一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法技术

本发明专利技术揭示一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法，所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶；在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶；对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层。该半导体器件制程中的台阶的图形化方法可以有效去除半导体基板的台阶侧壁外的材料，提高半导体材料的性能和制造的良率。

A graphical method for steps in semiconductor device fabrication

The present invention discloses a graphical method of steps in a semiconductor device process. A graphical method of steps in the semiconductor device process includes the following steps: providing half a conductor substrate, the semiconductor substrate including at least one step, forming a first material layer on the semiconductor substrate, and the first material layer. The second material layer is formed on the first material layer, the second material layer covers the step, and the second material layer is etched by dry method, at least second material layer is removed outside the sidewall of the steps, and the first material layer is etched by wet process, at least at the step side. The first material layer outside the wall. The graphical method of the steps in the semiconductor device process can effectively remove the material outside the sidewall of the semiconductor substrate, and improve the performance and the yield of the semiconductor materials.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法。
技术介绍
微电子机械系统(MicroElectroMechanicalSystems，MEMS)技术具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点，故其已广泛应用在包括红外探测技术等诸多领域中。在微电子机械系统(MEMS)等半导体器件的制程工艺中，通常将金属材料或半导体材料通过沉积等方式形成于半导体基板的表面，而半导体基板是由半导体层(例如非晶硅)沉积于一衬底上、并经图形化形成的，所以，硅基板的表面往往是不平坦的，半导体层经过图形化后会形成较高的台阶。而后续金属材料或半导体材料会沉积在上述台阶的侧壁上，容易使制程后形成的半导体器件引起短路等问题，因此，如何去除这些台阶的侧壁外侧的金属材料或半导体材料成为了微电子机械系统(MEMS)等工艺中需要重点解决的问题。虽然，目前存在直接使用湿法工艺去除台阶的侧壁处的金属材料或半导体材料，但是，在这些工艺中，当用于图形化的光刻胶在湿法工艺持续过长时间时，往往会黏附变差而并造成与被刻蚀材料脱离，造成待刻蚀材料的图形化不准确等问题，进而，影响成品的性能，甚至导致半导体器件的良率下降。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法。该半导体器件制程中的台阶的图形化方法可以有效去除半导体基板的台阶侧壁外的材料，提高半导体材料的性能和制造的良率。根据本专利技术的一个方面提供一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法，所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶；在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶；对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层。可选地，所述半导体基板包括衬底以及形成于所述衬底上并经图形化的第一半导体层，所述台阶由所述图形化的第一半导体层形成。可选地，所述衬底为氧化硅衬底，所述第一半导体层为非晶硅层，所述非晶硅层的厚度大于等于1000埃。可选地，所述对第二材料层进行干法刻蚀的步骤中包括如下步骤：在所述第二材料层上形成光阻层，所述光阻层覆盖所述第二材料层；对所述光阻层进行光刻，至少去除与所述台阶侧壁外的所述光阻层；对所述第二材料层进行干法刻蚀，去除所述光阻层未覆盖区域的第二材料层。可选地，在完成所述对第二材料层进行干法刻蚀的步骤后还包括如下步骤：湿法刻蚀去除所述光阻层。可选地，所述第一材料层为第一金属层，所述第二材料层为第二半导体层。可选地，所述第一金属层为氮化钛金属层，所述氮化钛金属层的厚度为100～200埃。可选地，在所述对第一材料层进行湿法刻蚀的步骤中通过碱性药液对所述氮化钛金属层进行刻蚀。可选地，所述碱性药液为APM溶液。可选地，所述第二半导体层为非晶硅薄膜或非晶碳薄膜。可选地，在所述对第二材料层进行干法刻蚀的步骤中包括如下步骤：通过氧气对所述非晶碳薄膜进行刻蚀；或者通过二氟化氙气体对所述非晶硅薄膜进行刻蚀。可选地，在所述形成第二材料层的步骤之前，还包括如下步骤：在所述第一材料层上形成第三材料层，所述第三材料层覆盖所述台阶；在所述形成第二材料层的步骤中，所述第二材料层形成于所述第三材料层上；在所述对第一材料层进行湿法刻蚀的步骤之前，还包括如下步骤：对所述第三材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第三材料层。相比于现有技术，本专利技术实施例提供的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中由于在形成第一材料层和第二材料层后，通过干法工艺去除了半导体基板的台阶侧壁外的第二材料层，而后以第二材料层作为遮挡通过湿法工艺去除了半导体基板的台阶侧壁外的第一材料层，因此，可以有效避免现有技术中仅仅通过湿法工艺去除半导体基板的台阶侧壁外的材料时因光刻胶黏与被刻蚀材料脱离而造成待刻蚀材料的图形化不准确等问题，在去除台阶侧壁外材料的同时，保证了湿法工艺的准确性以及成品的性能和良率。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本专利技术的一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法的流程图；图2为本专利技术的一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中在半导体基板上形成第一材料层和第二材料层后的截面结构示意图；图3为本专利技术的一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中对第二材料层进行干法刻蚀的各个步骤的流程图；图4为本专利技术的一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中形成光阻层后的截面结构示意图；图5为本专利技术的一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中对光阻层光刻后的截面结构示意图；图6为本专利技术的一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中对第二材料层进行干法刻蚀后的截面结构示意图；图7为本专利技术的一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法过程中湿法刻蚀去除光阻层后的截面结构示意图；图8为本专利技术的一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法对第一材料层进行湿法刻蚀后的截面结构示意图；图9为专利技术的另一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法的流程图；图10为专利技术的另一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中形成第三材料层和第二材料层后的截面结构示意图；图11为专利技术的另一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中对第二材料层进行干法刻蚀后的截面结构示意图；图12为专利技术的另一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中对第三材料层进行湿法刻蚀后的截面结构示意图；以及图13为专利技术的另一个实施例的半导体器件制程中的台阶的图形化方法中对第一材料层进行湿法刻蚀后的截面结构示意图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本专利技术的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本专利技术的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本专利技术。根据本专利技术的主旨构思，本专利技术的半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶；在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶；对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层。下面结合附图和实施例对本专利技术的
技术实现思路
进行进一步地说明。请参见图1，其示出了本专利技术的一个实施例的半导体器件制程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶；在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶；对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一台阶；在所述半导体基板上形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述台阶；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述台阶；对所述第二材料层进行干法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第二材料层；对所述第一材料层进行湿法刻蚀，至少去除位于所述台阶侧壁外的第一材料层。2.如权利要求1所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述半导体基板包括衬底以及形成于所述衬底上并经图形化的第一半导体层，所述台阶由所述图形化的第一半导体层形成。3.如权利要求2所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述衬底为氧化硅衬底，所述第一半导体层为非晶硅层，所述非晶硅层的厚度大于等于1000埃。4.如权利要求1所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其特征在于，所述对第二材料层进行干法刻蚀的步骤中包括如下步骤：在所述第二材料层上形成光阻层，所述光阻层覆盖所述第二材料层；对所述光阻层进行光刻，至少去除与所述台阶侧壁外的所述光阻层；对所述第二材料层进行干法刻蚀，去除所述光阻层未覆盖区域的第二材料层；湿法刻蚀去除所述光阻层。5.如权利要求1所述的半导体器件制程中的台阶的图形化方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，周炜捷，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31