The invention belongs to the technical field of semiconductor photoelectric detection, in particular relates to a photoconductive detector based on Cs2AgBiBr6 film and a preparation method thereof. The structure is composed of Si substrate, insulated SiO2 layer, Au interdigital electrode and Cs2AgBiBr6 film. Characterized by its simple preparation method, non-lead Cs2AgBiBr6 thin film was prepared, which overcomes the shortcomings of the traditional perovskite structure in instability and lead toxicity. It is of great significance to simplify the process of the perovskite photodetector, be environmentally friendly, and then to be practical.
【技术实现步骤摘要】
一种基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器及制备方法
本专利技术属于半导体光电探测
,具体涉及一种基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器及制备方法。
技术介绍
近几年来,金属卤化物钙钛矿材料(CH3NH3PbX3,CsPbX3,X=Cl/Br/I)由于其优越的光学和电学性能开始引起人们的广泛关注,这是由于其具有高的光学吸收系数、长的载流子寿命和扩散长度、双极性的电荷传输以及带宽连续可调等优点。以上特性使得钙钛矿材料在太阳能电池、发光二极管和光探测器等方面有极大的应用潜力。但是,基于CH3NH3PbX3和CsPbX3材料的光电器件在铅毒性和稳定性上一直不能令人满意,因此人们开始将目光转向非铅且稳定性更优的无铅钙钛矿体系材料,例如CsGeX3、CsSnX3、Cs3Bi2X9和Cs2AgBiX6等。Cs2AgBiX6是一种双钙钛矿结构材料,通过两种不同的元素同时对Pb金属阳离子进行取代,从而合成出由不同八面体结构交替排列而成的双钙钛矿材料。相比传统的ABX3类钙钛矿材料,Cs2AgBiX6具有更高的结构稳定性和环境友好性。此外,它们具有相对较窄的带隙宽度(约2.0电子伏特)以及良好的光吸收性能,在新型光探测器方面具有良好的应用前景(C.C.Wu,Q.H.Zhang,Y.Liu,W.Luo,X.Guo,Z.Huang,H.Ting,W.H.Sun,X.R.Zhong,S.Y.Wei,S.F.Wang,Z.J.Chen,andL.X.Xiao,Adv.Sci.1700759(2017);E.T.McClure,M.R.Ball,W.Windl,an ...
【技术保护点】
1.一种基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器,包括衬底(1),其特征在于:衬底(1)上依次设有绝缘的SiO2层(2)、Au叉指电极(3)和Cs2AgBiBr6薄膜(4)。
【技术特征摘要】
1.一种基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器,包括衬底(1),其特征在于:衬底(1)上依次设有绝缘的SiO2层(2)、Au叉指电极(3)和Cs2AgBiBr6薄膜(4)。2.根据权利要求1所述的基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器,其特征在于:所述衬底(1)为单抛的Si衬底,衬底的厚度为400~500微米。3.根据权利要求1所述的一种基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器,其特征在于:绝缘的SiO2层(2)的厚度为180~300纳米,SiO2层(2)的电阻率为1012~1013欧姆·厘米。4.根据权利要求1所述的基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器,其特征在于:Au叉指电极(3)的厚度为50~80纳米,指宽为10微米,相邻叉指之间的距离为10微米。5.根据权利要求1所述的基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器,其特征在于:Cs2AgBiBr6薄膜(4)的厚度为200~300纳米。6.一种根据权利要求1~5所述的基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器的制备方法,其特征在于是按照下述步骤进行的:步骤(1)清洗衬底(1);步骤(2)在衬底1上沉积绝缘的SiO2层(2);步骤(3)采用光刻工艺和热蒸发技术在SiO2层(2)上制备Au叉指电极(3);步骤(4)在Au叉指电极(3)上制备Cs2AgBiBr6薄膜(4)作为光吸收层。7.根据权利要求6所述的基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器的制备方法,其特征在于:所述步...
【专利技术属性】
技术研发人员:史志锋,雷玲芝,李营,张飞,陈磊磊,李新建,
申请(专利权)人:郑州大学,
类型:发明
国别省市:河南,41
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。