气体供应装置及方法制造方法及图纸

一种气体供应装置，包含一气体供应头、一第一盘体、一第二盘体以及一旋转致动器。第一盘体具有至少一开口。第一盘体的开口与第二盘体在气体供应头上的投影是重叠的。第二盘体包含多个扇形区域。该些扇形区域是沿着该第二盘体的角向方向排列的，该些扇形区域内的气孔分布不同。旋转致动器用以驱动第一盘体、第二盘体或其组合，使得第一盘体与第二盘体在角向方向上相对旋转。

Gas supply device and method

A gas supply device comprises a gas supply head, a first disc body, a second disc body and a rotating actuator. The first disc body has at least one opening. The opening of the first disk body is overlapped with the projection of the second disk body on the gas supply head. The second disk body contains a plurality of sector areas. The fan-shaped areas are arranged along the angular direction of the second disk, and the distribution of pores in these sectors is different. The rotating actuator is used to drive the first disc body, the second disc body or a combination thereof so that the first disc body and the second disc body rotate relative in the angular direction.

【技术实现步骤摘要】
气体供应装置及方法
本揭露涉及一种气体供应装置，且特别涉及一种气体供应装置及其气体供应方法。
技术介绍
在半导体制程中，普遍采用气体供应装置来提供适当的气体(例如气体前驱物)至基材上，以形成预定的元件。以磁阻随机存取记忆体(Magneto-resistiveRandomAccessMemory；MRAM)为例，磁阻随机存取记忆体通常包含磁穿遂接面(MagneticTunnelJunction；MTJ)结构。磁穿遂接面结构包含多个磁层或磁极，这些磁层或磁极是由非磁性绝缘层所隔开。此绝缘层可藉由对金属执行氧化制程所实现。一般的氧化制程是将欲氧化的基材放置于气体供应室中，接着对该基材提供适当的氧气，以形成适当的氧化物。
技术实现思路
在一些实施方式中，一种气体供应装置包含一气体供应头、一第一盘体、一第二盘体以及一旋转致动器。第一盘体具有至少一开口。第一盘体的开口与第二盘体在气体供应头上的投影是重叠的。第二盘体包含多个扇形区域。此些扇形区域是沿着该第二盘体的角向方向排列的，此些扇形区域内的气孔分布不同。旋转致动器用以驱动第一盘体、第二盘体或其组合，使得第一盘体与第二盘体在角向方向上相对旋转。在一些实施方式中，一种气体供应装置包含一气体供应头、一第一盘体、一第二盘体以及一旋转致动器。第一盘体包含多个气体遮挡部。此些气体遮挡部是沿着第一盘体的角向方向排列的，并定义一开口于其间。第二盘体包含多个局部区域。此些局部区域内的气孔分布不同。此些局部区域的一者与开口在气体供应头上的投影是重叠的。此些局部区域的另一者与此些气体遮挡部的一者在气体供应头上的投影是重叠的。旋转致动器用以驱动第一盘体、第二盘体或其组合，使得第一盘体与第二盘体在角向方向上相对旋转。在一些实施方式中，一种气体供应方法包含提供气体至位于一上盘体上方的一排气口；旋转位于上盘体下方的一下盘体，使得下盘体的一开口移动至上盘体的一第一局部区域；以及旋转下盘体，使得下盘体的开口移动至上盘体的一第二局部区域，其中第一局部区域与第二局部区域的气孔分布不同。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1绘示依据本揭露一些实施方式的薄膜形成装置的示意图；图2绘示依据本揭露一些实施方式的第一盘体的俯视图；图3绘示依据本揭露一些实施方式的可搭配第一盘体使用的第二盘体的俯视图；图4A至9A绘示第一盘体被旋转至不同方位时，第一盘体的开口所露出的第二盘体的局部区域的示意图；图4B至9B绘示与图4A至9A分别对应的晶圆上的气体分布图；图10绘示依据本揭露一些实施方式的气体供应方法的流程图；图11绘示依据本揭露一些实施方式的第一盘体的俯视图；图12绘示依据本揭露一些实施方式的可搭配第一盘体使用的第二盘体的俯视图；图13绘示依据本揭露一些实施方式的第一盘体的俯视图；图14绘示依据本揭露一些实施方式的可搭配第一盘体使用的第二盘体的俯视图；图15绘示依据本揭露一些实施方式的第二盘体的俯视图；图16绘示依据本揭露一些实施方式的第二盘体的俯视图。其中，附图标记10：晶圆保持载台11：基座12：静电吸盘20：驱动机构21：支撑转轴22：致动器30：靶电极31：阴极磁铁40：惰性气体源50：气体供应装置100、100a、100b：第一盘体101、101a、101b：开口101s：侧壁102、102a、102b：气体遮挡部200、200a、200b、200c、200d：第二盘体201、202、203、201a、202a、203a、201b、202b、203b、201c、202c、203c、201d、202d、203d：气孔201r、202r、203r：弧形壁201s、202s、203s：侧壁204、205、206：气体遮挡部207、208、209：辅助气孔300：气体供应头301：出口302：顶内壁400：旋转致动器500：供应头驱动机构510：供应头转轴511：气体输入管520：致动器600：气体源A1、A2：环状区域A3：圆形区域C：中心D1、D2：角向方向M：金属靶材R1、R2、R3、R1a、R2a、R3a、R1b、R2b、R3b、R1c、R2c、R3c、R1d、R2d、R3d：扇形区域S1、S2、S3、S4：步骤W：晶圆α：第一角距离β：第二角距离具体实施方式以下将以附图及详细说明清楚说明本揭露的精神，任何所属
中具有通常知识者在了解本揭露的实施方式后，当可由本揭露所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本揭露的精神与范围。举例而言，叙述「第一特征形成于第二特征上方或上」，于实施方式中将包含第一特征及第二特征具有直接接触；且也将包含第一特征和第二特征为非直接接触，具有额外的特征形成于第一特征和第二特征之间。此外，本揭露在多个范例中将重复使用元件标号以及/或文字。重复的目的在于简化与厘清，而其本身并不会决定多个实施方式以及/或所讨论的配置之间的关系。此外，方位相对词汇，如「在…之下」、「下面」、「下」、「上方」或「上」或类似词汇，在本文中为用来便于描述绘示于附图中的一个元件或特征至另外的元件或特征的关系。方位相对词汇除了用来描述装置在附图中的方位外，其包含装置于使用或操作下的不同的方位。当装置被另外设置(旋转90度或者其他面向的方位)，本文所用的方位相对词汇同样可相应地进行解释。可了解到，下文将以薄膜(例如：金属氧化物薄膜)形成制程做为范例，来协助说明本揭露的实施方式所提供的气体供应装置。但本揭露的实施方式所提供的气体供应装置并不限于应用在金属氧化物薄膜的形成制程中。举例来说，本揭露的实施方式所提供的气体供应装置亦可应用于化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition；CVD)或其他可导入气体的制程中。图1绘示依据本揭露一些实施方式的薄膜形成装置的示意图。如图1所示，薄膜形成装置可包含晶圆保持载台10。晶圆保持载台10可用以保持(或暂时性地固定)晶圆W于其上。晶圆保持载台10可包含基座11以及静电吸盘12。静电吸盘12是位于基座11上。基座11可具有温度控制特征于其中，举例来说，基座11中可具有冷却流道于其中，以供冷却剂在冷却流道中流动。静电吸盘12包含绝缘体与嵌入绝缘体中的电极。位于静电吸盘12上的晶圆W能够被电极所产生的静电力吸引而保持于静电吸盘12上。晶圆保持载台10还可包含加热器(未绘示)于其中，此加热器可包含，但不限于，发热电阻。因此，晶圆保持载台10除了能够保持晶圆W外，还可加热晶圆W。晶圆保持载台10的加热器可用以氧化沉积于晶圆W上的金属。也就是说，晶圆保持载台10可将形成于晶圆W上的金属薄膜转化为金属氧化物薄膜。举例来说，当金属为镁时，晶圆保持载台10可将晶圆W加热至约摄氏70度至摄氏230度。晶圆保持载台10连接驱动机构20。驱动机构20包含支撑转轴21以及致动器22。支撑转轴21的一端固定于晶圆保持载台10，而另一端连接致动器22。致动器22能够旋转及/或垂直移动(亦即，上下移动)支撑转轴21。晶圆保持载台10的中心轴与支撑转轴21可重合。当支撑转轴21旋转时，晶圆保持载台10能够以支撑转轴21为轴地旋转。当支撑转轴21垂直移动时，晶圆保持载台10可因而垂直移动。金属靶材M可被提供于晶圆保持载台10上方。在形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气体供应装置，其特征在于，包含：一气体供应头；一第一盘体，具有至少一开口；一第二盘体，该第一盘体的该开口与该第二盘体在该气体供应头上的投影是重叠的，该第二盘体包含多个扇形区域，该些扇形区域是沿着该第二盘体的角向方向排列的，该些扇形区域内的气孔分布不同；以及一旋转致动器，用以驱动该第一盘体、该第二盘体或其组合，使得该第一盘体与该第二盘体在该角向方向上相对旋转。

