半导体系统及操作半导体装置的方法制造方法及图纸

技术编号:18621218 阅读:9 留言:0更新日期:2018-08-08 00:20
一种半导体系统及操作半导体装置的方法。半导体系统包括存储补丁代码的非易失性存储器,补丁代码包括唯一识别符。内部只读存储器存储引导代码,引导代码包括用于执行补丁代码的补丁代码执行功能及用于规定将要执行的补丁代码的存储位置的链接寄存器地址。静态随机存取存储器在存储位置处存储补丁代码的副本,补丁代码的副本包括唯一识别符。处理器从存储位置执行补丁代码的副本。处理器根据比较结果来执行存储在静态随机存取存储器中的存储位置处的补丁代码的副本。

A semiconductor system and a method of operating semiconductor devices

A semiconductor system and a method of operating a semiconductor device. The semiconductor system includes non-volatile memory that stores patch code, and patch code includes unique identifier. The internal read-only memory stores the boot code, and the boot code includes the patch code execution function for the execution of the patch code and the link register address that specifies the location of the patch code to be executed. Static Random Access Memory stores a copy of the patch code at the storage location, which includes a unique identifier. The processor executes a copy of the patch code from the storage location. The processor executes a copy of the patch code stored at the storage location in the static random access memory based on the comparison results.

