晶圆支承台制造技术

技术编号:18621763 阅读:90 留言:0更新日期:2018-08-08 00:55
本发明专利技术提供一种晶圆支承台。晶圆支承台(20)具备屏蔽片(40)和屏蔽管(42)。屏蔽片(40)在等离子体产生电极(26)与加热器电极(30)之间以与两者非接触的状态埋设于陶瓷基体(22)中。屏蔽管(42)与屏蔽片(40)电连接,从陶瓷基体(22)的背面(22b)向陶瓷轴(24)的内部(陶瓷基体(22)的外部)延伸。等离子体产生电极(26)的杆(28)以与屏蔽管(42)非接触的状态贯穿于屏蔽管(42)的内部。加热器电极(30)的配线构件(31a、32a)以与屏蔽管(42)非接触的状态配置于屏蔽管(42)的外部。

Wafer support table

The invention provides a wafer supporting platform. The wafer support stage (20) has shields (40) and shielding tubes (42). The shield sheet (40) is embedded in the ceramic substrate (22) in a non-contact state between the plasma producing electrode (26) and the heater electrode (30). The shielding tube (42) is electrically connected with the shielding sheet (40) and extends from the back (22b) of the ceramic matrix (22) to the inside (outside the ceramic matrix (22) of the ceramic shaft (24). The rod (28) of the plasma generating electrode (26) is penetrated through the inner part of the shielding tube (42) in a state of non-contact with the shielding tube (42). The wiring element (31a, 32a) of the heater electrode (30) is arranged outside the shielding tube (42) in a state of non-contact with the shielding tube (42).

