芯片的测试方法技术

本发明专利技术提供了一种芯片的测试方法，首先将修调量序列中的修调量从小到大依次写入一个芯片，以找出这块芯片的最优修调量，接下来将已测得的所有芯片的最优修调量的平均值取整作为写入下一块芯片的起始修调量，然后沿着平均修调量两侧交替写入修调量，不用再从小到大依次写入，可以用更少的时间找到后续芯片的最优修调量，所获得的测试结果更具可靠性和稳定性，并减少了测试的时间，提高程序测试效率。

Test method of chip

The invention provides a testing method for a chip. Firstly, the trimming amount in the trimming sequence is written into a chip from small to large in order to find out the optimal trimming amount of the chip. Next, the average value of the optimal trimming amount of all the chips measured is taken as the initial trimming amount of the next chip, and then the trimming amount is written along the chip. The test results are more reliable and stable. The test time is reduced and the program test efficiency is improved.

【技术实现步骤摘要】
芯片的测试方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种芯片的测试方法。
技术介绍
随着集成电路工艺和设计技术的发展，电路性能要求也越来越高，但电路性能通常会受到半导体制造工艺的影响，例如电流镜失配、电阻绝对偏差、电阻的温度系数、电阻电容失配、晶体管失配、由封装应力引入的漂移和输入失调电压等方面，而且这些误差是随机性的，因此为了提高集成电路的精度，需要对芯片进行修调测试。在芯片的修调测试中，需要根据测试数据选取合适的修调值，实际中可能有较多的修调值，传统的修调测试采用的方法是每颗芯片的修调值统一从0开始扫向末尾值，直至找到合适的修调值，这种修调测试方法耗时较长，在几十个或上百个修调值中选出一个较好的修调值，需要花费大量时间和精力，导致制造时间和成本上升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种芯片的测试方法，以解决现有的芯片测试需要花费大量的时间和精力，导致制造时间和成本上升等问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种芯片的测试方法，所述芯片的测试方法包括：L1：提供晶圆并确定一修调量序列，所述晶圆中形成有j个芯片，其中j>1，j为整数，执行步骤L2；L2：将所述修调量序列中的修调量从小到大依次写入第i芯片，以确定所述第i芯片的最优修调量，其中，0<i<j，i为整数，执行步骤L3；L3：将所述第i芯片的最优修调量作为写入第i+1芯片的起始修调量，再将所述修调量序列中的修调量沿着所述第i的芯片的最优修调量的两侧交替写入第i+1芯片，以确定所述第i+1芯片的最优修调量，执行步骤L4；L4：计算所有已测得的最优修调量的平均值并取整，得到平均修调量，执行步骤L5；L5：将所述平均修调量作为写入第i+2芯片的起始修调量，再将所述修调量序列中的修调量沿着所述平均修调量的两侧交替写入第i+2芯片，以确定所述第i+2芯片的最优修调量，执行步骤L6；L6：令i＝i+1，并执行步骤L4，直至j个芯片均测试完毕。可选的，所述修调量序列与一模拟量序列呈对应关系，所述修调量序列中的修调量与所述模拟量序列中的模拟量一一对应。可选的，所述修调量序列中相邻两个修调量之间间隔第一阈值。可选的，所述模拟量序列中相邻两个模拟量之间的间隔固定或者不固定。可选的，所述模拟量序列包括电压序列、电流序列中的至少一种。可选的，所述修调量序列为0-31，并且所述第一阈值为1。可选的，所述模拟量序列为0.4V-0.72V。可选的，所述芯片的测试方法还包括：将每个芯片的最优修调量保存在数据文件中。可选的，所述最优修调量和所述平均修调量均为所述修调序列中的修调量。可选的，将所述修调量序列中的所有修调量分别写入所述芯片后，若均无法确认所述芯片的最优修调量，则所述芯片不合格。在本专利技术提供的芯片的测试方法中，包括L1：提供晶圆并确定一修调量序列，所述晶圆中形成有j个芯片，其中j>1，j为整数，执行步骤L2；L2：将所述修调量序列中的修调量从小到大依次写入第i芯片，以确定所述第i芯片的最优修调量，其中，0<i<j，i为整数，执行步骤L3；L3：将所述第i芯片的最优修调量作为写入第i+1芯片的起始修调量，再将所述修调量序列中的修调量沿着所述第i的芯片的最优修调量的两侧交替写入第i+1芯片，以确定所述第i+1芯片的最优修调量，执行步骤L4；L4：计算所有已测得的最优修调量的平均值并取整，得到平均修调量，执行步骤L5；L5：将所述平均修调量作为写入第i+2芯片的起始修调量，再将所述修调量序列中的修调量沿着所述平均修调量的两侧交替写入第i+2芯片，以确定所述第i+2芯片的最优修调量，执行步骤L6；L6：令i＝i+1，并执行步骤L4，直至j个芯片均测试完毕。