可变阈值的反馈电路、耗材芯片、耗材制造技术

本发明专利技术涉及打印机耗材技术领域，尤其涉及可变阈值的反馈电路、耗材芯片、耗材。包括：控制单元；反馈模块，包括并联在输出端和地之间的四种不同的反馈单元；所述反馈单元，包括串联在所述输出端和所述地之间的选通元件和反馈元件；所述控制单元，与各所述反馈单元的选通元件电连接，使得所述反馈模块选择所述其中一个所述反馈单元的电信号输出至所述输出端。通过选用不同的反馈单元可以产生不同的反馈电压，来响应成像设备的验证要求，使得耗材能够通过成像设备的验证。

【技术实现步骤摘要】
可变阈值的反馈电路、耗材芯片、耗材
本专利技术涉及打印机耗材
，尤其涉及可变阈值的反馈电路、耗材芯片、耗材。
技术介绍
耗材安装在成像设备上时，需要通过成像设备的上机认证、以及成像操作过程中的认证才能够被允许被使用。为了通过成像设备的认证，耗材需要按照成像设备的认证机制对成像设备进行反馈响应，如果耗材没有反馈给成像设备其预期的结果，则会导致耗材无法在该成像设备上使用。耗材包括用于响应成像设备的多个反馈模块，耗材需要根据成像设备的要求，选择成像设备指定的反馈模块输出反馈电压以响应成像设备的验证要求。成像设备为了验证耗材的合法性，会进行多次上述验证过程，并且成像设备只有在其发起的所有上述验证过程均合法时，才会认为耗材合法。
技术实现思路
本专利技术为解决上述技术问题，本专利技术提供一种可变阈值的反馈电路，其特征在于，包括：控制单元；反馈模块，包括并联在输出端和地之间的四种不同的反馈单元；所述反馈单元，包括串联在所述输出端和所述地之间的选通元件和反馈元件；所述控制单元，与各所述反馈单元的选通元件电连接，使得所述反馈模块选择所述其中一个所述反馈单元的电信号输出至所述输出端；第一种反馈单元的反馈元件为第一反馈晶体管，并且当所述第一种反馈单元被选中时，输出所述第一反馈晶体管的漏极电压；第二种反馈单元的反馈元件为第二反馈晶体管，并且当所述第二种反馈单元被选中时，输出所述第二反馈晶体管的漏极电压；第三种反馈单元的反馈元件由串联的第三反馈晶体管、直流电源组成，并且当所述第三种反馈单元被选中时，输出所述第三反馈晶体管的漏极电压与所述直流电源电源之和；第四种反馈单元的反馈元件为第四反馈晶体管，所述第四反馈晶体管的栅极接地，使得所述第四种反馈单元被选中时，所述第四种反馈单元中的电流为0；所述第一反馈晶体管的宽长比与所述第二反馈晶体管的宽长比不同。上述技术方案中，选用不同的反馈单元可以产生不同的反馈电压，来响应成像设备的验证要求，使得耗材能够通过成像设备的验证。作为优选，所述第一反馈晶体管、所述第二反馈晶体管、所述第三反馈晶体管和所述第四反馈晶体管为普通MOS晶体管。普通MOS晶体管的制作工艺简单，生产及制造成本低。作为优选，所述第一反馈晶体管为NMOS管，所述第一反馈晶体管的栅极连接至所述输出端，所述第一反馈晶体管的漏极连接至所述输出端，所述第一反馈晶体管的源极连接至与对应的选通元件。作为优选，所述第二反馈晶体管为NMOS管，所述第二反馈晶体管的栅极连接至所述输出端，所述第二反馈晶体管的漏极连接至所述输出端，所述第二反馈晶体管的源极连接至对应的选通元件。作为优选，所述第三反馈晶体管为NMOS管，所述第三反馈晶体管的栅极连接至所述输出端，所述第三反馈晶体管的漏极连接至所述输出端，所述第三反馈晶体管的源极连接至所述直流电流的正极，所述直流电源的负极连接至对应的选通元件。作为优选，所述第四反馈晶体管为NMOS管，所述第四反馈晶体管的漏极连接至所述输出端，所述第四反馈晶体管的源极连接至对应的选通元件。作为优选，所述反馈模块具有多个，并且多个所述反馈模块相互并联。