增强型耐高压接近开关制造技术

本实用新型专利技术涉及一种增强型耐高压接近开关，其包括内设感应电极和耐高压屏蔽层的探头本体，其中：该接近开关还包括高频LC振荡电路、F/V转换电路、信号处理耐高压动态补偿电路和数字信号输出电路，其中，所述信号处理耐高压动态补偿电路是由运算放大器、电容C2、C3、C4、电阻R8、R9、R13、可调电阻R15和发光二极管D2组成；本实用新型专利技术通过设计信号处理耐高压动态补偿电路来实现开关的耐高压自动补偿功能：即通过设置差分耐高压自动补偿电路，耐高压自动补偿电路及程序，会跟进自检外部压强的大小，自动补偿调节，保证稳定可靠检测识别；同时，通过采用耐高压材料制作的耐高压屏蔽层使探头本体抗高压性能提高，从而避免开关破裂。

Enhanced high voltage proximity switch

The utility model relates to an enhanced high-voltage proximity switch, which comprises a probe body with an induction electrode and a high-voltage shielding layer. The proximity switch also comprises a high-frequency LC oscillation circuit, an F/V conversion circuit, a signal processing high-voltage dynamic compensation circuit and a digital signal output circuit, wherein the signal processing is resistant to high-voltage. The high-voltage dynamic compensation circuit is composed of operational amplifier, capacitor C2, C3, C4, resistor R8, R9, R13, adjustable resistor R15 and light-emitting diode D2; the utility model realizes the high-voltage automatic compensation function of the switch by designing the signal processing high-voltage dynamic compensation circuit, that is, by setting the differential high-voltage automatic compensation circuit. The high voltage automatic compensation circuit and program can follow up the magnitude of the external pressure of the self-test, automatically compensate and adjust to ensure stable and reliable detection and identification; at the same time, the anti-high voltage shielding layer made of high-voltage resistant material can improve the anti-high voltage performance of the probe body, thereby avoiding the breakdown of the switch.