【技术实现步骤摘要】
晶圆支承台
本专利技术涉及一种晶圆支承台。
技术介绍
以往,在半导体制造工艺中,有时采用等离子体CVD工序。在等离子体CVD工序中,将晶圆载置于晶圆支承台的晶圆载置面上。在晶圆支承台的陶瓷基体中埋设有接地的下部电极和对晶圆进行加热的加热器电极。另一方面,在晶圆的上方空间配置有与RF电源连接的上部电极。并且,若向上部电极供给RF电流,则在上部电极与下部电极之间的空间中产生等离子体,利用该等离子体将薄膜蒸镀于晶圆。此外,也有时将下部电极与RF电源连接,使上部电极接地。在这样的等离子体CVD工序中,由于由RF电流产生的RF磁场的时间变化,感应出RF电场,加热器电极有时由于RF噪声而受到影响。考虑这一点,在专利文献1中,在下部电极与加热器电极之间设置有RF屏蔽件。然而,即使是在下部电极与加热器电极之间设置有RF屏蔽件的情况下,若RF电流的频率变高,则也难以充分防止RF噪声对加热器电路的影响。专利文献1:美国专利6683274号说明书
技术实现思路
本专利技术是为了解决这样的问题而做成的,主要目的在于在等离子体产生装置所使用的晶圆支承台中充分防止RF噪声对加热器电路的影响。在本专利技术的晶圆支承台中,在具备晶圆载置面的陶瓷基体中,从所述晶圆载置面一侧起按照等离子体产生电极、加热器电极的顺序以间隔状态埋设,所述等离子体产生电极的配线构件和所述加热器电极的配线构件从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面被引出到所述陶瓷基体的外部,该晶圆支承台具备:屏蔽片,其在所述等离子体产生电极与所述加热器电极之间以与两者非接触的状态埋设于所述陶瓷基体中;屏蔽管,其与所述屏蔽片电连接,从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面延伸到所述陶瓷基体的外部,所述等离子体产生电极的配线构件以与所述屏蔽管非接触的状态贯穿于所述屏蔽管的内部,所述加热器电极的配线构件以与所述屏蔽管非接触的状态配置于所述屏蔽管的外部。在该晶圆支承台中,屏蔽片防止在等离子体产生电极的周围产生的RF电场与加热器电极耦合。该RF电场是由于由流过等离子体产生电极的RF电流产生的RF磁场的时间变化而被感生的。另外,屏蔽管防止在等离子体产生电极的配线构件的周围产生的RF电场与加热器电极耦合。该RF电场是由于由流过等离子体产生电极的配线构件的RF电流产生的RF磁场的时间变化而被感生的。在专利文献1中不具备这样的屏蔽管,因此,无法防止RF电场与加热器电极的配线构件耦合,但在本专利技术中具备这样的屏蔽管,因此,能够防止RF电场与加热器电极的配线构件耦合。因而,根据本专利技术,能够充分防止RF噪声对包括加热器电极及其配线构件在内的加热器电路的影响。在本专利技术的晶圆支承台中,也可以是,所述加热器电极的配线构件在所述加热器电极与外部电源之间具备低通滤波器。这样的话,能够利用屏蔽片和屏蔽管来防止未被低通滤波器完全防止的RF噪声。在本专利技术的晶圆支承台中,也可以是,所述屏蔽片是网片、冲孔金属板或金属板的板状构件,所述屏蔽管是网状管、冲孔金属管或金属板的筒状构件。网眼的大小、冲孔金属的孔的大小被设计成能够充分防止RF噪声的影响。在本专利技术的晶圆支承台中,也可以是,所述等离子体产生电极既可以是施加RF电源的电压的电极,也可以是接地电极。在任一情况下,都产生RF噪声的问题,因此,应用本专利技术的意义较高。在本专利技术的晶圆支承台中,优选流过所述等离子体产生电极的RF电流的频率是13MHz以上。在RF电流的频率是13MHz以上(特别是27MHz以上)的情况下,RF噪声的影响易于变大,因此,应用本专利技术的意义较高。附图说明图1是表示本实施方式的等离子体产生装置10的概略结构的剖视图。图2是表示另一实施方式的等离子体产生装置10的概略结构的剖视图。附图标记说明10等离子体产生装置、20晶圆支承台、22陶瓷基体、22a晶圆载置面、22b背面、24陶瓷轴、24a凸缘、26等离子体产生电极、28杆、29插座、30加热器电极、31第1加热器电极、31a配线构件、32第2加热器电极、32a配线构件、33,34低通滤波器、35,36交流电源、40屏蔽片、42屏蔽管、43波纹管、44圆柱构件、50上部电极、52RF电源、W晶圆、Z1第1区域、Z2第2区域、G地线。具体实施方式以下,参照附图说明本专利技术的优选的实施方式。图1是表示等离子体产生装置10的概略结构的剖视图。等离子体产生装置10具备晶圆支承台20和上部电极50。晶圆支承台20用于支承利用等离子体来进行CVD或蚀刻等的晶圆W而进行加热,安装于未图示的半导体工艺用的腔室的内部。该晶圆支承台20具备陶瓷基体22和陶瓷轴24。陶瓷基体22是AlN制的圆板状构件。该陶瓷基体22具备能够载置晶圆W的晶圆载置面22a。在陶瓷基体22的与晶圆载置面22a相反侧的面(背面)22b接合有陶瓷轴24。在陶瓷基体22中埋设有等离子体产生电极26、加热器电极30以及屏蔽片40。从晶圆载置面22a一侧起依次以间隔状态埋设等离子体产生电极26和加热器电极30。屏蔽片40以与等离子体产生电极26和加热器电极30非接触的状态埋设于等离子体产生电极26与加热器电极30之间。等离子体产生电极26是由导电性的网片构成的圆形电极,与晶圆载置面22a平行或大致平行地设置。作为与等离子体产生电极26电连接的配线构件的杆28从陶瓷基体22的背面22b向陶瓷轴24的内部(陶瓷基体22的外部)引出,与导电金属制的圆柱构件44电连接。加热器电极30与晶圆载置面22a平行或大致平行地设置。加热器电极30由第1加热器电极31和第2加热器电极32构成,第1加热器电极31设置于距陶瓷基体22的中心预定半径的圆的内侧的区域(第1区域Z1、参照图1的单点划线),第2加热器电极32设置于该圆的外侧的区域(第2区域Z2、参照图1的双点划线)。第1加热器电极31是在除了第1区域Z1的中心附近之外的大致整个面以一笔画的方法将线圈配线到另一端子而成的电极。在第1加热器电极31的两端分别电连接有配线构件31a、31a。一个配线构件31a从陶瓷基体22的背面22b向陶瓷轴24的内部(陶瓷基体22的外部)引出,以电绝缘的状态贯通圆柱构件44,经由低通滤波器33与交流电源35连接。另一配线构件31a与地线G电连接。第2加热器电极32是在第2区域Z2的大致整个面上以一笔画的方法将线圈配线而成的。在第2加热器电极32的两端分别电连接有配线构件32a、32a。一个配线构件32a从陶瓷基体22的背面22b向陶瓷轴24的内部(陶瓷基体22的外部)引出,以电绝缘的状态贯通圆柱构件44,经由低通滤波器34与交流电源36连接。另一配线构件32a与地线G电连接。屏蔽片40是圆形的导电性的网片,与晶圆载置面22a平行或大致平行地设置。屏蔽片40的直径与等离子体产生电极26的直径相同或比等离子体产生电极26的直径稍大。屏蔽片40的网眼尺寸被设定成例如0.7mm以下,以便能够发挥随后论述的效果、即防止RF电场与第1加热器电极31和第2加热器电极32耦合的效果。与屏蔽片40电连接的屏蔽管42从陶瓷基体22的背面22b向陶瓷轴24的内部(陶瓷基体22的外部)延伸,与圆柱构件44电连接。屏蔽管42是导电性的网状管,经由陶瓷基体22的没有对第1加热器电极31配线的中心附近而从背面22b延伸出。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆支承台,在具备晶圆载置面的陶瓷基体中,从所述晶圆载置面一侧起按照等离子体产生电极、加热器电极的顺序以间隔状态埋设,所述等离子体产生电极的配线构件和所述加热器电极的配线构件从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面被引出到所述陶瓷基体的外部,其特征在于,该晶圆支承台具备:屏蔽片,其在所述等离子体产生电极与所述加热器电极之间以与两者非接触的状态埋设于所述陶瓷基体中;以及屏蔽管,其与所述屏蔽片电连接,从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面延伸到所述陶瓷基体的外部,所述等离子体产生电极的配线构件以与所述屏蔽管非接触的状态贯穿于所述屏蔽管的内部,所述加热器电极的配线构件以与所述屏蔽管非接触的状态配置于所述屏蔽管的外部。

【技术特征摘要】
2017.01.30 JP 2017-0139801.一种晶圆支承台,在具备晶圆载置面的陶瓷基体中,从所述晶圆载置面一侧起按照等离子体产生电极、加热器电极的顺序以间隔状态埋设,所述等离子体产生电极的配线构件和所述加热器电极的配线构件从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面被引出到所述陶瓷基体的外部,其特征在于,该晶圆支承台具备:屏蔽片,其在所述等离子体产生电极与所述加热器电极之间以与两者非接触的状态埋设于所述陶瓷基体中;以及屏蔽管,其与所述屏蔽片电连接,从所述陶瓷基体的与所述晶圆载置面相反侧的面延伸到所述陶瓷基体的外部,所述等离子体产生电极的配线构件以与所述屏...

【专利技术属性】
技术研发人员:前田大树海野丰
申请(专利权)人:日本碍子株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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