The invention discloses an ultrathin terahertz strong absorber. The terahertz strong absorber is composed of a metal film layer with a thickness of T1 and a semiconductor dielectric layer with a thickness of t2. There is a cylindrical air hole structure with a periodic distribution in the semiconductor dielectric layer. The radius of the cylindrical air hole is R and the period is a. Compared with the existing terahertz strong absorber based on electromagnetic metamaterial, the terahertz strong absorber has the characteristics of thin thickness, simple structure, high absorption rate and easy integration, and provides a new idea and method for the design of terahertz strong absorber.
【技术实现步骤摘要】
一种超薄的太赫兹强吸收体
本专利技术涉及太赫兹
，尤其涉及一种超薄的太赫兹强吸收体。
技术介绍
太赫兹波是指频率在0.1THz～10THz之间的电磁波，在电磁波谱中处于微波与红外之间，具有透视性，安全性，高光谱信噪比等优越性能。太赫兹波已经被广泛研究和探索在诸多
中的应用，研究发现，太赫兹波在光谱分析，目标成像，医学诊断，射电天文学，安全检测，材料检测和无线通信技术等领域有潜在的应用价值。随着技术的进步，目前太赫兹辐射源和探测技术得到了快速发展，然而太赫兹功能器件的发展相对滞后，例如调制器、偏振器、耦合器，尤其是强吸收体。迄今为止，最常见的太赫兹吸收体为超材料吸收体，此吸收体采用类似于“三明治”结构，对工艺要求高，制备过程复杂，加工成本高。为此本专利技术基于金属半导体双层叠加结构，提出了一种超薄、结构简单、易于集成的太赫兹强吸收体。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，针对现有基于电磁超材料构成的太赫兹强吸收体结构复杂、厚度偏厚、成本较高、集成难度大等技术不足，提出了一种超薄的太赫兹强吸收体。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提出一种超薄的太赫兹强吸收体。所述的太赫兹强吸收体由厚度为t1的金属薄膜层1和厚度为t2半导体介质层2叠加而成，所述的半导体介质层中有周期分布的圆柱空气孔结构，所述的圆柱空气孔的半径为r，周期为a。本专利技术提出的太赫兹强吸收体相比现有基于电磁超材料的太赫兹强吸收体，具有超薄，结构简单，吸收率高，易于集成等特点。进一步地、所述金属薄膜层的材料为贵金属，包括但不限于金、银和铜。进一步地、所述金属薄膜层的厚度t1...
【技术保护点】
1.一种超薄的太赫兹强吸收体，其特征在于所述太赫兹强吸收体由金属薄膜层1和半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层中有周期分布的圆柱空气孔结构。
【技术特征摘要】
1.一种超薄的太赫兹强吸收体，其特征在于所述太赫兹强吸收体由金属薄膜层1和半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层中有周期分布的圆柱空气孔结构。2.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述金属薄膜层的材料为贵金属。3.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述金属薄膜层的厚度t1大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：白晋军，葛梅兰，张曙升，孙晓东，常胜江，
申请(专利权)人：天津工业大学，
类型：发明
国别省市：天津,12
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