The present invention provides a method for preparing core-shell GaN nanowire arrays, by which GaN structural films are epitaxially grown on substrates, a mask layer is grown on the above-mentioned films and the mask layer is prepared into corresponding patterns, a nanostructure with steep side walls is formed in the GaN structural films, and a nano-structure with steep side walls is etched. The GaN nanowire arrays were fabricated by secondary growth on the obtained GaN nanowire arrays, and the core-shell nanowire arrays were obtained. The core shell GaN nanowire arrays with smooth sidewall and controllable length to diameter ratio are obtained through the method of the invention. The method of the invention is simple and suitable for large-scale preparation. The core shell nanowire arrays can be widely used in optoelectronic devices and microelectronic devices.
【技术实现步骤摘要】
一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法
本专利技术属于电学领域,涉及一种纳米线阵列,具体来说是一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法。
技术介绍
纳米技术被认为是21世纪的三大科学技术之一,其中,半导体纳米线由于其独特的一维量子结构,被认为是未来微纳器件的基本结构。GaN纳米线具有优异的光电、压电、敏感和热稳定性能,在光电子器件及微纳电子器件中具有很好的应用前景。近年来,GaN纳米线的研究工作取得了很大进展,广泛应用于集成电路、晶体管、激光器、发光二极管、单光子器件、光解水以及太阳能电池等领域。然而缺乏长径比、位置可控的高质量核壳纳米线阵列合成方法,严重限制了GaN纳米线器件的实用化和产业化。核壳GaN纳米线的制作方法分两类:“自下而上”的自组装生长方法和“自上而下”的刻蚀方法。“自下而上”的自组装生长方法主要有学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)以及选择区域沉积等方法。但这些方法难以制备高质量、有序排列、含有不同组分的核壳GaN纳米线阵列。刻蚀法多使用感应耦合等离子体刻蚀或各向异性湿法刻蚀方法。通过控制掩膜及刻蚀工艺,设计可控合成大规模核壳GaN纳米线垂直阵列的方法。
技术实现思路
针对现有技术中的上述技术问题,本专利技术提供了一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法,所述的这种核壳GaN纳米线阵列的制备方法要解决现有技术中的方法难以制备高质量、有序排列、含有不同组分的核壳GaN纳米线阵列的技术问题。本专利技术提供了一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法,包括如下步骤:1)通过外延方法在衬底上外延生长GaN结构薄膜;2)在上述薄膜上生 ...
【技术保护点】
1.一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)通过外延方法在衬底上外延生长GaN结构薄膜;2)在上述薄膜上生长掩膜层,并将掩膜层制备成相应的图案;3)在GaN结构薄膜中形成侧壁陡峭的纳米结构;4)刻蚀所述的侧壁陡峭的纳米结构,形成侧壁光滑排列规则的纳米线阵列;5)在步骤4)所得的GaN纳米线阵列上进行二次生长,获得核壳纳米线阵列。
【技术特征摘要】
1.一种核壳GaN纳米线阵列的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)通过外延方法在衬底上外延生长GaN结构薄膜;2)在上述薄膜上生长掩膜层,并将掩膜层制备成相应的图案;3)在GaN结构薄膜中形成侧壁陡峭的纳米结构;4)刻蚀所述的侧壁陡峭的纳米结构,形成侧壁光滑排列规则的纳米线阵列;5)在步骤4)所得的GaN纳米线阵列上进行二次生长,获得核壳纳米线阵列。2.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法,其特征在于:所述掩膜层为SiO2、SiNx、ZnO、或Al2O3。3.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法,其特征在于:通过紫外光刻、电子束光刻、干法刻蚀或湿法腐蚀将掩膜层制备成相应的图案。4.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法,其特征在于:所述图案的尺寸为10nm-10μm。5.根据权利要求1所述的一种核壳GaN米线阵列的制备方法,其特征在于:在步骤3)中,采用干法刻蚀在GaN基结构薄膜中形成侧壁陡峭的纳米结构。6.根据...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。