一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

技术编号:18621815 阅读:26 留言:0更新日期:2018-08-08 00:59
本发明专利技术实施例提供一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,可避免光敏传感单元中的H元素对薄膜晶体管的电学性能造成不良影响。一种感光组件,包括衬底,还包括沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和感光单元、以及设置于所述薄膜晶体管的有源层和所述感光单元之间的绝缘层;所述感光单元包括依次设置在所述衬底上的第一电极、光敏传感单元、以及第二电极,所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电连接;其中,所述薄膜晶体管的有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,所述感光单元位于所述绝缘层靠近所述衬底的一侧。

Photosensitive assembly and its preparation method, array substrate and display device

An embodiment of the invention provides a photosensitive component and a preparation method, an array substrate and a display device, which involve the field of display technology, which can avoid the adverse effects of the H elements in the photosensitive sensing unit on the electrical properties of the thin film transistors. A photosensitive component, including a substrate, also includes a thin film transistor and a photosensitive unit perpendicular to the thickness of the substrate, and an insulating layer set between the active layer and the photosensitive unit arranged in the thin film transistor, and the photosensitive unit includes a first electrode and a photosensitivity set in turn on the substrate. A sensor unit and a second electrode are electrically connected with the first electrode, wherein the active layer of the thin film transistor is located on one side of the insulating layer far away from the substrate, and the light sensing unit is located on one side of the insulating layer near the substrate.

