一种干膜显影方法技术

本发明专利技术公开了一种干膜显影方法，包括以下步骤：(1)将干膜显影槽用去离子水清洗干净；(2)向干膜显影槽中加入干膜显影剂；(3)将待显影的基片放入所述干膜显影剂中，喷淋浸泡；(4)在显影过程中，采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面；(5)显影结束之后，取出已显影的基片，清洗干净，并吹干。本发明专利技术使用软毛刷轻微的来回刷洗并减少絮状层对产品的影响，经过多批次验证，本发明专利技术起到很大的改善，齿状边缘出现的频率(从60％降为10％)，同时显影矛盾的解决和效率提升，生产速率得到了明显的改善。增加了显影效率(速度由5m/30s～7m/30s降至2m/30s)，因此本发明专利技术有效的增加显影质量，减少锯齿状边缘出现的频率，增加了显影效率。

A dry film developing method

The invention discloses a dry film developing method, which comprises the following steps: (1) cleaning the dry film developing trough with deionized water; (2) adding a dry film developing agent to the dry film developing trough; (3) putting the substrate to be developed into the dry film developing agent, spraying and soaking; (4) using a soft brush to brush back and forth slightly in the developing process. Substrate dry film surface; (5) after developing, remove the developed substrate, clean it and blow dry it. The invention uses a soft brush to wash back and forth slightly and reduces the influence of the flocculent layer on the product. After many batches of verification, the invention greatly improves the frequency of tooth edge occurrence (from 60% to 10%). At the same time, the solution of the development contradiction and the improvement of the efficiency have been achieved, and the production rate has been obviously improved. The development efficiency is increased (the speed is reduced from 5m/30s to 7m/30s to 2m/30s), so the invention effectively increases the development quality, reduces the frequency of serrated edges, and increases the development efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种干膜显影方法
本专利技术属于电子器件制造
，具体涉及一种干膜显影方法。
技术介绍
干膜技术应用于形成RN5041薄膜精密分压电阻网络的电阻体图形，图形的质量直接影响产品的质量。在干膜显影过程中原来采用的方式是静置显影，会造成基片表面形成絮状层，阻挡进一步显影。曝光后基片在显影液中浸泡时间较长，会导致显影后产品表面干膜起皮、起泡；而显影时间较短，表面边缘则有锯齿状过多，甚至出现大面积剥离现象，而则一组矛盾还存在重叠。大概每片有60％的电阻单元会出现如图1中出现的严重锯齿状边缘，而在随后的激光调阻中会导致余切量过小而产生质量隐患，甚至有的基片出现大面积剥离而报废。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种干膜显影方法，避免显影之后表面边缘有锯齿状产生。本专利技术的技术方案为：一种干膜显影方法，包括以下步骤：(1)将干膜显影槽用去离子水清洗干净；(2)向干膜显影槽中加入干膜显影剂；(3)将待显影的基片放入所述干膜显影剂中，喷淋浸泡；(4)在显影过程中，采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面；(5)显影结束之后，取出已显影的基片，清洗干净，并吹干。本专利技术经分析基片显影之后表面边缘则有锯齿状，该现象产生的原因是由于在静置显影时，干膜溶解的物质在基片表面形成了絮状层，而该絮状层阻挡了进一步显影。由上述分析之后，本专利技术在现有干膜显影技术中，在显影过程中，采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面，将絮状层以物理方式破坏，从而减少该絮状层对显影产生的影响，干膜本身有一定硬度，所以软毛刷不足以影响干膜本身。本专利技术中的基片可以为多种现有常规的产品结构，作为优选，所述基片为RN5041薄膜精密分压电阻。与现有技术相比，本专利技术的有益效果体现在：本专利技术使用软毛刷轻微的来回刷洗并减少絮状层对产品的影响，经过多批次验证，本专利技术起到很大的改善，齿状边缘出现的频率(从60％降为10％)，同时显影矛盾的解决和效率提升，生产速率得到了明显的改善。增加了显影效率(速度由5m/30s～7m/30s降至2m/30s)，因此本专利技术有效的增加显影质量，减少锯齿状边缘出现的频率，增加了显影效率。附图说明图1为本专利技术改善前的产品示意图。图2为本专利技术改善后的产品示意图。具体实施方式实施例1一种干膜显影方法，包括以下步骤：(1)将干膜显影槽用去离子水清洗干净；(2)向干膜显影槽中加入干膜显影剂；(3)将待显影的基片(RN5041薄膜精密分压电阻)放入所述干膜显影剂中，喷淋浸泡；(4)在显影过程中，采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面；(5)显影结束之后，取出已显影的基片，清洗干净，并吹干。注：本专利技术中除了在显影过程中，采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面以外的步骤，均为现有常规方法，因此本专利技术在此不做赘述。本专利技术中显影过程中采取使用软毛刷轻微的来回刷洗，将絮状层以物理方式破坏，从而减少该絮状层对显影产生的影响。干膜本身有一定硬度，所以软毛刷不足以影响干膜本身。采用上述方法经过多批次验证，该方法起到很大的改善，齿状边缘出现的频率(从60％降为10％)，(见图2：改善后效果)，同时显影矛盾的解决和效率提升，生产速率得到了明显的改善，增加了显影效率(速度由5m/30s～7m/30s降至2m/30s)。在RN5041薄膜精密分压电阻(约900只)发货产品时因本专利技术的方法改进收益，特别表现在发货周期的提前的时候(周期缩短了1周左右的时间)，同时后续的合格率也明显提升(40％升至60％)，对质量的提升和质量一致性有明显的贡献。该改善虽是流程改善，但考虑到RN5041的售价较高，如果按100元/只计算，该技术改进的贡献幅度可能近千元升至更高。未来RN5041的发货仍可能进一步上升，加之如果将改进后的干膜技术引入其它溅射阻挡领域(例如研发的滤波器正在尝试)，后期效益不可估计。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种干膜显影方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将干膜显影槽用去离子水清洗干净；(2)向干膜显影槽中加入干膜显影剂；(3)将待显影的基片放入所述干膜显影剂中，喷淋浸泡；(4)在显影过程中，采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面；(5)显影结束之后，取出已显影的基片，清洗干净，并吹干。

【技术特征摘要】
1.一种干膜显影方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将干膜显影槽用去离子水清洗干净；(2)向干膜显影槽中加入干膜显影剂；(3)将待显影的基片放入所述干膜显影剂中，喷淋浸泡；(4)在显影过...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪培，韩玉成，张弦，廖东，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52