高压LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供一种高压LED芯片，所述高压LED芯片包括衬底、第一芯片、第二芯片和连接电极。所述第一芯片设置于所述衬底，所述第一芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层。所述第二芯片与所述第一芯片间隔设置，所述第二芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层。所述第一N型半导体层靠近所述第二芯片的侧面为第一侧面，所述第一侧面与所述衬底表面所成的夹角为30‑55度。所述连接电极覆盖于所述第一侧面和第二芯片靠近所述第一芯片的侧面。所述连接电极将所述第一N型半导体层与所述第二P型半导体层电连接且与所述第二发光层和第二N型半导体层电绝缘。

High voltage LED chip

The utility model provides a high-voltage LED chip, which comprises a substrate, a first chip, a second chip and a connecting electrode. The first chip is arranged on the substrate, and the first chip comprises a first N-type semiconductor layer, a first luminous layer and a first P-type semiconductor layer which are successively grown perpendicular to the substrate surface. The second chip is spaced with the first chip. The second chip comprises a second N-type semiconductor layer, a second luminous layer and a second P-type semiconductor layer which are successively grown perpendicular to the substrate surface. The side of the first N-type semiconductor layer near the second chip is the first side, and the angle between the first side and the substrate surface is 30_55 degrees. The connecting electrode covers the first side and the second chip near the side of the first chip. The connecting electrode electrically connects the first N type semiconductor layer with the second P type semiconductor layer and electrically insulates the second luminous layer and the second N type semiconductor layer.

