The needle of the invention designs a measurement scheme for the longitudinal temperature of the film in the process of nitride epitaxy growth, which belongs to the technical field of semiconductor measurement. Epitaxial growth is one of the most effective methods to prepare nitride materials. The temperature in the growth process restricts the performance of the devices. It is difficult to measure directly by thermocouple because of the complex and strict film growth reaction environment. Generally, non-contact temperature measurement method is used to measure the temperature of substrate graphite disk. However, because of the high substrate temperature, the longitudinal temperature gradient of the film during the gradient growth process is large, so it is impossible to accurately control the growth of epitaxial film. The temperature of the epitaxial layer surface and the graphite disk on the substrate bottom are measured by the ultraviolet and infrared radiation temperature measurement methods respectively. The thermal field from the substrate bottom to the epitaxial layer surface is analyzed by the finite element simulation method, and the longitudinal temperature field from the substrate to the epitaxial layer is obtained, which is the temperature in the process of nitride growth. Regulation provides a favorable basis.
【技术实现步骤摘要】
一种氮化物外延生长过程中薄膜纵向温度场的测量装置及方法
本专利技术属于半导体测量
,公布了一种氮化物外延生长纵向温度测量方法。
技术介绍
以氮化物材料为代表的第三代宽禁带半导体因具有高稳定性、高光电转化能力、低能量损耗,高击穿场强等绝对优势,成为制备光电子器件的重要材料。目前氮化物常用的生长设备是MOCVD(metalorganicchemicalvapordeposition,即金属有机化学气相沉积),外延片置于加热设备上面的石墨盘上,石墨盘由转轴带动高速旋转,反应物由载气(一般是氢气、氮气)通过管道运输,经由喷淋板进入腔室,通过反应沉积到外延衬底表面。外延层生长温度是薄膜生长反应腔生产性能控制的关键参数,由于薄膜生长反应腔的反应条件严格,需要高温、化学性质活泼的生长环境,高速旋转的衬底,以及严格的设备空间布置,采用热电偶等直接测温的技术几乎是不可能的,因此,必须依赖于非接触测温法对外延层生长温度进行测量。现有技术中,对于红外光透明的衬底材料,大部分辐射测温仪所采用的近红外波段(如900-1000nm)都能穿过外延层(氮化镓)以及其衬底材料(通常是蓝宝石),仪器测得的近红外辐射为衬底下部的石墨加热盘发出,由此推算出的温度为加热盘温度,而非外延层本身的表面温度。通常,外延片与加热盘之间存在3℃~5℃的温差,当外延层与衬底之间存在较大应力导致外延片翘曲时,这个温差将增大至几十度,对于实时生长采集的加热盘温度作为外延层生长温度将导致极大的误差。同时,外延层的温度漂移将引起氮化物的发光波长漂移,导致产品良率降低。虽有专门针对对红外光透明衬底的外延片表面的紫 ...
【技术保护点】
1.一种氮化物外延生长纵向温度场的测量装置,该装置包括红外探测光路、紫外探测光路和计算器;其中红外探测光路包括红外辐射探测光路和红外反射探测光路,所述红外辐射探测光路包括:光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第二聚焦镜、第二滤光片、第三探测器,待测物体辐射红外光线依次经过光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第二聚焦镜、第二滤光片到达第三探测器;所述红外反射探测光路包括:940‑1050nm光源、第一准直透镜、第一分光镜、第一探测器、第一分色片、第一光纤耦合器、第一光纤、光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第二聚焦镜、第二滤光片、第三探测器,由940‑1050nm光源发出的光线经过第一准直透镜后被第一分光镜分为两束,一束由第一探测器探测,另一束依次经过第一分色片、第一光纤耦合器、第一光纤、光学探头后照射待测物体,待测物体的反射光再依次经过光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第二聚焦镜、第二滤光片到达第三探测器;紫外探测光路包括紫外辐射探测光路和紫外反射探测光路,所述紫外辐射探测光路包括:光学探头、第二 ...
【技术特征摘要】
1.一种氮化物外延生长纵向温度场的测量装置,该装置包括红外探测光路、紫外探测光路和计算器;其中红外探测光路包括红外辐射探测光路和红外反射探测光路,所述红外辐射探测光路包括:光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第二聚焦镜、第二滤光片、第三探测器,待测物体辐射红外光线依次经过光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第二聚焦镜、第二滤光片到达第三探测器;所述红外反射探测光路包括:940-1050nm光源、第一准直透镜、第一分光镜、第一探测器、第一分色片、第一光纤耦合器、第一光纤、光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第二聚焦镜、第二滤光片、第三探测器,由940-1050nm光源发出的光线经过第一准直透镜后被第一分光镜分为两束,一束由第一探测器探测,另一束依次经过第一分色片、第一光纤耦合器、第一光纤、光学探头后照射待测物体,待测物体的反射光再依次经过光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第二聚焦镜、第二滤光片到达第三探测器;紫外探测光路包括紫外辐射探测光路和紫外反射探测光路,所述紫外辐射探测光路包括:光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第一聚焦镜、第一滤光片、第四探测器,待测物体辐射的紫外光依次经过光学探头、第二光纤、第二光纤耦合器、准直镜组、第二分色片、第一聚焦镜、第一滤光片达到第四探测器;所述紫外反射探测光路包括400...
【专利技术属性】
技术研发人员:王超,段英,姜晶,胡俊,张泽展,杨洋,苟学科,吴从均,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。