The invention discloses a mask manufacturing method, which includes providing a substrate, covering a first material layer on the substrate, partially removing the first material layer, forming a second groove between the remaining first material layers, wherein the second groove contains a height, and then forming a second material layer to fill the second groove accordingly. The second material layer contains a thickness, the thickness of the second material layer is equal to the height of the second groove, and the second material layer is partially removed so that the remaining second material layer and the remaining first material layer form a second mask.
【技术实现步骤摘要】
掩模的制作方法
本专利技术涉及一种掩模的制作方法,特别是涉及一种制作上表面切齐的掩模的制作方法。
技术介绍
半导体制作工艺中,为了使芯片上各个电子元件之间拥有良好的隔离,以避免元件相互干扰而产生短路现象,一般采用区域氧化法(localizedoxidationisolation,LOCOS)或是浅沟槽隔离(shallowtrenchisolation,STI)方法来进行隔离与保护。由于LOCOS制作工艺中产生的场氧化层(fieldoxide)所占据芯片的面积太大,且生成过程会伴随鸟嘴现象的发生,因此,具有小尺寸隔离线宽、明确的主动区划分、均匀的隔离区深度、尺寸可调整以及绝佳的隔离区平坦架构等优点的浅沟槽隔离法,已渐渐成为目前半导体元件隔离技术的主流。在形成浅沟槽隔离沟槽时,需在基底上形成掩模作为定义浅沟槽隔离沟槽位置的图案,然而依照现今的制作工艺,经常形成上表面不切齐的掩模,造成后续在基底内所形成的浅沟槽隔离沟槽和原始设计的大小不同。
技术实现思路
根据本专利技术的第一优选实施例,一种掩模的制作方法,包含提供一基底,基底上覆盖一第一材料层,接着形成一第一掩模覆盖第一材料层,第一掩模包含多个次掩模,其中一第一沟槽设置于相邻的各个次掩模之间,然后以第一掩模为掩模部分移除第一材料层,使得剩余的第一材料层之间形成一第二沟槽,第二沟槽和第一沟槽共同组成一第三沟槽,其中第二沟槽包含一高度,第三沟槽包含二侧壁和一底部,之后形成一第二材料层顺应地填入第三沟槽,其中第二材料层包含一厚度,第二材料层的厚度等于第二沟槽的高度,最后移除接触第三沟槽的侧壁的第二材料层,然后完全移除第一 ...
【技术保护点】
1.一种掩模的制作方法,包含:提供一基底,该基底上覆盖一第一材料层;形成一第一掩模覆盖该第一材料层,该第一掩模包含多个次掩模,其中一第一沟槽设置于相邻的各该次掩模之间;以该第一掩模为掩模部分移除该第一材料层,使得剩余的该第一材料层之间形成一第二沟槽,该第二沟槽和该第一沟槽共同组成一第三沟槽,其中该第二沟槽包含一高度,该第三沟槽包含二侧壁和一底部;形成一第二材料层顺应地填入该第三沟槽,其中该第二材料层包含一厚度,第二材料层的该厚度等于该第二沟槽的该高度;以及移除接触该第三沟槽的该多个侧壁的该第二材料层以及完全移除该第一掩模,剩余的该第二材料层位于该第二沟槽内,其中剩余的该第二材料层和剩余的该第一材料层组成一第二掩模。
【技术特征摘要】
1.一种掩模的制作方法,包含:提供一基底,该基底上覆盖一第一材料层;形成一第一掩模覆盖该第一材料层,该第一掩模包含多个次掩模,其中一第一沟槽设置于相邻的各该次掩模之间;以该第一掩模为掩模部分移除该第一材料层,使得剩余的该第一材料层之间形成一第二沟槽,该第二沟槽和该第一沟槽共同组成一第三沟槽,其中该第二沟槽包含一高度,该第三沟槽包含二侧壁和一底部;形成一第二材料层顺应地填入该第三沟槽,其中该第二材料层包含一厚度,第二材料层的该厚度等于该第二沟槽的该高度;以及移除接触该第三沟槽的该多个侧壁的该第二材料层以及完全移除该第一掩模,剩余的该第二材料层位于该第二沟槽内,其中剩余的该第二材料层和剩余的该第一材料层组成一第二掩模。2.如权利要求1所述的掩模的制作方法,还包含:在形成该第二掩模后,形成一第三掩模覆盖该第二掩模,该第三掩模包含一开口,其中设置于该开口正下方的该第二掩模为一截断浅沟槽图案;以该第三掩模为掩模,移除该截断浅沟槽图案,以将该第二掩模转变为一第四掩模;移除该第三掩模;以及以该第四掩模为掩模,移除部分的该基底,形成多个浅沟槽隔离沟槽。3.如权利要求1所述的掩模的制作方法,其中该第一材料层的材料和该第二材料层的材料相同。4.如权利要求3所述的掩模的制作方法,其中该第一材料层包含氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。5.如权利要求1所述的掩模的制作方法,其中在移除接...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈界得,朱贤士,王程钰,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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