A method for adjusting the pinhole position in confocal microscopy system is proposed. By using the nonlinear absorption effect of phase change materials, the exact focal position of the system is determined by detecting the extreme value of the transmittance signal or the concave point of the reflectivity signal, and then the reflective photoprospecting in the confocal microscopy system is determined quickly and accurately according to the focal position. The pinhole position in the module is measured. The invention realizes fast and accurate determination of pinhole position in confocal microscopy system, achieves nano-level accuracy, and only needs a piece of coating material, and has low cost.
【技术实现步骤摘要】
共聚焦显微系统中针孔轴向位置的调节方法
本专利技术涉及共聚焦显微系统
,具体是一种基于相变材料的非线性吸收特性的中针孔位置的调试方法。
技术介绍
激光共聚焦显微镜是二十世纪80年代发展起来的一项具有划时代的高科技产品,它在荧光显微镜成像基础上加装了激光扫描装置,利用计算机进行图像处理,将光学成像的分辨率提高了30%-40%,已经被广泛运用在了医学、生物化学、材料学等等领域。传统光学显微镜是宽场成像,即利用物像关系实时的将样品一部分的图像反应在成像面上。激光共聚焦技术则是建立在扫描显微技术上的,扫描显微技术采用的是点扫描模式,它是将一束平行光束经过物镜聚焦到样品上,形成一个衍射极限大小的光斑,然后逐点扫描,利用探测器逐点接收返回光路中的反射信号,最后将信号转换成一幅图像。激光共聚焦技术与扫描显微技术最大的不同在于它在反射信号探测器前方设置了一个针孔,此针孔大小与物镜聚焦的衍射极限光斑相匹配,此针孔的设置不仅能够滤掉大部分杂散信号,而且由于位置大小与物镜匹配,可以实现高信噪比三维成像,因为针孔可以滤除来自聚焦点空间上下反射回来的杂散信号,这个功能使其广泛运用在了生物化学研究领域,最后,针孔的设置还能将横向分辨率调高30%-40%。激光共聚焦技术功能强大,运用广泛,很多实验室会针对不同的需要自己搭建激光共聚焦显微系统,此时针孔轴向位置的调节成为装置搭建的最难点,因为只有当入射光严格平行,且聚焦在样品表面刚好是其衍射极限大小的时候,反射光才是严格的平行光,在反射光路中将反射光聚焦,然后调节针孔的轴向位置,让在针孔后方的探测器检测到的信号最强的时候,才是真正的 ...
【技术保护点】
1.一种共聚焦显微系统中针孔位置的透射探测式调节方法,其特征在于该方法包括以下步骤:a)在盖玻片上用磁控溅射的方法镀上一层相变薄膜材料;b)将该盖玻片置于样品台上,利用一束功率密度小于5×109W/m2的平行光经过物镜聚焦照射该盖玻片;c)沿着入射光方向移动样品台,使盖玻片经过入射光焦点;d)通过探测器测量盖玻片透射光的光强信号,根据光强信号的极值判断焦点位置:当相变薄膜材料为饱和吸收材料时,选取光强信号曲线上的最大值作为焦点位置;当相变薄膜材料为反饱和吸收材料时,选取光强信号曲线上的最小值作为焦点位置;e)将盖玻片移动到焦点位置,此时调节光路反射探测模块中的针孔轴向位置,使针孔后方探测器接收到的光强最大,此时的针孔位置就是共聚焦系统要求的共轭位置。
【技术特征摘要】
1.一种共聚焦显微系统中针孔位置的透射探测式调节方法,其特征在于该方法包括以下步骤:a)在盖玻片上用磁控溅射的方法镀上一层相变薄膜材料;b)将该盖玻片置于样品台上,利用一束功率密度小于5×109W/m2的平行光经过物镜聚焦照射该盖玻片;c)沿着入射光方向移动样品台,使盖玻片经过入射光焦点;d)通过探测器测量盖玻片透射光的光强信号,根据光强信号的极值判断焦点位置:当相变薄膜材料为饱和吸收材料时,选取光强信号曲线上的最大值作为焦点位置;当相变薄膜材料为反饱和吸收材料时,选取光强信号曲线上的最小值作为焦点位置;e)将盖玻片移动到焦点位置,此时调节光路反射探测模块中的针孔轴向位置,使针孔后方探测器接收到的光强最大,此时的针孔位置就是共聚焦系统要求的共轭位置。2.根据权利要求1所述的一种共聚焦显微系统针孔位置的透射探测式调节方法,其特征在于,所述的步骤a)中的相变材料是Sb、Te、Sb2Te3、Sb70Te30、InSb、Ge2Sb2Te5、或AgInSbTe。3.根据权利要求1所述的一种共聚焦显微系统针孔位置的透射探测式调节方法,其特征在于,所述的步骤a)中的相变材料的厚度在10到100nm之间。4.根据权利要求1所述的一种共聚焦显微系统针孔位置的透射探测式调节...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁晨良,魏劲松,
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:上海,31
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