的温度高于边沿处的温度,基片受热不均匀。这些都会阻碍反应溅射中化学反应的进行并且影响化合物的成分。此外,由于现有装置中将热偶插入加热盘的下端测量加热盘温度并反馈给温度控制器,实现控温,该过程由于热偶测的是加热盘的温度而不是基片的温度,因此现有装置中控温系统控温并不准确,实际控制的是加热盘的温度而不是基片的。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的缺陷,本技术提供了一种磁控溅射镀膜用加热装置,以对磁控溅射装置中样品基片进行高效均匀加热。为了实现上述的目的,本技术采用了如下的技术方案:一种磁控溅射镀膜用加热装置,包括固定设置的加热盘、相对于所述加热盘转动的支架及容置于所述支架 ...
【技术保护点】
1.一种磁控溅射镀膜用加热装置,其特征在于,包括固定设置的加热盘(2)、相对于所述加热盘(2)转动的支架(1)及容置于所述支架(1)内随所述支架(1)转动的样品夹具(3),所述支架(1)包括上下依次间隔设置且相对固定的第一支板(11)和第二支板(12),所述加热盘(2)设于所述第一支板(11)和所述第二支板(12)之间,所述第二支板(12)上与加热盘(2)相对的部位设有用于容置所述样品夹具(3)的第一卡孔(121),所述样品夹具(3)包括与所述加热盘(2)相对的吸热层(33)、设于所述吸热层(33)下方的托盘(31)、及设于所述吸热层(33)与所述托盘(31)之间的导热层(32),所述托盘(31)用于承托样品并使样品背离所述导热层(32)的表面暴露于所述托盘(31)下表面以进行溅射镀膜。
【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射镀膜用加热装置,其特征在于,包括固定设置的加热盘(2)、相对于所述加热盘(2)转动的支架(1)及容置于所述支架(1)内随所述支架(1)转动的样品夹具(3),所述支架(1)包括上下依次间隔设置且相对固定的第一支板(11)和第二支板(12),所述加热盘(2)设于所述第一支板(11)和所述第二支板(12)之间,所述第二支板(12)上与加热盘(2)相对的部位设有用于容置所述样品夹具(3)的第一卡孔(121),所述样品夹具(3)包括与所述加热盘(2)相对的吸热层(33)、设于所述吸热层(33)下方的托盘(31)、及设于所述吸热层(33)与所述托盘(31)之间的导热层(32),所述托盘(31)用于承托样品并使样品背离所述导热层(32)的表面暴露于所述托盘(31)下表面以进行溅射镀膜。2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜用加热装置,其特征在于:还包括固设于所述第二支板(12)下方用于检测样品温度的测温探头(4)及用于根据所述测温探头(4)的检测结果对所述加热盘(2)的温度进行控制的温度控制器(5)。3.根据权利要求2所述的磁控溅射镀膜用加热装置,其特征在于:所述吸热层(33)由石英玻璃制成,和/或,所述导...
【专利技术属性】
技术研发人员:邹建雄,鲁远甫,魏广路,李锐,焦国华,吕建成,
申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院,
类型:新型
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。