An embodiment of the invention provides a photosensitive component and a preparation method, an array substrate and a display device, which involve the field of display technology, which can avoid the adverse effects of the H elements in the photosensitive sensing unit on the electrical properties of the thin film transistors. A photosensitive component, including a substrate, also includes a thin film transistor and a photosensitive unit perpendicular to the thickness of the substrate, and an insulating layer set between the active layer and the photosensitive unit arranged in the thin film transistor, and the photosensitive unit includes a first electrode and a photosensitivity set in turn on the substrate. A sensor unit and a second electrode are electrically connected with the first electrode, wherein the active layer of the thin film transistor is located on one side of the insulating layer far away from the substrate, and the light sensing unit is located on one side of the insulating layer near the substrate.
【技术实现步骤摘要】
一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
近年来,由于有机发光二极管(organiclightemittingdiode,简称OLED)具有自发光、广视角、短反应、高发光效率、广色域、低功耗等优点,已广泛应用于高性能显示领域中。但由于OLED像素电路中阈值电压(Vth)漂移,导致现有的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)很难满足OLED显示面板的电学性能要求,因此,需采用补偿技术提高显示质量。如图1所示,现有技术是先形成薄膜晶体管11,之后,再依次形成光学传感器的下电极121、光敏传感层122和上电极123、钝化层(PVX)、以及通过钝化层上的过孔与光学传感器的上电极123电连接的导电引线124。然而,由于光敏传感层122的材料通常包含a-Si等含氢(H)元素较多的材料,且形成光敏传感层122的时间较长,因此,在形成光敏传感层122的过程中,H元素很容易扩散到沟道区域(薄膜晶体管工作时,有源层中位于源极和漏极之间的区域为沟道区域),从而对薄膜晶体管11的电学性能造成不良影响,例如,由于沟道区域的H元素过多,导致薄膜晶体管11不受控制,一直处于打开的状态。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置,可避免光敏传感单元中的H元素对薄膜晶体管的电学性能造成不良影响。为达到上述目的,本专利技术的实施例采用如下技术方案:第一方面,提供一种感光组件,包括衬底,还包括沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和 ...
【技术保护点】
1.一种感光组件,包括衬底,其特征在于,还包括沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和感光单元、以及设置于所述薄膜晶体管的有源层和所述感光单元之间的绝缘层;所述感光单元包括依次设置在所述衬底上的第一电极、光敏传感单元、以及第二电极,所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电连接;其中,所述薄膜晶体管的有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,所述感光单元位于所述绝缘层靠近所述衬底的一侧。
【技术特征摘要】
1.一种感光组件,包括衬底,其特征在于,还包括沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和感光单元、以及设置于所述薄膜晶体管的有源层和所述感光单元之间的绝缘层;所述感光单元包括依次设置在所述衬底上的第一电极、光敏传感单元、以及第二电极,所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电连接;其中,所述薄膜晶体管的有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,所述感光单元位于所述绝缘层靠近所述衬底的一侧。2.根据权利要求1所述的感光组件,其特征在于,所述感光组件包括第一电极层、第二电极层;所述第一电极层包括用于构成所述薄膜晶体管的栅极、及用于构成所述感光单元的第一电极;所述第二电极层包括导电引线、及用于构成所述薄膜晶体管的源极和漏极,所述导电引线与所述第二电极电连接;所述绝缘层为所述薄膜晶体管的栅绝缘层。3.根据权利要求2所述的感光组件,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括设置于所述有源层与所述第二电极层之间的刻蚀阻挡层。4.根据权利要求1-3任一项所述的感光组件,其特征在于,所述光敏传感单元和所述第二电极的图案相同。5.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的感光组件。6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求5所述的阵列基板。7.一种感光组件的制备方法,其特征在于,包括:在衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘威,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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