一种高压启动电路结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高压启动电路结构，其电路结构设计简单合理，可以自关断，启动和关断速度超快速，可大大降低功耗，有效防止MOS管损坏问题的出现，其包括电阻R1、R2，电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV，电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN，三极管Q1的集电极分别连接电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极，三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极分别连接NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC，电容C1的另一端与NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。

A high voltage start circuit structure

The utility model provides a high voltage start circuit structure. Its circuit structure is simple and reasonable, it can turn off and turn off and turn off speed ultra fast. It can greatly reduce power consumption and effectively prevent the occurrence of MOS tube damage. It includes resistance R1, R2, resistance R1, R2 connection high voltage source HV, resistance R1 The other end connects the base pole of the triode Q1, the drain D of the NMOS field effect tube Q3, the energy port IN, the collector of the triode Q1, respectively connected to the other end of the resistance R2, the collector of the triode Q2, the base of the tri pole transistor Q2 of the tri transistor Q1, and the Q2 emitter of the triode transistor, which is connected to the substrate of the NMOS field effect tube. One end of capacitance C1, the DC voltage source VCC, and the other end of capacitance C1 are connected with the gate g of NMOS FET Q3 and the source s after grounding.

【技术实现步骤摘要】
一种高压启动电路结构
本技术涉及电路启动装置
，具体为一种高压启动电路结构。
技术介绍
目前，LED灯的开关电源常需要采用高压作为启动电源，常见的LED灯开关电源芯片的高压启动电路主要采用外置启动电阻的方法。采用外置启动电阻的方式启动LED的开关电源后，启动电路不能自关断，需要增加额外的关断装置来实现电路的关断，这种方式不仅关断速度慢，使系统待机时间拉长，而且线路及电子元件的增加，不仅使整个电路结构复杂化，而且使整个启动电路的功耗偏大。由于启动电压高、启动电流大，电路不能迅速关断，产生的高热量极易使MOS管损坏。如果要降低这部分功耗，就需要增加额外的电阻来降低功耗，这样又会使整个电路系统的启动时间大大延长，因此，专利技术一种可自关断、超快速、低功耗的高压启动电路成为我们亟待解决的问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的关断速度慢、功耗大、电路结构复杂、MOS管易损坏、启动时间长等问题，本技术提供了一种高压启动电路结构，其电路结构设计简单合理，可以自关断，启动和关断速度超快速，可大大降低功耗，有效防止MOS管损坏问题的出现。一种高压启动电路结构，其包括电阻R1、R2，所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV，其特征在于，所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN，所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极分别连接所述NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC，所述电容C1的另一端与所述NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。将本技术应用于LED灯的开关电源启动，电阻R1、R2的作用为限流，系统上电之初，电容C1两端电压为0V，这时LED驱动芯片不工作，随着时间的推移，高压源HV通过电阻R1、三极管Q1、Q2给电容C1快速充电，并且电流通过三极管Q1、Q2得到放大，当C1两端的电压达到NMOS场效应管Q3的开启电压时，三极管Q1，Q2关断。启动电路完成了启动工作，并自动进入低功耗状态，NMOS场效应管Q3的功耗为HV2/R1。可见，该启动电路结构简单，可以实现自关断，并且启动速度快，功耗主要由NMOS场效应管Q3产生，在有效防止NMOS场效应管Q3损坏的同时，大大降低了整个开关电源系统的功耗。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式如图1所示，一种高压启动电路结构，其包括电阻R1、R2，所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV，其特征在于，所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN，所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极分别连接所述NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC，所述电容C1的另一端与所述NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。其具体工作原理如下所述：系统上电之初，电容C1两端电压为0V，这时LED驱动芯片不工作，随着时间的推移，高压源HV通过电阻R1、三极管Q1、Q2给电容C1快速充电，并且电流通过三极管Q1、Q2得到放大，当C1两端的电压达到NMOS场效应管Q3的开启电压时，三极管Q1，Q2关断。启动电路完成了启动工作，并自动进入低功耗状态。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压启动电路结构，其包括电阻R1、R2，所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV，其特征在于，所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN，所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极分别连接所述NMOS场效应管Q3的衬底p、电容C1一端、直流电压源VCC，所述电容C1的另一端与所述NMOS场效应管Q3的柵极g、源极s连接后接地。

【技术特征摘要】
1.一种高压启动电路结构，其包括电阻R1、R2，所述电阻R1、R2的一端连接后连接高压源HV，其特征在于，所述电阻R1的另一端分别连接三极管Q1的基极、NMOS场效应管Q3的漏极d、使能端口IN，所述三极管Q1的集电极分别连接所述电阻R2的另...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴坚，
申请(专利权)人：无锡昌至盛机械制造有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32