The invention provides an overcurrent detection method for IGBT based on active clamp feedback type. The method includes: when the IGBT overcurrent occurs, the voltage spike occurs when the IGBT is turned off; when the voltage at both ends of the IGBT exceeds the breakdown voltage of the active clamp diode, the active clamp circuit works and the IGBT is clamped on the protection voltage effectively; The time of the current flowing through the TVS branch or the time when the clamping voltage exists during the active clamping operation is extracted and transmitted to the processor circuit; the processor counts the time and frequency of the signals transmitted by the detection circuit; when the processor circuit receives the time signal flowing through the TVS branch current or there is a clamping voltage When the time signal exceeds the setting time of the system, it can be determined that IGBT has overcurrent fault. The invention also provides a IGBT overcurrent detection device based on an active clamp feedback type.
【技术实现步骤摘要】
一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置及方法
本专利技术属于电力电子
,尤其涉及一种有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置及方法。
技术介绍
绝缘栅双极性晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor)IGBT广泛应用于电力电子电路装置中。在高压大功率应用中,IGBT往往承受较大电流,IGBT过流是造成IGBT器件损坏的重要原因。在实际应用中,由于负载过载,外部干扰,内部信号错误等原因,都会造成IGBT器件电流急剧增加,超过其容量限制,此时需要关断IGBT器件进行保护,以免IGBT过热损坏。目前IGBT器件的过流检测主要方法有三种:一、退饱和检测方法:借助器件导通压降与集电极电流之间的关系,通过检测器件端电压来实现;二、di/dt方法:检测IGBT开尔文发射极与功率发射极之间的寄生电感上的电压来进行。三、电流传感器方法:直接采用电流传感器,根据传感器的安装位置不同,可以安装在直流母线侧,或负载侧。通过软件评估是否存在过流。方法一和方法二主要针对于IGBT短路保护(过流的一种,故障回路阻抗非常小,电流上升率非常快)。时间一般在10us以内,此类短路电流较大,必须在短时间内将IGBT关断,否则会出现IGBT炸管事件。IGBT发生短路时,典型特征是发生退饱和行为,此时借助方法一可以有效检测。另外,IGBT发生短路的前期,电流上升率非常快,此时可以借助方法二进行检测。方法三主要针对过流回路阻抗较大场合,电流的上升率较缓,电流的上升率在辅助发射极电压也太小,同时过流值不足以使得IGBT产生退饱和行为。此类过流在短时间内不足以将损坏IG ...
【技术保护点】
1.一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置,其特征在于,包括:处理器电路,其用于接收PWM输入信号,驱动后面的推挽电路,同时对检测电路传递的信号的时间及次数进行统计,并上传给上位机;推挽电路,其用于将接收的PWM信号放大后驱动IGBT;有源钳位电路,其用于IGBT的过电压保护;以及检测电路,其用于检测所述有源钳位电路的动作信号并将该信号传给所述处理器电路。
【技术特征摘要】
1.一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置,其特征在于,包括:处理器电路,其用于接收PWM输入信号,驱动后面的推挽电路,同时对检测电路传递的信号的时间及次数进行统计,并上传给上位机;推挽电路,其用于将接收的PWM信号放大后驱动IGBT;有源钳位电路,其用于IGBT的过电压保护;以及检测电路,其用于检测所述有源钳位电路的动作信号并将该信号传给所述处理器电路。2.根据权利要求1所述的基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置,其特征在于:所述处理器电路采用可编程逻辑器件CPLD或者FPGA。3.根据权利要求1所述的基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置,其特征在于:所述推挽电路由互补的晶体管或MOS管组成。4.根据权利要求1所述的基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置,其特征在于:所述有源钳位电路由多个瞬变电压抑制二极管TVS和一个二极管串联组成。5.根据权利要求1所述的基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置,其特征在于:所述检测电路由电流型检测电路或电压型检测电路组成。6.根据权利要求5所述的基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置,其特征在于:所述电流型检测电路由电阻R1、R2、R3,二极管D2,稳压二极管Dz2和三极管Q1组成;其中,二极管D2的阳极接有源钳位电路中二极管D1的阳极,二极管D2的阴极接电阻R1的一端,电阻R1的另一端接稳压二极管Dz2的阴极,Dz2的阳极接参考地,同时稳压二极管Dz2的阴极接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极接地,三极管Q1的集电极的一端接电阻R3的一端,电阻R3的另一端接电源Vcc2,三极管Q1的集电极接到处理器电路的输入口。7.根据权利要求5所述的基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置,其特征在于:所述电压型检测电路由电阻R21、R22、R23、R24、R25,比较器U1和三极管Q2...
【专利技术属性】
技术研发人员:何凤有,耿程飞,张经纬,王强,
申请(专利权)人:中国矿业大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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