【技术实现步骤摘要】
一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
近年来,由于有机发光二极管(organiclightemittingdiode,简称OLED)具有自发光、广视角、短反应、高发光效率、广色域、低功耗等优点,已广泛应用于高性能显示领域中。但由于OLED像素电路中阈值电压(Vth)漂移,导致现有的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)很难满足OLED显示面板的电学性能要求,因此,需采用补偿技术提高显示质量。如图1所示,现有技术是先形成薄膜晶体管11,之后,再依次形成光学传感器的下电极121、光敏传感层122和上电极123、钝化层(PVX)、以及通过钝化层上的过孔与光学传感器的上电极123电连接的导电引线124。然而,由于光敏传感层122的材料通常包含a-Si等含氢(H)元素较多的材料,且形成光敏传感层122的时间较长,因此,在形成光敏传感层122的过程中,H元素很容易扩散到沟道区域(薄膜晶体管工作时,有源层中位于源极和漏极之间的区域为沟道区域),从而对薄膜晶体管11的电学性能造成不良影响,例如,由于沟道区域的H元素过多,导致薄膜晶体管11不受控制,一直处于打开的状态。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置,可避免光敏传感单元中的H元素对薄膜晶体管的电学性能造成不良影响。为达到上述目的,本专利技术的实施例采用如下技术方案:第一方面,提供一种感光组件,包括衬底,还包括沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和感光单元、以及设置于所述薄膜晶体管的有源层和所述感光单元之间的绝缘层;所述感光单元包括依次设置在所述衬底上的第一电极、光敏传感单元、以及第二电极,所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电连接;其中,所述薄膜晶体管的有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,所述感光单元位于所述绝缘层靠近所述衬底的一侧。优选的,所述感光组件包括第一电极层、第二电极层;所述第一电极层包括用于构成所述薄膜晶体管的栅极、及用于构成所述感光单元的第一电极;所述第二电极层包括导电引线、及用于构成所述薄膜晶体管的源极和漏极,所述导电引线与所述第二电极电连接;所述绝缘层为所述薄膜晶体管的栅绝缘层。进一步优选的,所述薄膜晶体管还包括设置于所述有源层与所述第二电极层之间的刻蚀阻挡层。优选的,所述光敏传感单元和所述第二电极的图案相同。第二方面,提供一种阵列基板,包括第一方面所述的感光组件。第三方面,提供一种显示装置,包括第二方面所述的阵列基板。第四方面,提供一种感光组件的制备方法,包括:在衬底上形成沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和感光单元;所述感光单元包括依次设置在所述衬底上的第一电极、光敏传感单元、以及第二电极,所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电连接。其中,在衬底上形成沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和感光单元,包括:在所述衬底上形成所述感光单元;在形成有所述感光单元的所述衬底上形成所述薄膜晶体管的有源层。优选的,在衬底上形成沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和感光单元,包括:在所述衬底上形成第一电极层,所述第一电极层包括所述薄膜晶体管的栅极、及所述感光单元的第一电极;在所述第一电极远离所述衬底的一侧形成光敏传感单元和第二电极;在形成有所述第二电极的所述衬底上依次形成栅绝缘层、所述有源层;在形成有所述有源层的所述衬底上形成第二电极层,所述第二电极层包括导电引线、及所述薄膜晶体管的源极和漏极,所述导电引线与所述第二电极电连接。优选的,在形成所述有源层之后,形成所述第二电极层之前,所述方法还包括:在所述有源层和所述第二电极层之间形成刻蚀阻挡层。优选的,所述光敏传感单元和所述第二电极通过同一次构图工艺形成。本专利技术实施例提供一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置,通过使薄膜晶体管的有源层位于所述绝缘层远离衬底的一侧,感光单元位于所述绝缘层靠近衬底的一侧,在制备所述感光组件时,可以先在衬底上形成感光单元,之后,再形成薄膜晶体管的有源层,这样一来,即使感光单元的光敏传感单元包含a-Si等含H元素较多的材料,H元素也不会进入有源层中,即,H元素不会进入工作时的薄膜晶体管的沟道区域,从而避免光敏传感单元中的H元素对薄膜晶体管的电学性能造成不良影响。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图;图2为本专利技术实施例提供的一种感光组件的结构示意图;图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;图4为本专利技术实施例提供的一种制备感光组件的流程示意图一;图5为本专利技术实施例提供的一种制备感光组件的流程示意图二;图6为本专利技术实施例提供的一种制备感光组件的过程示意图一;图7为本专利技术实施例提供的一种制备感光组件的过程示意图二;图8为本专利技术实施例提供的一种制备感光组件的过程示意图三。附图标记:11-薄膜晶体管;121-下电极;122-光敏传感层;123-上电极;124-导电引线;20-衬底;21-薄膜晶体管;211-栅极;212-栅绝缘层;213-有源层;214-刻蚀阻挡层;215-源极;216-漏极;22-感光单元;221-第一电极;222-光敏传感单元;223-第二电极;23-导电引线;24-钝化层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种感光组件,如图2所示,包括衬底20,还包括沿垂直于衬底20厚度方向错开设置的薄膜晶体管21和感光单元22、以及设置于薄膜晶体管21的有源层213和感光单元22之间的绝缘层;感光单元22包括依次设置在衬底20上的第一电极221、光敏传感单元222、以及第二电极223,薄膜晶体管21的漏极216与第一电极221电连接;其中,薄膜晶体管21的有源层213位于所述绝缘层远离衬底20的一侧,感光单元22位于绝缘层靠近衬底20的一侧。需要说明的是,第一,沿垂直于衬底20厚度方向错开设置的薄膜晶体管21和感光单元22,是指:除了薄膜晶体管21的漏极216和感光单元22的第一电极221电连接的部分,薄膜晶体管21和感光单元22在衬底20上的投影无重叠。第二,不对薄膜晶体管21和感光单元22中各结构的材料进行限定,只要薄膜晶体管21和感光单元22中的各结构可以实现各自的功能即可。例如,薄膜晶体管21中,栅极211可以包括依次设置在衬底20上的MoNb薄膜、Cu薄膜、MoNb薄膜,或依次设置在衬底20上的Mo薄膜、AlNd薄膜、Mo薄膜;栅绝缘层212包括SiNx、Si0x中的至少一种;有源层213可以包括非晶硅、多晶硅、金属氧化物、有机物等,例如有源层2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感光组件,包括衬底,其特征在于,还包括沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和感光单元、以及设置于所述薄膜晶体管的有源层和所述感光单元之间的绝缘层;所述感光单元包括依次设置在所述衬底上的第一电极、光敏传感单元、以及第二电极,所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电连接;其中,所述薄膜晶体管的有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,所述感光单元位于所述绝缘层靠近所述衬底的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种感光组件,包括衬底,其特征在于,还包括沿垂直于所述衬底厚度方向错开设置的薄膜晶体管和感光单元、以及设置于所述薄膜晶体管的有源层和所述感光单元之间的绝缘层;所述感光单元包括依次设置在所述衬底上的第一电极、光敏传感单元、以及第二电极,所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电连接;其中,所述薄膜晶体管的有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,所述感光单元位于所述绝缘层靠近所述衬底的一侧。2.根据权利要求1所述的感光组件,其特征在于,所述感光组件包括第一电极层、第二电极层;所述第一电极层包括用于构成所述薄膜晶体管的栅极、及用于构成所述感光单元的第一电极;所述第二电极层包括导电引线、及用于构成所述薄膜晶体管的源极和漏极,所述导电引线与所述第二电极电连接;所述绝缘层为所述薄膜晶体管的栅绝缘层。3.根据权利要求2所述的感光组件,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括设置于所述有源层与所述第二电极层之间的刻蚀阻挡层。4.根据权利要求1-3任一项所述的感光组件,其特征在于,所述光敏传感单元和所述第二电极的图案相同。5.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的感光组件。6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求5所述的阵列基板。7.一种感光组件的制备方法,其特征在于,包括:在衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘威
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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