The invention relates to the technical field of RF microwave semiconductor fabrication, in particular to a method of making a semiconductor wafer hole, including the following steps: the etching rate of two holes is tested on the wafer and the etching rate of the photoresist is calculated and two of the corresponding phase of the cross section of the two holes is calculated. A first photolithography layer is laid on the surface of the wafer, and the first photolithography layer is exposed and developed to form the first patterned photolithography layer; the thickness of the corrected photolithography layer is calculated; the corrected photolithography layer of the thickness is laid on the wafer surface, and the corrected photolithography layer is exposed and developed. A second pattern photoresist layer is formed; wafers are etched along the first pattern photoresist layer to form a wafer with two holes. On the basis of long etching time, the invention extends the etching time of another hole by laying the corrected photolithography layer to avoid the occurrence of the etching depth exceeding the preset value or the damage of the wafer.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆孔洞制作方法
本专利技术属于半导体制作
,具体涉及一种半导体晶圆孔洞制作方法。
技术介绍
伴随着半导体新应用领域的不断拓展,许多传统的半导体工艺已经无法满足产品制作需求,其中半导体晶圆孔洞制作工艺尤为突出。在RF-MEMS工艺中,由于阻抗匹配的需要,往往要在Si晶圆上制作两种不同尺寸或两种不同深度的盲孔。针对上述需求,通常采用两种工艺:一种是将两种盲孔分两次进行蚀刻,由于一般盲孔深度为数十甚至数百微米,导致第二次光刻难度大,稳定性差;第二种是采用一次光刻,该方式下当两个孔洞深度不同时,往往深度较小的孔洞形成后,深度较大的孔洞还需要进一步延长蚀刻时间;当两个孔洞尺寸不同时,横截面积大的孔洞刻蚀速率较慢,往往横截面积较小的孔洞形成后,横截面积大的孔洞并没有达到刻蚀要求,需要进一步延长蚀刻时间;由此可见,第二种方式的两种情况均需要延长蚀刻时间,会使刻蚀较快的孔洞形成的深度大于预设值,降低了晶圆的精密性,更甚至会造成晶圆的损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以同步完成多个不同深度、尺寸孔洞制作的半导体晶圆孔洞制作方法。为达到上述要求,本专利技术采取的技术方案是:提供一种半导体晶圆孔洞制作方法,包括:基础参数计算步骤:在与产品晶圆相同的测试晶圆上分别测试得到两个孔洞的刻蚀速率,根据刻蚀选择比计算得到与两个孔洞的横截面积一一对应相等的测试光刻胶的刻蚀速率,并根据两个孔洞的刻蚀速率和对应的刻蚀高度计算出两个孔洞的刻蚀时间;第一次光刻步骤:在晶圆表面铺设一层与测试光刻胶相同的光刻胶以形成第一光刻胶层,采用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行第一 ...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆孔洞制作方法,其特征在于,包括:基础参数计算步骤:在与产品晶圆相同的测试晶圆上分别测试得到两个孔洞的刻蚀速率,根据刻蚀选择比计算得到与两个孔洞的横截面积一一对应相等的测试光刻胶的刻蚀速率,并根据两个孔洞的刻蚀速率和对应的刻蚀高度计算出两个孔洞的刻蚀时间;第一次光刻步骤:在晶圆表面铺设一层与测试光刻胶相同的光刻胶以形成第一光刻胶层,采用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行第一次曝光并显影,形成第一图形化光刻胶层;第一掩膜版具有两个孔洞图形,且两个孔洞图形与两个所述孔洞一一对应;修正步骤:根据刻蚀时间较短的孔洞的刻蚀速率、刻蚀高度,刻蚀时间较长的孔洞的刻蚀速率、刻蚀高度,以及与刻蚀时间较短的孔洞横截面积相等的光刻胶的刻蚀速率计算得到修正光刻胶层的厚度;在晶圆表面铺设一层所述厚度的与测试光刻胶相同的光刻胶以形成修正光刻胶层,采用修正掩膜版对修正光刻胶层进行曝光并显影,修正掩膜版为只具有与刻蚀时间较长的孔洞对应的孔洞图形的掩膜版,且当前曝光步骤的孔洞图形与所述第一次光刻步骤中对应的孔洞图形重合;刻蚀步骤:沿第一图形化光刻胶层对晶圆进行刻蚀,形成具有两个孔洞的晶圆。
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆孔洞制作方法,其特征在于,包括:基础参数计算步骤:在与产品晶圆相同的测试晶圆上分别测试得到两个孔洞的刻蚀速率,根据刻蚀选择比计算得到与两个孔洞的横截面积一一对应相等的测试光刻胶的刻蚀速率,并根据两个孔洞的刻蚀速率和对应的刻蚀高度计算出两个孔洞的刻蚀时间;第一次光刻步骤:在晶圆表面铺设一层与测试光刻胶相同的光刻胶以形成第一光刻胶层,采用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行第一次曝光并显影,形成第一图形化光刻胶层;第一掩膜版具有两个孔洞图形,且两个孔洞图形与两个所述孔洞一一对应;修正步骤:根据刻蚀时间较短的孔洞的刻蚀速率、刻蚀高度,刻蚀时间较长的孔洞的刻蚀速率、刻蚀高度,以及与刻蚀时间较短的孔洞横截面积相等的光刻胶的刻蚀速率计算得到修正光刻胶层的厚度;在晶圆表面铺设一层所述厚度的与测试光刻胶相同的光刻胶...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈一峰,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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