一种低热阻高密度的COB光源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低热阻高密度的COB光源，包括支架、晶片、固晶胶及荧光胶，晶片设于支架的上方，支架与晶片之间采用与晶片相适应的双头点胶头均匀设有固晶胶，固晶胶的厚度小于5um，支架与晶片采用固晶设备进行固晶，荧光胶通过点胶设备设于所晶片的表面，荧光胶中的胶水采用硬度40A的低折硅胶。本实用新型专利技术采用尺寸与晶片相适应的双头点胶头将固晶胶设于支架与晶片之间，进而提高了生产效率，提高了生产品质，固晶胶的厚度小于5um，与传统的厚度10.4um的固晶胶相比，晶片表面至支架表面的温度降低了5℃，反推胶面的温度降低约10℃，进而提供了COB的散热功能；荧光胶中的胶水采用硬度40A的低折硅胶，减少了光的损失，进而实现了高密度、高光效。

A low heat resistance and high density COB light source

The utility model discloses a low thermal resistance and high density COB light source, which comprises a bracket, a wafer, a solidified glue and a fluorescent glue. The wafer is arranged above the bracket. A double-end point glue head adapted to the wafer is uniformly arranged between the bracket and the wafer, and the thickness of the solidified glue is less than 5 um. The bracket and the wafer are carried out by a solidified crystal The fluorescent glue is fixed on the surface of the wafer through a dispensing device, and the glue in the fluorescent glue is made of a low flexural silica gel with a hardness of 40A. The utility model adopts a double-head dispensing head which is suitable for the size of the wafer to set the solid crystal adhesive between the support and the wafer, thereby improving the production efficiency and quality, and the thickness of the solid crystal adhesive is less than 5 um. Compared with the traditional solid crystal adhesive with the thickness of 10.4 um, the temperature from the wafer surface to the support surface is reduced by 5 degrees Celsius and the glue surface is pushed back. The temperature is reduced by about 10 C, which provides the heat dissipation function of COB. The glue in the fluorescent glue adopts the low refractive silica gel with hardness 40A, which reduces the loss of light and thus realizes high density and high luminous efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种低热阻高密度的COB光源
本技术涉及一种低热阻高密度的COB光源。
技术介绍
在现有技术中，综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能，其余60-70％能量主要以非辐射复合发生的点阵振动的形式转化热能；所以在LED光源应用中，对散热管理及其严格，合理优化散热器的体积，材质，增加鳍片加大空气对流而达到散热管理；针对LED大功率封装，采用热电分离基板、高导热银胶、大尺寸30-50mil晶片封装来降低热阻，但是光效的不足，胶水开裂、金线断开，无法满足使用要求。以上不足，有待改进。
技术实现思路
为了克服现有的技术的不足,本技术提供一种低热阻高密度的COB光源。本技术技术方案如下所述：一种低热阻高密度的COB光源，包括支架、晶片、固晶胶及荧光胶，所述晶片设于所述支架的上方，所述支架与所述晶片之间采用与所述晶片相适应的双头点胶头均匀设有所述固晶胶，所述固晶胶的厚度小于5um，所述支架与所述晶片采用固晶设备进行固晶，所述荧光胶通过点胶设备设于所述晶片的表面，所述荧光胶中的胶水采用硬度40A的低折硅胶。进一步地，所述固晶胶的厚度为3.8um，所述固晶胶为低折透明硅胶。进一步地，所述荧光胶的厚度小于5mm。进一步地，所述双头点胶头的顶部设有135°的倒角。进一步地，所述晶片为正装长方形晶片，所述正装长方形晶片的尺寸规格为10×30mil或17×33mil或22×35mil或23×45mil。进一步地，所述双头点胶头的第一点胶头的尺寸规格为0.65×0.2mm，所述尺寸规格为0.65×0.2mm的所述第一点胶头与所述尺寸规格为10×30mil或17×33mil的所述正装长方形晶片相适应。