【技术特征摘要】
1.一种气体供应装置，其特征在于，包含：一气体供应头；一第一盘体，具有至少一开口；一第二盘体，该第一盘体的该开口与该第二盘体在该气体供应头上的投影是重叠的，该第二盘体包含多个扇形区域，该些扇形区域是沿着该第二盘体的角向方向排列的，该些扇形区域内的气孔分布不同；以及一旋转致动器，用以驱动该第一盘体、该第二盘体或其组合，使得该第一盘体与该第二盘体在该角向方向上相对旋转。2.根据权利要求1所述的气体供应装置，其特征在于，该些扇形区域分别具有多个气孔，且相邻的该些扇形区域的该些气孔至第二盘体的中心的距离不同。3.根据权利要求2所述的气体供应装置，其特征在于，该些气孔的至少一者的相对两侧壁所定义的圆心角，实质上等于该开口的相对两侧壁所定义的圆心角。4.根据权利要求2所述的气体供应装置，其特征在于，该些扇形区域分别具有多个辅助气孔，该些辅助气孔与该些气孔的尺寸、排列密度、或其组合不同。5.根据权利要求2所述的气体供应装置，其特征在于，该至少一开口的数量为多个，相邻的该些开口相隔一第一角距离，该些气孔的其中两者相隔一第二角距离，该第一角距离与该第二角距离实质上相等，且相隔该第二角距离的该两气孔至该第二盘体的该...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乾铭，陈俊吉，林世杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71