基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于短波通信设备技术领域，公开了基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，功率放大器末级放大装置设置在二级功率放大单元之后，装置包括：依次连接的射频通路匹配单元、射频场效应管、功率补偿单元、射频输出单元，以及连接在射频场效管输出端到输入端之间的反馈单元；其中，射频场效应管包含栅极、漏极和源极；射频通路匹配单元的输入端连接二级功率放大单元的射频信号输出端，射频通路匹配单元的输出端连接射频场效应管的栅极，射频场效应管的漏极连接功率补偿单元的输入端，射频场效应管的源极接地，能够解决：现有短波20W功放热稳定性较差致使平坦度指标较差、互调指标较差的问题。

Power amplifier final stage amplifier based on RF FET

The utility model belongs to the technical field of short wave communication equipment, and discloses the last stage magnifying device of the power amplifier based on the RF field effect tube. The last stage amplification device of the power amplifier is set at the two stage power amplifier unit. The device includes the radio frequency channel matching unit, the radio frequency field effect tube and the power compensation unit in turn. The radio frequency output unit and the feedback unit connected to the output end of the radio frequency field effect tube to the input end, in which the RF field effect tube contains the gate, the drain and the source, and the input end of the RF channel matching unit connects the RF signal output end of the two stage power amplifier unit and the output end of the radio frequency channel matching unit. The gate of frequency field effect tube, the input end of the drain connection power compensation unit of the RF field effect tube and the source grounding of the RF field effect tube can solve the problem that the thermal stability of the current short wave 20W power amplifier is poor and the flatness index is poor and the intermodulation index is poor.

【技术实现步骤摘要】
基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置
本技术属于短波通信设备
，尤其涉及基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，用于20W功率放大器末级放大单元。
技术介绍
现有技术中，20W短波产品功放模块的末级放大电路都是基于晶体管。晶体管易安装受静电影响小，但是最大缺点是受温度影响较大热稳定性差，直接影响功放平坦度和互调指标。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的目的在于提供一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，能够解决：现有短波20W功放热稳定性较差致使平坦度指标较差、互调指标较差的问题。为达到上述目的，本技术采用如下技术方案予以实现。一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，所述功率放大器末级放大装置设置在二级功率放大单元之后，所述装置包括：依次连接的射频通路匹配单元、射频场效应管、功率补偿单元、射频输出单元，以及连接在射频场效管输出端到输入端之间的反馈单元；其中，所述射频场效应管包含栅极、漏极和源极；所述射频通路匹配单元的输入端连接所述二级功率放大单元的射频信号输出端，所述射频通路匹配单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极，所述射频场效应管的漏极连接所述功率补偿单元的输入端，所述射频场效应管的源极接地。本技术技术方案的特点和进一步的改进为：(1)所述反馈单元的输入端连接所述射频场效应管的漏极输出端，所述反馈单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极输入端。(2)所述射频场效应管的栅极工作电压由偏置电路提供，所述射频场效应管的漏极工作电压由漏极供电电路提供。(3)所述射频场效应管的型号为DMD1010，其内部由两个MOS管组成，从而具有两个栅极输入端和两个漏极输出端；所述射频通路匹配单元由第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、以及第一耦合变压器组成；其中，所述第一电容的一端作为所述射频通路匹配单元的输入端，所述第一电容的另一端与所述第一耦合变压器的一次绕组的一端连接，所述第一耦合变压器的一次绕组的另一端接地，所述第一耦合变压器的二次绕组的一端与第一并联支路的一端连接，所述第一并联支路由第一电阻和第二电容并联组成，所述第一耦合变压器的二次绕组的另一端与第二并联支路的另一端连接，所述第二并联支路由第二电阻和第三电容并联组成，所述第一并联支路的另一端和所述第二并联支路的另一端之间串接所述第三电阻，且所述第三电阻的两端分别作为所述射频通路匹配单元的两个子输出端，且所述射频通路匹配单元的两个子输出端分别与所述射频场效应管的两个栅极输入端对应连接。(4)所述射频场效应管的型号为DMD1010，其内部由两个MOS管组成，从而具有两个栅极输入端和两个漏极输出端；所述功率补偿单元由第四电阻、第五电阻、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、电感、第二耦合变压器以及第三耦合变压器组成；其中，所述第四电阻的一端作为所述功率补偿单元的一个子输入端，所述第五电阻的一端作为所述功率补偿单元的另一个子输入端，所述功率补偿单元的两个子输入端分别与所述射频场效应管的两个漏极输出端对应连接，所述第四电阻的另一端与所述第四电容的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第五电容的一端连接，所述第四电容的另一端分别与所述第六电容的一端、所述第二耦合变压器的一次绕组的一端连接，所述第五电容的另一端与所述第六电容的另一端、所述第二耦合变压器的一次绕组的另一端连接，所述第二耦合变压器的二次绕组的一端分别与所述第七电容的一端、所述第八电容的一端连接，所述第二耦合变压器的二次绕组的另一端接地，所述第七电容的另一端接地，所述第八电容的另一端分别与第九电容的一端、电感的一端连接，所述第九电容的另一端接地，所述电感的另一端接地，且所述第八电容的一端作为所述功率补偿单元的输出端。本技术提供的一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置具有以下几个方面的优点和优势：场效应管具有比双极晶体管更高的输入阻抗，同时其输入阻抗随频率的变化也要比晶体管小；场效应管具有比晶体管小得多的反馈电容(c-b或d-g极间电容)，所以其输出端负载线上的变化对输入端的影响更小；市场上所有的射频功率场效应管都是增强型MOS管，因而只需提供正向偏压即可使器件工作；对于AB类线性功率放大器来说，如果使用场效应管，其偏置电路的设计要简单的得多，因为场效应管的g极不吸收直流电流，而双极晶体管的b极则要求提供一个等于IC/hFE的电流；场效应管具有更好的热稳定性、抗辐射性和较低的噪声。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置的结构示意图；图2为本技术实施例提供的射频通路匹配单元的电路结构示意图；图3为本技术实施例提供的功率补偿单元的电路结构示意图；图4为本技术实施例提供的功放组件互调测试连接示意图；图5为本技术实施例提供的功放组件功率、电流测试连接示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。现有的20W短波产品功放模块的末级放大电路都是基于晶体管。晶体管最大缺点受温度影响较大热稳定性差，直接影响功放平坦度和互调指标。场效应管在合理的装配下正常工作中受温度影响小热稳定性更好，会使功放平坦度和互调指标相比晶体管有质的提高。使用射频场效应管替代晶体管作为新型20W功放模块末级放大电路功放管。经过原理分析和试验验证，技术选用射频场效应管DMD1010作为末级放大电路功放管。由于经20W功放模块前两级放大后信号已经足够大，为了降低电源电压，减少功放无用功耗，同时又确保信号一定的线性度，因此本技术提供的末级放大装置为甲乙类放大电路。本技术实施例提供一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，所述功率放大器末级放大装置设置在二级功率放大单元之后，如图1所示，所述装置包括：依次连接的射频通路匹配单元、射频场效应管、功率补偿单元、射频输出单元，以及连接在射频场效管输出端到输入端之间的反馈单元；其中，所述射频场效应管包含栅极、漏极和源极；所述射频通路匹配单元的输入端连接所述二级功率放大单元的射频信号输出端，所述射频通路匹配单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极，所述射频场效应管的漏极连接所述功率补偿单元的输入端，所述射频场效应管的源极接地。进一步的，所述反馈单元的输入端连接所述射频场效应管的漏极输出端，所述反馈单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极输入端。所述射频场效应管的栅极工作电压由偏置电路提供，所述射频场效应管的漏极工作电压由漏极供电电路提供。所述射频场效应管的型号为DMD1010，其内部由两个MOS管组成，从而具有两个栅极输入端和两个漏极输出端。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，所述功率放大器末级放大装置设置在二级功率放大单元之后，其特征在于，所述装置包括：依次连接的射频通路匹配单元、射频场效应管、功率补偿单元、射频输出单元，以及连接在射频场效管输出端到输入端之间的反馈单元；其中，所述射频场效应管包含栅极、漏极和源极；所述射频通路匹配单元的输入端连接所述二级功率放大单元的射频信号输出端，所述射频通路匹配单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极，所述射频场效应管的漏极连接所述功率补偿单元的输入端，所述射频场效应管的源极接地。