【技术实现步骤摘要】
增强型耐高压接近开关
：本技术属于工业自动化行业非接触式接近开关
，特指一种增强型耐高压接近开关。
技术介绍
：在有高压强(有时高达500bar)的场合，普通的接近开关因没有耐高压补偿电路，会受到高压力的影响，会导致检测识别不稳定，甚至失效。而且普通的接近开关感应头，由于没有特殊设计以及耐高压材料，会导致接近开关本体破裂而损坏。
技术实现思路
：本技术的目的即在于克服现有技术的上述不足之处，提供一种增强型耐高压接近开关。本技术采用的技术方案是：一种增强型耐高压接近开关，其包括内设感应电极和耐高压屏蔽层的探头本体，其中：该接近开关还包括高频LC振荡电路、F/V转换电路、信号处理耐高压动态补偿电路和数字信号输出电路，其中，所述的高频LC振荡电路由第一比较器、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6组成，其中，第一比较器的正输入端连接电阻R2，电阻R2与R1串联后接电源；第一比较器的负输入端连接电阻R4；电阻R5、R6串联后中间公共端与电阻R4连接，电阻R6的外端接地，电阻R5的外端接电源；电阻R3的一端亦连接第一比较器的负输入端，另一端则连接第一比较器的输出端；所述的高频LC振荡电路的第一比较器的输出端通过一电阻R7连接F/V转换电路，所述F/V转换电路是由第二比较器、电容C1、电阻R10和发光二极管D1组成；其中，第二比较器的正输入端连接电阻R7，电容C1的一端也与第二比较器的正输入端连接，另一端接地；电阻R10与发光二极管D1串联，电阻R10的外端与第二比较器的输出端连接，发光二极管D1的外端接地；所述信号处理耐高压动态补偿电路是由运算放大器、电容C2、C3、C4、电阻R8、R9、R13、可调电阻R15和发光二极管D2组成；其中，运算放大器的正输入端连接电阻R13，电阻R13与电容C2串联后电容C2的外端与高频LC振荡电路中的电阻R5、R6的公共端连接；可调电阻R15的一端与运算放大器的负输入端连接，另一端与电容C4串联后接地；电阻R8、R9、发光二极管D2依次串联，电阻R8外端接电源，电阻R8、R9公共端与运算放大器的输出端连接，电阻R9、发光二极管D2的公共端与可调电阻R15的调节端连接，发光二极管D2的外端接地；电容C3两端分别连接电容C4的接地端和发光二极管D2的接地端；运算放大器的输出端还通过电阻R12与F/V转换电路中第二比较器的负输入端连接；所述数字信号输出电路是由三极管Q、二极管D4和电阻R11组成，其中，三极管Q的发射极与所述第二比较器的输出端连接，并连接电阻R11，电阻R11的另一端接电源；三极管Q的基极连接第二比较器的第4接脚；三极管Q的集电极连接数字信号输出端口；二极管D4的两端分别连接三极管Q的发射极和集电极。本技术通过设计信号处理耐高压动态补偿电路来实现开关的耐高压自动补偿功能：即通过设置差分耐高压自动补偿电路，耐高压自动补偿电路及程序，会跟进自检外部压强的大小，自动补偿调节，保证稳定可靠检测识别；同时，通过采用耐高压材料制作的耐高压屏蔽层使探头本体抗高压性能提高，从而避免开关破裂。附图说明：图1是本技术接近开关的结构框图；图2是本技术接近开关的电路图；图3是本技术接近开关的测距效果图。具体实施方式：下面结合具体实施例和附图对本技术进一步说明。如图1～图3所示，本技术所述的一种增强型耐高压接近开关，其包括内设感应电极11和耐高压屏蔽层12的探头本体1，其中：该接近开关还包括高频LC振荡电路2、F/V转换电路3、信号处理耐高压动态补偿电路4和数字信号输出电路5，其中，所述的高频LC振荡电路2由第一比较器21、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6组成，其中，第一比较器21的正输入端连接电阻R2，电阻R2与R1串联后接电源；第一比较器21的负输入端连接电阻R4；电阻R5、R6串联后中间公共端与电阻R4连接，电阻R6的外端接地，电阻R5的外端接电源；电阻R3的一端亦连接第一比较器21的负输入端，另一端则连接第一比较器的输出端；所述的高频LC振荡电路2的第一比较器21的输出端通过一电阻R7连接F/V转换电路3，所述F/V转换电路3是由第二比较器31、电容C1、电阻R10和发光二极管D1组成；其中，第二比较器31的正输入端连接电阻R7，电容C1的一端也与第二比较器31的正输入端连接，另一端接地；电阻R10与发光二极管D1串联，电阻R10的外端与第二比较器31的输出端连接，发光二极管D1的外端接地；所述信号处理耐高压动态补偿电路4是由运算放大器41、电容C2、C3、C4、电阻R8、R9、R13、可调电阻R15和发光二极管D2组成；其中，运算放大器41的正输入端连接电阻R13，电阻R13与电容C2串联后电容C2的外端与高频LC振荡电路中的电阻R5、R6的公共端连接；可调电阻R15的一端与运算放大器41的负输入端连接，另一端与电容C4串联后接地；电阻R8、R9、发光二极管D2依次串联，电阻R8外端接电源，电阻R8、R9公共端与运算放大器41的输出端连接，电阻R9、发光二极管D2的公共端与可调电阻R15的调节端连接，发光二极管D2的外端接地；电容C3两端分别连接电容C4的接地端和发光二极管D2的接地端；运算放大器41的输出端还通过电阻R12与F/V转换电路3中第二比较器31的负输入端连接；所述数字信号输出电路5是由三极管Q、二极管D4和电阻R11组成，其中，三极管Q的发射极与所述第二比较器31的输出端连接，并连接电阻R11，电阻R11的另一端接电源；三极管Q的基极连接第二比较器31的第4接脚；三极管Q的集电极连接数字信号输出端口；二极管D4的两端分别连接三极管Q的发射极和集电极。本技术通过设计信号处理耐高压动态补偿电路来实现开关的耐高压自动补偿功能：即通过设置差分耐高压自动补偿电路，耐高压自动补偿电路及程序，会跟进自检外部压强的大小，自动补偿调节，保证稳定可靠检测识别；同时，通过采用耐高压材料制作的耐高压屏蔽层使探头本体抗高压性能提高，从而避免开关破裂。本技术可以实现对有高压强的密闭容器里面物体实现准确检测识别；也可以实现对油缸，液压缸活塞位置实现准确检测识别。而且本技术接近开关成本很低，实现低成本的社会效益。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强型耐高压接近开关，其包括内设感应电极和耐高压屏蔽层的探头本体，其特征在于：该接近开关还包括高频LC振荡电路、F/V转换电路、信号处理耐高压动态补偿电路和数字信号输出电路，其中，所述的高频LC振荡电路由第一比较器、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6组成，其中，第一比较器的正输入端连接电阻R2，电阻R2与R1串联后接电源；第一比较器的负输入端连接电阻R4；电阻R5、R6串联后中间公共端与电阻R4连接，电阻R6的外端接地，电阻R5的外端接电源；电阻R3的一端亦连接第一比较器的负输入端，另一端则连接第一比较器的输出端；所述的高频LC振荡电路的第一比较器的输出端通过一电阻R7连接F/V转换电路，所述F/V转换电路是由第二比较器、电容C1、电阻R10和发光二极管D1组成；其中，第二比较器的正输入端连接电阻R7，电容C1的一端也与第二比较器的正输入端连接，另一端接地；电阻R10与发光二极管D1串联，电阻R10的外端与第二比较器的输出端连接，发光二极管D1的外端接地；所述信号处理耐高压动态补偿电路是由运算放大器、电容C2、C3、C4、电阻R8、R9、R13、可调电阻R15和发光二极管D2组成；其中，运算放大器的正输入端连接电阻R13，电阻R13与电容C2串联后电容C2的外端与高频LC振荡电路中的电阻R5、R6的公共端连接；可调电阻R15的一端与运算放大器的负输入端连接，另一端与电容C4串联后接地；电阻R8、R9、发光二极管D2依次串联，电阻R8外端接电源，电阻R8、R9公共端与运算放大器的输出端连接，电阻R9、发光二极管D2的公共端与可调电阻R15的调节端连接，发光二极管D2的外端接地；电容C3两端分别连接电容C4的接地端和发光二极管D2的接地端；运算放大器的输出端还通过电阻R12与F/V转换电路中第二比较器的负输入端连接；所述数字信号输出电路是由三极管Q、二极管D4和电阻R11组成，其中，三极管Q的发射极与所述第二比较器的输出端连接，并连接电阻R11，电阻R11的另一端接电源；三极管Q的基极连接第二比较器的第4接脚；三极管Q的集电极连接数字信号输出端口；二极管D4的两端分别连接三极管Q的发射极和集电极。...

