一种激光退火方法技术

本发明专利技术提供一种激光退火方法，所述方法包括:提供半导体晶圆，所述半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域；通过激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸，与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时相邻两次扫描的间隔时间，与扫描所述第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同。根据本发明专利技术提供的激光退火方法，半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域，扫描第一区域时边缘排除的尺寸与扫描第二区域时边缘排除的尺寸不同，扫描第一区域时相邻两次扫描的间隔时间与扫描第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同，从而避免半导体晶圆发生破损，提高产品良率。

A laser annealing method

The present invention provides a laser annealing method which includes: providing a semiconductor wafer comprising at least a first region and a second region; laser annealing by scanning the semiconductor wafer with a laser beam spot; wherein the size of the edge excluded when the laser beam spot scans the first region, and scanning The size of edge exclusion is different when describing the second region, where the interval between two adjacent scans when the laser spot scans the first region is different from the interval between two adjacent scans when the second region is scanned. According to the laser annealing method provided by the present invention, a semiconductor wafer includes at least a first region and a second region. The size of the edge exclusion when scanning the first region is different from that when scanning the second region. The interval between the two adjacent scans when scanning the first region and the two adjacent scans when scanning the second region are different. Different interval time, so as to avoid semiconductor wafer breakage and improve product yield.

【技术实现步骤摘要】
一种激光退火方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种激光退火方法。
技术介绍
激光热处理加工包括用于半导体晶圆熔性或者非熔性的激光退火，激光辅助的薄膜生长，激光作用下非晶材料相变(用于制作多晶薄膜器件，太阳能电池)等等。以激光扫描半导体晶圆对半导体晶圆进行退火工艺(laserspikeannealing，LSA)，已广泛应用于半导体加工行业中。由于不同波长的激光在半导体晶圆中的吸收深度不同，激光退火具有退火深度可控的特点。因此，无论是在32nm及其以下技术节点器件的超浅PN结制备工艺中，还是在功率半导体器件的背面处理工艺中，激光退火技术都显示出不可替代的优势。在激光退火工艺过程中，通常将激光束经由一激光匀化整形器投射于晶圆形成线形激光束斑，通过线形激光束斑均匀地扫描整个半导体晶圆，来达到退火目的。采用线形激光束斑扫描半导体晶圆的方法是，由激光器所产生的激光束斑对从所述半导体晶片的上端自左往右地扫描；接着，调整所述激光束斑下移一定距离，进行第二行扫描，激光束斑对所述半导体晶片自右往左地扫描；重复上述各步骤，直至激光束斑将所述半导体晶片整个地扫描一遍，完成激光退火工艺。但是在根据现有工艺进行生产过程中，半导体晶圆在激光退火过程中易发生破损。因此，有必要提出一种新的激光退火方法，能有效避免半导体晶圆在激光退火过程中发生破损，提高产品良率。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的不足，本专利技术提供一种激光退火方法，包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域；通过激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸，与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时相邻两次扫描的间隔时间，与扫描所述第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同。进一步，所述激光束斑为线形激光束斑。进一步，所述激光束斑的扫描路径为圆弧形。进一步，所述激光束斑的扫描路径的半径与所述半导体晶圆的半径一致。进一步，所述半导体晶圆的中心位于所述第一区域内。进一步，所述第一区域的面积是所述第二区域面积的2倍以上。进一步，所述第二区域的边缘排除尺寸大于所述第一区域的边缘排除尺寸。进一步，所述第二区域内相邻两次扫描的间隔时间大于所述第一区域内相邻两次扫描的间隔时间。进一步，所述半导体晶圆还包括位于所述半导体晶圆边缘的第三区域、第四区域，其中，所述第三区域与所述第一区域相邻，所述第四区域与所述第二区域相邻，所述第三区域与所述第四区域之间存在间隔并位置相对，依次对所述半导体晶圆的第三区域、第一区域、第二区域、第四区域进行扫描。进一步，对所述第四区域进行反向扫描。进一步，所述第一区域的边缘排除的尺寸为1.2mm-1.5mm。进一步，所述第二区域的边缘排除的尺寸为3.2mm-3.5mm。进一步，所述激光束斑的步进距离等于所述激光束斑长度的一半。根据本专利技术提供的激光退火方法，半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域，在激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火的过程中，当激光束斑扫描所述半导体晶圆的第一区域和第二区域时，通过控制扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同以及扫描所述第一区域时相邻两次扫描的间隔时间与扫描所述第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同，从而避免半导体晶圆在激光退火过程中发生破损，提高产品良率。附图说明通过结合附图对本专利技术实施例进行更详细的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。附图中：图1是根据现有技术的一种用于激光退火的半导体晶圆的示意图。图2是根据本专利技术示例性实施例的方法所获得的一种用于激光退火的半导体晶圆的示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。在激光退火工艺过程中，通常将激光束经由一激光匀化整形器投射于晶圆形成线形激光束斑，通过线形激光束斑均匀地扫描整个半导体晶圆，来达到退火目的。如图1所示，首先扫描晶圆的边缘区域A，然后扫描晶圆的中心区域B，最后反向扫描晶圆的边缘区域C。扫描晶圆中心区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光退火方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域；通过激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸，与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时相邻两次扫描的间隔时间，与扫描所述第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同。

【技术特征摘要】
1.一种激光退火方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域；通过激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸，与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时相邻两次扫描的间隔时间，与扫描所述第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束斑为线形激光束斑。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束斑的扫描路径为圆弧形。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光束斑的扫描路径的半径与所述半导体晶圆的半径一致。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆的中心位于所述第一区域内。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域的面积是所述第二区域面积的2倍以上。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈耀庭，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31