进一步地，所述双头点胶头的第二点胶头的尺寸规格为0.85*0.3mm，所述尺寸规格为0.85*0.3mm的所述第二点胶头与所述尺寸规格为22×35mil或23×45mil的所述正装长方形晶片相适应。进一步地，所述支架为热电分离镜面铝支架或热电分离镜面铜支架。进一步地，所述晶片的外围设有线路层，所述线路层与所述晶片通过金线连接。进一步地，所述晶片的外围设有围坝胶。根据上述方案的本技术，其有益效果在于，本技术采用尺寸与晶片相适应的双头点胶头将固晶胶设于支架与晶片之间，进而提高了生产效率，提高了生产品质，固晶胶的厚度小于5um，与传统的厚度10.4um的固晶胶相比，晶片表面至支架表面的温度降低了5℃，反推胶面的温度降低约10℃，进而提供了COB的散热功能；荧光胶中的胶水采用硬度40A的低折硅胶，减少了光的损失，进而实现了高密度、高光效。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为图1中A部分的结构示意图。图3为本技术的双头点胶头结构示意图。在图中，附图标记如下：1-支架；2-晶片；3-固晶胶；4-荧光胶；5-线路板；6-围坝胶；7-金线；8-双头点胶头。具体实施方式下面结合附图以及实施方式对本技术进行进一步的描述：请参阅图1至图3，一种低热阻高密度的COB光源，包括支架1、晶片2、固晶胶3及荧光胶4，晶片2设于支架1的上方，支架1与晶片2之间采用与晶片2相适应的双头点胶头8均匀设有固晶胶3，固晶胶3的厚度小于5um，支架1与晶片2采用固晶设备进行固晶，荧光胶4通过点胶设备设于晶片2的表面，荧光胶4中的胶水采用硬度40A的低折硅胶。本实施例提供的低热阻高密度的COB光源的有益效果：本技术采用尺寸与晶片2相适应的双头点胶头8将固晶胶3设于支架1与晶片2之间，进而提高了生产效率，提高了生产品质，固晶胶3的厚度小于5um，与传统的厚度10.4um的固晶胶相比，晶片2表面至支架1表面的温度降低了5℃，反推胶面的温度降低约10℃，进而提供了COB的散热功能；荧光胶4中的胶水采用硬度40A的低折硅胶，减少了光的损失，进而实现了高密度、高光效。采用双头点胶头进行布胶的步骤为：S1：调整固晶胶盘的刮刀，具体为：让固晶胶盘内固晶胶既薄又连续平整均匀转动；S2：选择与晶片2合适的双头点胶头8，具体为：双头点胶头8的取胶面积与晶片底部相符；S3：安装双头点胶头8并调试取胶高度与点胶高度，进而来控制点胶厚度。优选地，固晶胶3的厚度为3.8um，固晶胶3为低折透明硅胶。这样设置使得COB光源的散热功能更好。优选地，荧光胶4的厚度小于5mm。优选地，双头点胶头8的顶部设有135°的倒角，倒角的设置可以去除零件上因机加工产生的毛刺，进一步地，双头点胶头8顶部的表面采用抛光处理，双头点胶头8的顶部采用抛光处理保证了高速固晶胶3累积残留导致胶量不稳定。优选地，双头点胶头8可进行微调增加高度加大取胶量，来满足不同的晶片尺寸。优选地，晶片2为正装长方形晶片。在一个实施例中，正装长方形晶片的尺寸规格为10×30mil或17×33mil或22×35mil或23×45mil。在一个实施例中，双头点胶头8的第一点胶头的尺寸规格为0.65×0.2mm，尺寸规格为0.65×0.2mm的第一点胶头与尺寸规格为10×30mil或17×33mil的正装长方形晶片相适应。在一个实施例中，双头点胶头8的第二点胶头的尺寸规格为0.85*0.3mm，尺寸规格为0.85*0.3mm的第二点胶头与尺寸规格为22×35mil或23×45mil的正装长方形晶片相适应。优选地，支架1为热电分离镜面铝支架或热电分离镜面铜支架。优选地，晶片2的外围设有线路层5，线路层5与晶片2通过金线6连接。优选地，晶片2的外围设有围坝胶7。围坝胶7的设置用于荧光胶4的成型，进而保证了荧光胶4的成型的质量，提高了工作效率，节约了成本，且结构简单，操作方便。应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。上面结合附图对本技术专利进行了示例性的描述，显然本技术专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本技术专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低热阻高密度的COB光源，其特征在于：包括支架、晶片、固晶胶及荧光胶，所述晶片设于所述支架的上方，所述支架与所述晶片之间采用与所述晶片相适应的双头点胶头均匀设有所述固晶胶，所述固晶胶的厚度小于5um，所述支架与所述晶片采用固晶设备进行固晶，所述荧光胶通过点胶设备设于所述晶片的表面，所述荧光胶中的胶水采用硬度40A的低折硅胶。

【技术特征摘要】
1.一种低热阻高密度的COB光源，其特征在于：包括支架、晶片、固晶胶及荧光胶，所述晶片设于所述支架的上方，所述支架与所述晶片之间采用与所述晶片相适应的双头点胶头均匀设有所述固晶胶，所述固晶胶的厚度小于5um，所述支架与所述晶片采用固晶设备进行固晶，所述荧光胶通过点胶设备设于所述晶片的表面，所述荧光胶中的胶水采用硬度40A的低折硅胶。2.如权利要求1所述的低热阻高密度的COB光源，其特征在于：所述固晶胶的厚度为3.8um，所述固晶胶为低折透明硅胶。3.如权利要求1所述的低热阻高密度的COB光源，其特征在于：所述荧光胶的厚度小于5mm。4.如权利要求1所述的低热阻高密度的COB光源，其特征在于：所述双头点胶头的顶部设有135°的倒角。5.如权利要求1所述的低热阻高密度的COB光源，其特征在于：所述晶片为正装长方形晶片，所述正装长方形晶片的尺寸规格为10×30mil或17×33mil或22×35mil或23×45m...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘飞宇，
申请(专利权)人：深圳市立洋光电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44