【技术特征摘要】
1.一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，所述功率放大器末级放大装置设置在二级功率放大单元之后，其特征在于，所述装置包括：依次连接的射频通路匹配单元、射频场效应管、功率补偿单元、射频输出单元，以及连接在射频场效管输出端到输入端之间的反馈单元；其中，所述射频场效应管包含栅极、漏极和源极；所述射频通路匹配单元的输入端连接所述二级功率放大单元的射频信号输出端，所述射频通路匹配单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极，所述射频场效应管的漏极连接所述功率补偿单元的输入端，所述射频场效应管的源极接地。2.根据权利要求1所述的一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，其特征在于，所述反馈单元的输入端连接所述射频场效应管的漏极输出端，所述反馈单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极输入端。3.根据权利要求1所述的一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，其特征在于，所述射频场效应管的栅极工作电压由偏置电路提供，所述射频场效应管的漏极工作电压由漏极供电电路提供。4.根据权利要求1所述的一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，其特征在于，所述射频场效应管的型号为DMD1010，其内部由两个MOS管组成，从而具有两个栅极输入端和两个漏极输出端；所述射频通路匹配单元由第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、以及第一耦合变压器组成；其中，所述第一电容的一端作为所述射频通路匹配单元的输入端，所述第一电容的另一端与所述第一耦合变压器的一次绕组的一端连接，所述第一耦合变压器的一次绕组的另一端接地，所述第一耦合变压器的二次绕组的一端与第一并联支路的一端连接，所述第一并联支路由第一电阻和第二电容并联组成...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢康辉，李杨，柴永平，韩燕，
申请(专利权)人：陕西烽火电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61