【技术实现步骤摘要】
半导体系统及操作半导体装置的方法
本专利技术涉及一种半导体系统及操作与半导体系统相关联的半导体装置的方法。
技术介绍
在包括半导体系统的电子系统(例如,采用应用处理器(applicationprocessor,AP)的系统)的引导过程期间可能会出现各种问题。如果确定存在与内部只读存储器(internalread-onlymemory,IROM)的引导代码相关联的问题(例如,与引导过程相关联的问题),则重新制造内部只读存储器可为耗时且成本高昂的。举例来说,用于对引导代码问题进行定址的代码模拟及验证过程以及基于经过修改的引导代码对内部只读存储器进行的重新制造可消耗资源。另外,在对掩模式只读存储器(Read-OnlyMemory,ROM)进行修改以制造内部只读存储器时会额外地消耗成本及资源。
技术实现思路
本专利技术的各个方面提供一种能够在改变内部只读存储器的引导代码的运行的同时节约时间及成本的半导体系统。在本专利技术的一些实施例中,提供一种用于操作半导体系统的方法,所述方法能够在解决与内部只读存储器的引导代码相关联的问题的同时节约时间及成本。然而,所属领域中的普通技术人员将理解,本专利技术的各个方面并非仅限于本文所述的方面且存在许多其他实施例。通过参照说明书、权利要求书、及随附图式,对本专利技术实施例所属领域中的普通技术人员来说本专利技术的各个方面将变得更显而易见。根据本专利技术的一方面,提供一种半导体系统,所述半导体系统包括:非易失性存储器,存储补丁代码,所述补丁代码包括唯一识别符(uniqueidentifier,ID);内部只读存储器(IROM),存储引导代码,所述引导代码包括用于执行所述补丁代码的补丁代码执行功能及用于规定将要执行的所述补丁代码的存储位置的链接寄存器(linkedregister,LR)地址;静态随机存取存储器(staticrandommemory,SRAM),在所述存储位置处存储所述补丁代码的副本,所述补丁代码的所述副本包括唯一识别符;以及处理器,从所述存储位置执行所述补丁代码的所述副本,其中当执行所述补丁代码执行功能时,所述补丁代码执行功能利用比较来将存储在所述非易失性存储器中的所述补丁代码的所述唯一识别符与从所述引导代码提供的所述链接寄存器地址进行比较,且其中所述处理器根据所述比较结果来执行存储在所述静态随机存取存储器中的所述存储位置处的所述补丁代码的所述副本。根据本专利技术的另一方面,提供一种半导体系统,所述半导体系统包括:非易失性存储器,存储补丁代码,所述补丁代码包括唯一识别符(ID);内部只读存储器(IROM),存储引导代码,所述引导代码包括用于执行所述补丁代码的补丁代码执行功能及用于规定将要执行所述补丁代码的存储位置的链接寄存器(LR)地址;以及处理器,其中当执行所述补丁代码执行功能时,所述补丁代码执行功能将存储在所述非易失性存储器中的所述补丁代码的所述唯一识别符与从所述引导代码提供的所述链接寄存器地址进行比较,且其中所述处理器根据所述比较结果来执行所述补丁代码。根据本专利技术的再一方面,提供一种操作半导体系统的方法,所述方法包括:提供非易失性存储器,所述非易失性存储器存储包括唯一识别符(ID)的补丁代码;提供存储引导代码的内部只读存储器(IROM),所述引导代码包括用于执行所述补丁代码的补丁代码执行功能及用于规定将要执行的所述补丁代码的存储位置的链接寄存器(LR)地址;提供静态随机存取存储器(SRAM),所述静态随机存取存储器在所述存储位置处存储所述补丁代码的副本,所述补丁代码的所述副本包括所述唯一识别符;当执行所述补丁代码执行功能时,将存储在所述非易失性存储器中的所述补丁代码的所述唯一识别符与从所述引导代码提供的所述链接寄存器地址进行比较;以及根据所述比较结果来执行存储在所述静态随机存取存储器中的所述补丁代码的所述副本。根据本专利技术的再一方面,提供一种操作半导体系统的方法。所述方法包括提供其中存储有补丁代码的非易失性存储器,所述补丁代码包括唯一识别符(ID)。内部只读存储器存储引导代码,所述引导代码包括用于执行所述补丁代码的补丁代码执行功能且进一步存储用于规定将要执行的所述补丁代码的存储位置的链接寄存器地址。将所述补丁代码的副本存储在随机存取存储器中的存储位置处,所述补丁代码的所述副本包括所述唯一识别符。响应于对所述唯一识别符与所述链接寄存器地址进行的比较来执行存储在所述存储位置处的所述补丁代码的所述副本。附图说明通过参照附图详细阐述本专利技术的示例性实施例,本专利技术的这些及其它方面及特征将变得显而易见,在附图中:图1是说明根据本专利技术一些实施例的半导体系统的示意图。图2是表示根据本专利技术一些实施例的半导体系统中所使用的引导代码的示意图。图3是表示根据本专利技术一些实施例的半导体系统的操作的实例的示意图。图4是表示根据本专利技术一些实施例的半导体系统的操作的实例的示意图。图5是说明根据本专利技术一些实施例的操作半导体装置的方法的流程图。图6是说明根据本专利技术一些实施例的操作半导体装置的方法的流程图。[符号的说明]1:半导体系统;10:处理器;20:内部只读存储器;30:静态随机存取存储器;31:副本;33:唯一识别符;35:逻辑部分;40:一次性可编程存储器;41:补丁代码;50:总线;60:链接寄存器地址;100:传统引导代码/引导代码;200:本专利技术引导代码/引导代码;S501、S503、S505、S507、S509、S511、S601、S603、S605、S607、S609:步骤。具体实施方式图1是说明根据本专利技术一些实施例的半导体系统的示意图。参照图1,根据本专利技术一些实施例的半导体系统1包括处理器10、内部只读存储器(IROM)20、静态随机存取存储器(SRAM)30、及一次性可编程存储器(one-timeprogrammablememory,OTP)40。处理器10、内部只读存储器20、静态随机存取存储器30及一次性可编程存储器40可沿着总线50彼此交换数据、地址及命令。处理器10被配置成执行程序代码以控制半导体系统1。在本专利技术的一些实施例中,处理器10可包括中央处理器(centralprocessingunit,CPU)、图形处理器(graphicprocessingunit,GPU)、应用处理器(applicationprocessor,AP)、数字信号处理器(digitalsignalprocessor,DSP)及所属领域中的普通技术人员所知的其他类型的处理器。本专利技术的范围并非仅限于此处作为示例性处理器类型所列出的这些处理器类型。内部只读存储器20包括存储在内部只读存储器20中的程序代码。在半导体系统1运行期间可利用程序代码。一般来说,存在于内部只读存储器中的程序代码保持静态且不会在运行期间改变。在本专利技术中,内部只读存储器被用于操作性用途。举例来说,如本文所公开,内部只读存储器20可包括与半导体系统1的引导步骤相关的程序代码(也被称为引导代码)。内部只读存储器20在已被制造成产品时通常无法改变其内容。如图中所示,静态随机存取存储器30是在操作期间可存储例如由处理器10执行的程序编码等数据的位置的实例。静态随机存取存储器的内容在操作期间可有所变化,例如作为由处理器10执行的读取/写入/命令指令的结果。尽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体系统,其特征在于,包括:非易失性存储器,存储补丁代码,所述补丁代码包括唯一识别符;内部只读存储器,存储引导代码,所述引导代码包括用于执行所述补丁代码的补丁代码执行功能及用于规定将要执行的所述补丁代码的存储位置的链接寄存器地址;静态随机存取存储器,在所述存储位置处存储所述补丁代码的副本,所述补丁代码的所述副本包括所述唯一识别符;以及处理器,从所述存储位置执行所述补丁代码的所述副本,其中当执行所述补丁代码执行功能时,所述补丁代码执行功能将存储在所述非易失性存储器中的所述补丁代码的所述唯一识别符与从所述引导代码提供的所述链接寄存器地址进行比较,且其中所述处理器根据所述比较的结果来执行存储在所述静态随机存取存储器中的所述存储位置处的所述补丁代码的所述副本。