通过多个所述反馈模块的组合可以实现更多的反馈电压值，使得耗材有更加宽的反馈电压范围。作为优选，所述控制单元为译码器。作为优选，所述选通元件串联设置在所述反馈元件和所述地之间；所述选通元件包括第一选通晶体管和第二选通晶体管；所述第一选通晶体管的漏极连接所述反馈元件，所述第一选通晶体管的源极连接所述第二选通晶体管的漏极，所述第二选通晶体管的源极接地；所述第一选通晶体管和所述第二选通晶体管的栅极连接至所述控制单元的控制输出端。本专利技术还提供一种耗材芯片，其特征在于：包括存储单元、以及上述任一项所述的反馈电路，所述存储单元连接至所述控制单元的控制输入端。上述技术方案中，所述耗材芯片的反馈电路能够选用不同的反馈单元产生不同的反馈电压，来响应成像设备的验证要求，使得耗材能够通过成像设备的验证。本专利技术还提供一种耗材芯片，其特征在于：包括耗材容器、以及上述的耗材芯片，所述耗材芯片安装在所述耗材容器上。上述技术方案中，所述耗材的耗材芯片能够产生不同的反馈电压，来响应成像设备的验证要求，使得所述耗材能够通过成像设备的验证。附图说明图1本专利技术的反馈电路与成像设备的连接示意图。图2本专利技术的反馈电路示意图。图3本专利技术实施例一的反馈电路。图4本专利技术实施例一的反馈模块的四种状态下的等效电路图。图5本专利技术实施例二的反馈电路。图6本专利技术实施例二的反馈模块四种状态下的等效电路图。图7本专利技术实施例三的反馈电路。图8本专利技术实施例三的反馈模块四种状态下的等效电路图。图9二极管的等效实施方式示意图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的实施方式进行详细描述。本具体实施例仅仅是对本专利技术的解释，其并不是对专利技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本专利技术的权利要求范围内都收到专利法的保护。一种耗材，包括用于容纳耗材的耗材容器，以及安装在耗材容器上的耗材芯片。耗材通过耗材芯片与成像设备进行通信，发送耗材数据至成像设备、响应成像设备的控制命令。如图1所示，成像设备通过控制器101控制读写控制电路来切换对耗材芯片的读操作和写操作。成像设备对耗材进行验证时处于读操作状态下。耗材芯片包括反馈电路。反馈电路的输出端OUT通过信号线ID连接至成像设备，成像设备读取信号线ID上的反馈电压对耗材芯片进行验证。如图1所示，反馈电路包括译码器201和N组反馈模块2021。反馈模块2021由并联在其输出端和地之间的四种反馈单元组成，如图2：（1）反馈单元a：反馈单元a包括三个普通的NMOS管MN11、MN12、MN1。其中，MN11的栅极与漏极短接到输出端OUT，MN11的源极与MN12的漏极相连，MN12的栅极连接至译码电路201的输出端WL1、受输出端WL1控制，MN12的源极与MN13的漏极相连，MN13的栅极连接至译码电路201的输出端WL2、受输出端WL2，MN13的源极接地。当译码电路201只控制输出端WL1和BL1输出高电平、其他输出端都输出电平时，成像设备的电源电压103通过读写控制电路至通过反馈单元a流入地线。这时，耗材芯片的输出端OUT的电流受MN11的驱动能力限制：其中：Idmax为此时信号线ID的最大电流；Kn为NMOS管的跨导参数；A3为MN11的宽长比；VID为信号线ID上的电压；Vth为NMOS管的阈值电压。