本专利技术提供的芯片的测试方法首先将修调量序列中的修调量从小到大依次写入一个芯片，以找出这块芯片的最优修调量，接下来将已测得的所有芯片的最优修调量的平均值取整作为写入下一块芯片的起始修调量，然后沿着平均修调量两侧交替写入修调量，不用再从小到大依次写入，可以用更少的时间找到后续芯片的最优修调量，所获得的测试结果更具可靠性和稳定性，并减少了测试的时间，提高了程序测试效率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的芯片的测试方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的测试第i芯片以确定第i芯片的最优修调量的方法；图3为本专利技术实施例提供的测试第i+1芯片以确定第i+1芯片的最优修调量的方法。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。参阅图1，其为本实施例提供的芯片的测试方法的流程图，如图1所示，所述芯片的测试方法包括：S1：提供晶圆并确定一修调量序列，所述晶圆中形成有j个芯片，其中j>1，j为整数，执行步骤S2；S2：将所述修调量序列中的修调量从小到大依次写入第i芯片，以确定所述第i芯片的最优修调量，其中，0<i<j，i为整数，执行步骤S3；S3：将所述第i芯片的最优修调量作为写入第i+1芯片的起始修调量，再将所述修调量序列中的修调量沿着所述第i的芯片的最优修调量的两侧交替写入第i+1芯片，以确定所述第i+1芯片的最优修调量，执行步骤S4；S4：计算所有已测得的最优修调量的平均值并取整，得到平均修调量，执行步骤S5；S5：将所述平均修调量作为写入第i+2芯片的起始修调量，再将所述修调量序列中的修调量沿着所述平均修调量的两侧交替写入第i+2芯片，以确定所述第i+2芯片的最优修调量，执行步骤S6；S6：令i＝i+1，并执行步骤S4，直至j个芯片均测试完毕。本实施例提供的芯片的测试方法首先将修调量序列中的修调量从小到大依次写入一个芯片，以找出这块芯片的最优修调量，接下来将已测得的所有芯片的最优修调量的平均值取整作为写入下一块芯片的起始修调量，然后沿着平均修调量两侧交替写入修调量，不用再从小到大依次写入，可以用更少的时间找到后续芯片的最优修调量，所获得的测试结果更具可靠性和稳定性，并减少了测试的时间，提高程序测试效率。首先，提供待测试的晶圆，所述晶圆中形成有j个芯片，其中j>1，j为整数，所述j个芯片中形成有各类器件结构和电路结构，本实施例中，所述芯片为Flash芯片(闪存)，接下来，对所述晶圆中的芯片进行模拟量修调测试(Trimming)。具体的，根据所述芯片的工艺参数确定一修调量序列，所述修调量序列中包含m(m>1)个修调量，并且所述修调量序列具有一固定的步进，即，每相邻的两个修调量之间间隔第一阈值k，例如，所述修调量序列为0-31之间的整数(所述修调量为0、1、2….31)，步进为1(第一阈值k＝1)。所述修调量序列与一模拟量序列呈对应关系，所述模拟量序列中也包含m个模拟量，并且所述模拟量序列可以具有一固定的步进，即，每相邻的两个模拟量之间间隔第二阈值h；或者，所述模拟量序列中相邻两个模拟量之间的间隔也可以是不固定的。本实施例中，所述模拟量序列为一电压序列，所述模拟量序列包括0.4V-0.72V之间的电压值(所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的测试方法，其特征在于，所述芯片的测试方法包括：L1：提供晶圆并确定一修调量序列，所述晶圆中形成有j个芯片，其中j>1，j为整数，执行步骤L2；L2：将所述修调量序列中的修调量从小到大依次写入第i芯片，以确定所述第i芯片的最优修调量，其中，0

【技术特征摘要】
1.一种芯片的测试方法，其特征在于，所述芯片的测试方法包括：L1：提供晶圆并确定一修调量序列，所述晶圆中形成有j个芯片，其中j>1，j为整数，执行步骤L2；L2：将所述修调量序列中的修调量从小到大依次写入第i芯片，以确定所述第i芯片的最优修调量，其中，0<i<j，i为整数，执行步骤L3；L3：将所述第i芯片的最优修调量作为写入第i+1芯片的起始修调量，再将所述修调量序列中的修调量沿着所述第i的芯片的最优修调量的两侧交替写入第i+1芯片，以确定所述第i+1芯片的最优修调量，执行步骤L4；L4：计算所有已测得的最优修调量的平均值并取整，得到平均修调量，执行步骤L5；L5：将所述平均修调量作为写入第i+2芯片的起始修调量，再将所述修调量序列中的修调量沿着所述平均修调量的两侧交替写入第i+2芯片，以确定所述第i+2芯片的最优修调量，执行步骤L6；L6：令i＝i+1，并执行步骤L4，直至j个芯片均测试完毕。2.如权利要求1所述的芯片的测试方法，其特征在于，所述修调量序列与一模拟量序列呈对...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱岚，郑鹏飞，李强，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31