【技术特征摘要】
2017.02.01 KR 10-2017-00142161.一种半导体系统,其特征在于,包括:非易失性存储器,存储补丁代码,所述补丁代码包括唯一识别符;内部只读存储器,存储引导代码,所述引导代码包括用于执行所述补丁代码的补丁代码执行功能及用于规定将要执行的所述补丁代码的存储位置的链接寄存器地址;静态随机存取存储器,在所述存储位置处存储所述补丁代码的副本,所述补丁代码的所述副本包括所述唯一识别符;以及处理器,从所述存储位置执行所述补丁代码的所述副本,其中当执行所述补丁代码执行功能时,所述补丁代码执行功能将存储在所述非易失性存储器中的所述补丁代码的所述唯一识别符与从所述引导代码提供的所述链接寄存器地址进行比较,且其中所述处理器根据所述比较的结果来执行存储在所述静态随机存取存储器中的所述存储位置处的所述补丁代码的所述副本。2.根据权利要求1所述的半导体系统,其特征在于,所述非易失性存储器原样地存储所述补丁代码。3.根据权利要求1所述的半导体系统,其特征在于,所述非易失性存储器包括一次性可编程存储器。4.根据权利要求3所述的半导体系统,其特征在于,所述补丁代码被编程到包括所述一次性可编程存储器的所述非易失性存储器中。5.根据权利要求1所述的半导体系统,其特征在于,在所述半导体系统的引导操作期间,存储在所述非易失性存储器中的所述补丁代码被复制到所述静态随机存取存储器中。6.根据权利要求1所述的半导体系统,其特征在于,如果存储在所述静态随机存取存储器中的所述补丁代码的所述副本的所述唯一识别符是预定值,则所述处理器不执行所述补丁代码。7.根据权利要求1所述的半导体系统,其特征在于,如果存储在所述静态随机存取存储器中的所述补丁代码的所述副本的所述唯一识别符与从所述引导代码提供的所述链接寄存器地址相同,则所述处理器执行所述补丁代码。8.根据权利要求1所述的半导体系统,其特征在于,如果存储在所述静态随机存取存储器中的所述补丁代码的所述副本的所述唯一识别符与从所述引导代码提供的所述链接寄存器地址不同,则所述处理器不执行所述补丁代码。9.一种半导体系统,其特征在于,包括:非易失性存储器,存储补丁代码,所述补丁代码包括唯一识别符;内部只读存储器,存储引导代码,所述引导代码包括用于执行所述补丁代码的补丁代码执行功能及用于规定将要执行的所述补丁代码的存储位置的链接寄存器地址;以及处理器,其中当执行所述补丁代码执行功能时,所述补丁代码执行功能将存储在所述非易失性存储器中的所述补丁代码的所述唯一识别符与从所述引...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴相旭姜奉春李清祐申熙东
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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