【技术实现步骤摘要】
高压LED芯片
本技术涉及半导体光电芯片
，特别是涉及一种高压LED芯片。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)由于拥有高光效、低耗能、长寿命、无毒绿色等优点正逐步成为传统照明市场的主流照明光源，在景观照明、道路照明、室内照明等领域得到愈来愈多的应用。高压LED(High-VoltageLED)以其小电流驱动、简洁的驱动电路设计等优点逐渐成为照明领域的新突破。高压LED是指把一个大尺寸芯片的外延层通过刻蚀深沟槽的方式分割为多个独立的芯粒，并通过蒸镀电极连接桥的方式将各个芯粒以串联的方式连接起来而构成的LED芯片，由于单个芯粒的电压在20mA电流的驱动下为3V，因此，串联后获得的LED芯片的工作电压可以达到45-51V，故称为高压LED芯片。现有高压LED芯片隔离槽的角度多为大角度(大于55度)，金属互联覆盖在大角度隔离槽上容易过薄或者断裂，并且现有串联结构主要为单桥串联结构，这些使器件良率和可靠性上存在一定风险。
技术实现思路
基于此，有必要针对高压LED芯片的器件良率和可靠性低的问题，提供一种高压LED芯片。本技术提供一种高压LED芯片，所述高压LED芯片包括衬底、第一芯片、第二芯片和连接电极。所述第一芯片设置于所述衬底，所述第一芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层。所述第二芯片与所述第一芯片间隔设置，所述第二芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层。所述第一N型半导体层靠近所述第二芯片的侧面为第一侧面，所述第一侧面与所述衬底表面所成的夹角为30-55度。所述连接电极覆盖于所述第一侧面和第二芯片靠近所述第一芯片的侧面。所述连接电极将所述第一N型半导体层与所述第二P型半导体层电连接且与所述第二发光层和第二N型半导体层之间电绝缘。在其中一个实施例中，所述连接电极为多个，多个所述连接电极相互间隔设置。在其中一个实施例中，所述连接电极的一端覆盖所述第一N型半导体层的部分表面，并与所述第一发光层和所述第一P型半导体层间隔设置。在其中一个实施例中，所述高压LED芯片还包括第一绝缘层，设置于所述第二芯片靠近于所述第一芯片的侧面与所述连接电极之间。在其中一个实施例中，所述第一绝缘层覆盖所述第一侧面，并设置于所述第一侧面与所述连接电极之间。在其中一个实施例中，所述连接电极的另一端覆盖所述第二P型半导体层的部分表面。在其中一个实施例中，所述第一绝缘层的一端覆盖所述第二P型半导体层的部分表面，覆盖所述第二P型半导体层的所述第一绝缘层设置于所述第二P型半导体层和所述连接电极之间。在其中一个实施例中，所述高压LED芯片还包括第二透明导电层，所述第二透明导电层部分覆盖所述第二P型半导体层，部分设置于所述第一绝缘层和所述连接电极之间。在其中一个实施例中，所述高压LED芯片还包括第一透明导电层、第一P型电极、第二N型电极，所述第一透明导电层覆盖所述第一P型半导体层。所述第一P型电极设置于所述第一透明导电层表面，所述第一透明导电层设置于所述第一P型电极与所述第一P型半导体层之间。所述第二N型电极设置于所述第二N型半导体层表面。在其中一个实施例中，所述高压LED芯片还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一P型半导体层的部分表面，并设置于所述第一P型半导体层与所述第一透明导电层之间。在其中一个实施例中，所述第二芯片靠近所述第一芯片的侧面与所述衬底表面所成的夹角为30-55度。在本技术所提供的高压LED中，所述连接电极将所述第一N型半导体层和所述第二P型半导体层之间电连接，从而能够实现所述第一芯片和第二芯片的串联连接。将所述第一芯片中所述第一侧面与所述衬底表面的夹角设置为30-55度，这样通过减小所述第一侧面与所述衬底表面的夹角，能够增大所述第一侧面的倾斜程度，即隔离槽靠近所述第一芯片的倾斜程度，从而增大所述连接电极的侧壁厚度，从而可以有效解决互联金属覆盖在大角度隔离槽上容易过薄或者断裂的问题，进而提高器件良率和可靠性。附图说明图1为本技术高压LED芯片结构的部分剖面示意图；图2为本技术高压LED芯片的第一侧面示意图；图3为本技术高压LED芯片的多连接串联俯视图；图4为本技术高压LED芯片的高压LED芯片的整体剖面示意图。附图标记说明10：衬底210：第一芯片211：第一N型半导体层212：第一发光层213：第一P型半导体层214：第一P型电极220：第二芯片221：第二N型半导体层222：第二发光层223：第二P型半导体层224：第二N型电极30：第一侧面40：连接电极50：第一绝缘层51：第二绝缘层60：第一透明导电层61：第二透明导电层70：保护层100：高压LED芯片具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本技术的高压LED芯片进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参见图1、2，本技术提供一种高压LED芯片100，包括衬底10、第一芯片210、第二芯片220以及连接电极40。所述第一芯片210设置于所述衬底10，所述第一芯片210包括垂直于所述衬底10表面依次生长的第一N型半导体层211、第一发光层212和第一P型半导体层213。与所述第一芯片210间隔设置的第二芯片220设置于所述衬底10，所述第二芯片220包括垂直于所述衬底10表面依次生长的第二N型半导体层221、第二发光层222和第二P型半导体层223。所述第一N型半导体层211靠近所述第二芯片220的侧面为第一侧面30，所述第一侧面30与所述衬底10表面所成的夹角为30-55度。所述连接电极40覆盖于所述第一侧面30和所述第二芯片220靠近所述第一芯片210的侧面。所述连接电极40将所述第一N型半导体层211与所述第二P型半导体层223电连接，并且与所述第二发光层222和所述第二P型半导体层223电绝缘。所述第一芯片210和第二芯片220通过所述连接电极40串联连接，所述高压LED芯片100中串联的芯片的数量至少为两个，在此不做限定。所述第一侧面30与所述衬底10表面所成的夹角为30-55度，即所述第一侧面30远离所述衬底10的延伸方向与所述衬底10表面远离所述第二芯片220的延伸方向所成的夹角为30-55度，在本实施例中优选为45度。所述连接电极40的两端分别与所述第一N型半导体层211以及第二P型半导体层223电连接，并且与所述第二发光层222之间通过填充绝缘物实现电绝缘。所述连接电极40通过蒸镀沉积方法制得，当所述第一侧面30与所述衬底10表面所成的夹角越小，所述第一侧面30的倾斜程度越小，覆盖在所述第一侧面30的所述连接电极40的厚度则越大。所述连接电极40的数量至少为2个，考虑到所述连接电极40的个数越多，所述连接电极40所占的面积也会越多，会对所述高压LED芯片100的发光有一定遮挡，因此在本实施例中，优选为2个，在此不做限定。在本实施例中，所述连接电极40将所述第一N型半导体层211和所述第二P型半导体层223之间电连接，从而能够实现所述第一芯片210和第二芯片220本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压LED芯片(100)，其特征在于，包括：衬底(10)；第一芯片(210)设置于所述衬底(10)，所述第一芯片(210)包括垂直于所述衬底(10)表面依次生长的第一N型半导体层(211)、第一发光层(212)和第一P型半导体层(213)；与所述第一芯片(210)间隔设置的第二芯片(220)设置于所述衬底(10)，所述第二芯片(220)包括垂直于所述衬底(10)表面依次生长的第二N型半导体层(221)、第二发光层(222)和第二P型半导体层(223)；所述第一N型半导体层(211)靠近所述第二芯片(220)的侧面为第一侧面(30)，所述第一侧面(30)与所述衬底(10)表面所成的夹角为30‑55度；连接电极(40)，覆盖于所述第一侧面(30)和所述第二芯片(220)靠近所述第一芯片(210)的侧面，所述连接电极(40)将所述第一N型半导体层(211)与所述第二P型半导体层(223)电连接，并且与所述第二发光层(222)和所述第二P型半导体层(223)电绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种高压LED芯片(100)，其特征在于，包括：衬底(10)；第一芯片(210)设置于所述衬底(10)，所述第一芯片(210)包括垂直于所述衬底(10)表面依次生长的第一N型半导体层(211)、第一发光层(212)和第一P型半导体层(213)；与所述第一芯片(210)间隔设置的第二芯片(220)设置于所述衬底(10)，所述第二芯片(220)包括垂直于所述衬底(10)表面依次生长的第二N型半导体层(221)、第二发光层(222)和第二P型半导体层(223)；所述第一N型半导体层(211)靠近所述第二芯片(220)的侧面为第一侧面(30)，所述第一侧面(30)与所述衬底(10)表面所成的夹角为30-55度；连接电极(40)，覆盖于所述第一侧面(30)和所述第二芯片(220)靠近所述第一芯片(210)的侧面，所述连接电极(40)将所述第一N型半导体层(211)与所述第二P型半导体层(223)电连接，并且与所述第二发光层(222)和所述第二P型半导体层(223)电绝缘。2.根据权利要求1所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，所述连接电极(40)为多个，多个所述连接电极(40)相互间隔设置。3.根据权利要求1所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，所述连接电极(40)的一端覆盖所述第一N型半导体层(211)的部分表面，并与所述第一发光层(212)和所述第一P型半导体层(213)间隔设置。4.根据权利要求3所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，还包括第一绝缘层(50)，设置于所述第二芯片(220)靠近于所述第一芯片(210)的侧面与所述连接电极(40)之间。5.根据权利要求4所述的高压LED芯片(...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思博，简弘安，刘宇轩，陈顺利，丁逸圣，
申请(专利权)人：大连德豪光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁,21