The invention relates to a method for the realization of a semiconductor metal phase transformation using a nano metal particle assisted microwave. The following steps are as follows: (1) first, a layer of metal film is grown on the surface of a two-dimensional phase change material; (2) then, the annealing of a two-dimensional phase change material makes the absorption heat of the gold film into nanoscale particles; (3 Finally, the annealed two-dimensional phase change material is transferred into the microwave cavity, which means that the two-dimensional phase change material can undergo semiconductor metal phase transition. Compared with the existing technology, the invention uses nano metal particles to assist the microwave induced phase transition of two dimensional semiconductor materials. The method is simple and easy to realize, especially in the electronic devices with two dimensional phase change materials.
【技术实现步骤摘要】
一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法
本专利技术涉及半导体-金属相变材料领域,尤其是涉及一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法。
技术介绍
二维相变材料二碲化钼MoTe2属于层状过渡金属硫族化合物,具有二维的层状结构。它同质结光电效率极高,是硅的10—50倍;具有与硅几乎一样的能带隙,具有超高的载流子迁移率、饱和漂移速度和高的电、热导率等,因此可以代替硅成为新型的半导体材料。同时,单层MoTe2材料同时存在半导体相和金属相,并且半导体-金属相变转换能非常低。MoTe2材料区别于硅材料的电学特性,尤其其特有的半导体-金属相变为其在新型电子器件的应用上开拓了新的应用可能和广阔的应用前景,例如其相变特性可应用在具有低接触电阻、低导通电压的场效应晶体管,亦可用于制作高电流开关比和载流子迁移率的场效应管。目前,诱导MoTe2发生半导体—金属相变的技术手段主要有以下三种方法:1、电子束照射;2、激光辐射诱导;3、高温加热。但是此类方法有以下缺陷:1、技术实现手段复杂,过程繁琐;2、容易在MoTe2中造成创伤,引入缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法,使得如MoTe2的二维相变材料发生相变的过程简单易实现,在材料成型过程中引入更少的创伤。本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现:一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法,包括以下步骤:(1):首先,在二维相变材料表面生长一层金属薄膜;(2):接着,对二维相变材料进行退火,使得金属薄膜吸收热 ...
【技术保护点】
1.一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1):首先,在二维相变材料表面生长一层金属薄膜;(2):接着,对二维相变材料进行退火,使得金属薄膜吸收热量转变为纳米金属颗粒;(3):最后,将退火后的二维相变材料转入微波腔体,微波处理,即实现二维相变材料发生半导体‑金属相变。
【技术特征摘要】
1.一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1):首先,在二维相变材料表面生长一层金属薄膜;(2):接着,对二维相变材料进行退火,使得金属薄膜吸收热量转变为纳米金属颗粒;(3):最后,将退火后的二维相变材料转入微波腔体,微波处理,即实现二维相变材料发生半导体-金属相变。2.根据权利要求1所述的一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法,其特征在于,所述的二维相变材料为单层结构MoTe2。3.根据权利要求2所述的一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法,其特征在于,所述单层结构MoTe2的厚度在1nm以内...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤乃云,徐浩然,杜琛,王倩倩,单亚兵,
申请(专利权)人:上海电力学院,
类型:发明
国别省市:上海,31
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