当成像设备对耗材进行验证时，信号线ID上的电压为：（2）反馈单元b：反馈单元b包含三个普通的NMOS管M21、MN22、MN23;其中MN21的栅极和漏极短接到输出端OUT，MN21的源极与MN22的漏极相连，MN22的栅极连接至译码电路201的输出端WL2、受输出端WL2控制，MN22的源极与MN23的漏极相连，MN23的栅极连接至译码电路201的输出端BL2、受输出端BL2控制，MN23的源极接地。反馈单元b与反馈单元a的结构相似，但是反馈单元b中MN21的宽长比与反馈单元a中MN11的宽长比不一致。当译码电路201只控制输出端WL2和BL2输出高电平、其他输出端都输出电平时，成像设备的电源电压103通过读写控制电路至通过反馈单元b流入地线。这时，耗材芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可变阈值的反馈电路，其特征在于，包括：控制单元；反馈模块，包括并联在其输出端和地之间的四种不同的反馈单元；所述反馈单元，包括串联在所述输出端和所述地之间的选通元件和反馈元件；所述控制单元，与各所述反馈单元的选通元件电连接，使得所述反馈模块选择其中一个所述反馈单元的电信号输出至所述输出端；第一种反馈单元的反馈元件为第一反馈晶体管，并且当所述第一种反馈单元被选中时，输出所述第一反馈晶体管的漏极电压；第二种反馈单元的反馈元件为第二反馈晶体管，并且当所述第二种反馈单元被选中时，输出所述第二反馈晶体管的漏极电压；第三种反馈单元的反馈元件由串联的第三反馈晶体管、直流电源组成，并且当所述第三种反馈单元被选中时，输出所述第三反馈晶体管的漏极电压与所述直流电源电源之和；第四种反馈单元的反馈元件为第四反馈晶体管，所述第四反馈晶体管的栅极接地，使得所述第四种反馈单元被选中时，所述第四种反馈单元中的电流为0；所述第一反馈晶体管的宽长比与所述第二反馈晶体管的宽长比不同。

【技术特征摘要】
1.一种可变阈值的反馈电路，其特征在于，包括：控制单元；反馈模块，包括并联在其输出端和地之间的四种不同的反馈单元；所述反馈单元，包括串联在所述输出端和所述地之间的选通元件和反馈元件；所述控制单元，与各所述反馈单元的选通元件电连接，使得所述反馈模块选择其中一个所述反馈单元的电信号输出至所述输出端；第一种反馈单元的反馈元件为第一反馈晶体管，并且当所述第一种反馈单元被选中时，输出所述第一反馈晶体管的漏极电压；第二种反馈单元的反馈元件为第二反馈晶体管，并且当所述第二种反馈单元被选中时，输出所述第二反馈晶体管的漏极电压；第三种反馈单元的反馈元件由串联的第三反馈晶体管、直流电源组成，并且当所述第三种反馈单元被选中时，输出所述第三反馈晶体管的漏极电压与所述直流电源电源之和；第四种反馈单元的反馈元件为第四反馈晶体管，所述第四反馈晶体管的栅极接地，使得所述第四种反馈单元被选中时，所述第四种反馈单元中的电流为0；所述第一反馈晶体管的宽长比与所述第二反馈晶体管的宽长比不同。2.根据权利要求1所述的一种可变阈值的反馈电路，其特征在于：所述第一反馈晶体管、所述第二反馈晶体管、所述第三反馈晶体管和所述第四反馈晶体管为普通MOS晶体管。3.根据权利要求1所述的一种可变阈值的反馈电路，其特征在于：所述第一反馈晶体管为NMOS管，所述第一反馈晶体管的栅极连接至所述输出端，所述第一反馈晶体管的漏极连接至所述输出端，所述第一反馈晶体管的源极连接至与对应的选通元件。4.根据权利要求1所述的一种可变阈值的反馈电路，其特征在于：所述第二反馈晶体管为NMOS管，所述第二反馈晶体管的栅极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡容铭，
申请(专利权)人：杭州旗捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33