The invention provides a wafer supporting platform. The wafer support stage (20) has shields (40) and shielding tubes (42). The shield sheet (40) is embedded in the ceramic substrate (22) in a non-contact state between the plasma producing electrode (26) and the heater electrode (30). The shielding tube (42) is electrically connected with the shielding sheet (40) and extends from the back (22b) of the ceramic matrix (22) to the inside (outside the ceramic matrix (22) of the ceramic shaft (24). The rod (28) of the plasma generating electrode (26) is penetrated through the inner part of the shielding tube (42) in a state of non-contact with the shielding tube (42). The wiring element (31a, 32a) of the heater electrode (30) is arranged outside the shielding tube (42) in a state of non-contact with the shielding tube (42).
【技术实现步骤摘要】
晶圆支承台
本专利技术涉及一种晶圆支承台。
技术介绍
以往,在半导体制造工艺中,有时采用等离子体CVD工序。在等离子体CVD工序中,将晶圆载置于晶圆支承台的晶圆载置面上。在晶圆支承台的陶瓷基体中埋设有接地的下部电极和对晶圆进行加热的加热器电极。另一方面,在晶圆的上方空间配置有与RF电源连接的上部电极。并且,若向上部电极供给RF电流,则在上部电极与下部电极之间的空间中产生等离子体,利用该等离子体将薄膜蒸镀于晶圆。此外,也有时将下部电极与RF电源连接,使上部电极接地。在这样的等离子体CVD工序中,由于由RF电流产生的RF磁场的时间变化,感应出RF电场,加热器电极有时由于RF噪声而受到影响。考虑这一点,在专利文献1中,在下部电极与加热器电极之间设置有RF屏蔽件。然而,即使是在下部电极与加热器电极之间设置有RF屏蔽件的情况下,若RF电流的频率变高,则也难以充分防止RF噪声对加热器电路的影响。专利文献1:美国专利6683274号说明书
技术实现思路
本专利技术是为了解决这样的问题而做成的,主要目的在于在等离子体产生装置所使用的晶圆支承台中充分防止RF噪声对加热器电路的影响。在本专利技术的晶圆支承台中,在具备晶圆载置面的陶瓷基体中,从所述晶圆载置面一侧起按照等离子体产生电极、加热器电极的顺序以间隔状态埋设,所述等离子体产生电极的配线构件和所述加热器电极的配线构件从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面被引出到所述陶瓷基体的外部,该晶圆支承台具备:屏蔽片,其在所述等离子体产生电极与所述加热器电极之间以与两者非接触的状态埋设于所述陶瓷基体中;屏蔽管,其与所述屏蔽片电连接,从 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆支承台,在具备晶圆载置面的陶瓷基体中,从所述晶圆载置面一侧起按照等离子体产生电极、加热器电极的顺序以间隔状态埋设,所述等离子体产生电极的配线构件和所述加热器电极的配线构件从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面被引出到所述陶瓷基体的外部,其特征在于,该晶圆支承台具备:屏蔽片,其在所述等离子体产生电极与所述加热器电极之间以与两者非接触的状态埋设于所述陶瓷基体中;以及屏蔽管,其与所述屏蔽片电连接,从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面延伸到所述陶瓷基体的外部,所述等离子体产生电极的配线构件以与所述屏蔽管非接触的状态贯穿于所述屏蔽管的内部,所述加热器电极的配线构件以与所述屏蔽管非接触的状态配置于所述屏蔽管的外部。
【技术特征摘要】
2017.01.30 JP 2017-0139801.一种晶圆支承台,在具备晶圆载置面的陶瓷基体中,从所述晶圆载置面一侧起按照等离子体产生电极、加热器电极的顺序以间隔状态埋设,所述等离子体产生电极的配线构件和所述加热器电极的配线构件从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面被引出到所述陶瓷基体的外部,其特征在于,该晶圆支承台具备:屏蔽片,其在所述等离子体产生电极与所述加热器电极之间以与两者非接触的状态埋设于所述陶瓷基体中;以及屏蔽管,其与所述屏蔽片电连接,从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面延伸到所述陶瓷基体的外部,所述等离子体产生电极的配线构件以与所述屏...
【专利技术属性】
技术研发人员:前田大树,海野丰,
申请(专利权)人:日本碍子株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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