【技术特征摘要】
1.一种增强型耐高压接近开关，其包括内设感应电极和耐高压屏蔽层的探头本体，其特征在于：该接近开关还包括高频LC振荡电路、F/V转换电路、信号处理耐高压动态补偿电路和数字信号输出电路，其中，所述的高频LC振荡电路由第一比较器、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6组成，其中，第一比较器的正输入端连接电阻R2，电阻R2与R1串联后接电源；第一比较器的负输入端连接电阻R4；电阻R5、R6串联后中间公共端与电阻R4连接，电阻R6的外端接地，电阻R5的外端接电源；电阻R3的一端亦连接第一比较器的负输入端，另一端则连接第一比较器的输出端；所述的高频LC振荡电路的第一比较器的输出端通过一电阻R7连接F/V转换电路，所述F/V转换电路是由第二比较器、电容C1、电阻R10和发光二极管D1组成；其中，第二比较器的正输入端连接电阻R7，电容C1的一端也与第二比较器的正输入端连接，另一端接地；电阻R10与发光二极管D1串联，电阻R10的外端与第二比较器的输出端连接，发光二极管D1的外端接地；所述信号处理耐高压动态补偿电路是由运算...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕伟甲，唐丽，张涛，
申请(专利权)人：东莞市中昊自动化科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44