The invention relates to a preparation method of a micron-scale thallium-doped cesium iodide conversion screen for X-ray imaging detection, belonging to the X-ray imaging technology field. A clean and dry substrate is placed on a tray in the vacuum chamber of the sputtering system, a target made of Tl-doped Cesium Iodide powder is fixed on the cathode target, and a high purity argon gas is introduced as the sputtering working gas. The target is sputtered when the vacuum and substrate temperature reach the preset value. The invention adopts radio frequency magnetron technology to prepare thallium-doped cesium iodide conversion screen, the crystallinity of which is excellent, the conversion screen is compact, continuous and has good adhesion with the substrate, which is beneficial to improving the conversion efficiency and imaging quality of the device, and provides an effective method for the preparation of the conversion screen of X-ray imaging detector. Moreover, the preparation process is simple, controllable, easy to operate, low in cost, and is conducive to industrial production.
【技术实现步骤摘要】
一种X射线成像探测用微米级掺铊碘化铯转换屏的制备方法
本专利技术属于X射线成像
,具体涉及一种X射线成像探测用微米级掺铊碘化铯转换屏的制备方法。
技术介绍
随着德国物理学家W.K.伦琴于1895年发现X射线以来,X射线越来越多的在日常生活中得到应用,从最初的X光感光底片到后来的X射线探测器,X射线探测成像技术已在科研、生活、生产等领域得到广泛应用,比如在科研方面,能够对小动物进行辐照研究,为生物系统开发药物,医疗方面,能够使得介入、透视、造影等医疗手段图像数字化;生活方面,能够用于机场、铁路、海关以及机场等公共场所的安全检查;生产方面,能够实现无损探伤、无损检测、煤矿勘探;随着技术的发展,以掺铊碘化铯一类为代表的闪烁体探测器成为X射线探测领域研究最热、应用最广的图像探测器。目前,X射线成像是利用闪烁材料将X射线转换成可识别的可见光信号,在其后端用可见光读出器CCD进行收集处理光信号,从而实现X光探测成像。因此,良好的闪烁材料的选择将有助于实现高的光光转换效率和光产能,在以碘化铯一类为闪烁材料中,掺铊碘化铯可将X光转换为550纳米左右的可见光,从而实现与CCD良好的响应匹配,并且工业生产成本较低等优良性能,在闪烁体X射线探测器中应用最多。而关于掺铊碘化铯薄膜制备工艺的研究也更多的受到了广泛的关注。例如:CN200910060112.5《掺铊碘化铯(CsI:Tl)薄膜的一种制备方法》、CN201110442455.5《微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏的制备方法及其应用》、CN201310499469.X《一种掺铊的碘化铯复合薄膜及其制备方法》等专利 ...
【技术保护点】
1.一种X射线成像探测用微米级掺铊碘化铯转换屏的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤A:将洁净、干燥的基底置于溅射系统真空室的托盘上,将采用掺铊碘化铯粉末制成的靶材固定于阴极靶位上,靶材与基底托盘之间设有挡板;步骤B:对系统真空室进行抽真空,抽真空过程中加热基底,在真空度低于1×10‑3Pa时通入高纯氩气作为溅射工作气体并维持真空度在0.5Pa~1.5Pa范围内;步骤C:待真空度及基底温度达到预设值,开启射频电源开关预热,逐渐加大输入功率以起辉,起辉后调节输入功率至溅射功率,维持工作气压,进行预溅射,预溅射后维持溅射条件开始溅射,溅射完成后,停止通入工作气体并使系统恢复至常压,关闭溅射和加热单元,自然降温至室温,将得到的掺铊碘化铯转换屏置于干燥环境存储,所得掺铊碘化铯转换屏表面致密、连续。
【技术特征摘要】
1.一种X射线成像探测用微米级掺铊碘化铯转换屏的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤A:将洁净、干燥的基底置于溅射系统真空室的托盘上,将采用掺铊碘化铯粉末制成的靶材固定于阴极靶位上,靶材与基底托盘之间设有挡板;步骤B:对系统真空室进行抽真空,抽真空过程中加热基底,在真空度低于1×10-3Pa时通入高纯氩气作为溅射工作气体并维持真空度在0.5Pa~1.5Pa范围内;步骤C:待真空度及基底温度达到预设值,开启射频电源开关预热,逐渐加大输入功率以起辉,起辉后调节输入功率至溅射功率,维持工作气压,进行预溅射,预溅射后维持溅射条件开始溅射,溅射完成后,停止通入工作气体并使系统恢复至常压,关闭溅射和加热单元,自然降温至室温,将得到的掺铊碘化铯转换屏置于干燥环境存储,所得掺铊碘化铯转换屏表面致密、连续。2.根据权利要求1所述的一种X射线成像探测用微米级掺铊碘化铯转换屏的制备方法,其特征在于,所述步骤A之前还包括基底的清洗步骤和干燥步骤,基底的清洗具体可采用NaOH溶液、无水乙醇和去离子水作为清洗液,然后将基底依次置于所述清洗液中进行超声波清洗;基...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘爽,田春回,许峻文,孙锦涛,张尚剑,刘永,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。