SiC晶片的生成方法技术

提供晶片生成方法，其能够经济地从单晶SiC晶锭生成晶片。一种SiC晶片的生成方法，其包括下述工序：端面平坦化工序，使晶锭(2)的端面平坦化；剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成将晶片剥离的剥离层(42)；硬板配设工序，利用粘接剂将硬板(44)配设于形成有剥离层(42)的晶锭(2)的端面；和剥离工序，将SiC晶片(58)与硬板(44)一同从晶锭(2)的剥离层(42)剥离。

The generation method of SiC chip

A wafer generation method is provided to generate wafers economically from single crystal SiC ingots. A method for generating a SiC chip, which includes the following process: a flat chemical sequence of the end face to flatten the end face of a crystal ingot (2), and a stripping layer forming process to locate the spotlight point (FP) of a laser light (FP) with a wavelength of the transmittance of the single crystal (LB) at the end of the crystal ingot (2) equivalent to the depth of the thickness of the SiC wafer to be generated, The crystal ingot (2) is irradiated with laser light (LB) to form a stripping layer (42), which is stripped of the wafer. The hard plate is matched by a hard plate (44) with a crystal ingot (2) forming a stripped layer (42); and the stripping process is stripped from the stripping layer (42) of the ingot (2) with the hard plate (58) together with the hard plate (44).

【技术实现步骤摘要】
SiC晶片的生成方法
本专利技术涉及一种晶片生成方法，其从单晶SiC晶锭生成晶片。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线进行划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线进行划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件，分割得到的各器件被用于移动电话、个人计算机等电子设备中。形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(参见专利文献1)。但是，在利用划片锯将晶锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，晶锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是在单晶SiC晶锭中，其硬度高，难以利用划片锯进行切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面存在问题。因此，有人提出了下述技术：将波长对于单晶SiC具有透过性的激光光线的聚光点定位在单晶SiC晶锭的内部来对单晶SiC晶锭照射激光光线，从而在切断预定面上形成改质层，沿着形成有改质层的切断预定面将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离(参见专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-94221号公报专利文献2：日本特开2013-49161号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在将晶片从晶锭剥离时、或者在晶片的正面形成器件时，为了使晶片具有强度而将从单晶SiC晶锭剥离的SiC晶片的厚度设定为700～800μm的程度，在将SiC晶片分割成各个器件时，为了改善散热性而将SiC晶片的背面磨削500～600μm的程度，将SiC晶片的厚度减薄至100μm左右，因而在更经济地生成SiC晶片的方面存在要解决的问题。由此，本专利技术的目的在于提供一种SiC晶片的生成方法，其能够经济地从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。用于解决课题的手段根据本专利技术，提供一种晶片生成方法，其为从单晶SiC晶锭生成SiC晶片的SiC晶片的生成方法，该晶片生成方法具备下述工序：端面平坦化工序，使单晶SiC晶锭的端面平坦化；剥离层形成工序，在实施该端面平坦化工序后，将波长对于单晶SiC具有透过性的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成将SiC晶片剥离的剥离层；硬板配设工序，利用粘接剂将硬板配设于形成有剥离层的单晶SiC晶锭的端面；剥离工序，在实施该硬板配设工序后，将SiC晶片与该硬板一同从单晶SiC晶锭的剥离层剥离；剥离面平坦化工序，使从单晶SiC晶锭剥离的SiC晶片的剥离面平坦化；和器件形成工序，在平坦化后的剥离面形成器件。优选的是，单晶SiC晶锭具有：第一面；该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面且相对于该第一面的垂线倾斜的c轴；和与该c轴垂直的c面，由该c面和该第一面形成偏离角，在该剥离层形成工序中，将波长对于单晶SiC具有透过性的激光光线的聚光点定位在距离该第一面相当于SiC晶片的厚度的深度，并且在与形成该偏离角的第2方向垂直的第1方向上使单晶SiC晶锭和该聚光点相对地移动，形成直线状的改质层和裂纹，该直线状的改质层是SiC分离成Si和C、接下来照射的激光光线被之前形成的C吸收而将SiC连锁性地分离成Si和C所形成的，在形成该偏离角的方向上使单晶SiC晶锭和该聚光点相对地移动，转位规定量，形成剥离层。专利技术效果本专利技术的SiC晶片的生成方法利用硬板对SiC晶片进行增强，从而无需为了防止在将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离时或在SiC晶片的正面形成器件时等的SiC晶片的损伤而使SiC晶片的厚度较厚为700～800μm的程度来使SiC晶片具有强度，即便SiC晶片的厚度较薄为200μm左右，也能防止在将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离时或在SiC晶片的正面形成器件时等的SiC晶片的损伤。因此，在本专利技术的SiC晶片的生成方法中，能够使从单晶SiC晶锭剥离的SiC晶片的厚度较薄为200μm左右，因而能够削减为了改善散热性而将SiC晶片薄化时被磨削(被舍弃)的量，并且能够增大能够从单晶SiC晶锭生成的晶片数量，能够更经济地从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。附图说明图1是单晶SiC晶锭的主视图(a)、俯视图(b)和立体图(c)。图2是示出实施端面平坦化工序的状态的立体图。图3是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图(a)和主视图(b)。图4是形成有剥离层的单晶SiC晶锭的俯视图(a)、B-B线剖视图(b)和D部放大图(c)。图5是示出实施硬板配设工序的状态的立体图。图6是示出实施剥离工序的状态的立体图(a)以及与硬板一同被剥离的晶片的立体图(b)。图7是示出实施剥离面平坦化工序的状态的立体图。图8是形成有器件的晶片的立体图。图9是示出实施分割工序的状态的立体图。图10是分割成各个器件的晶片的立体图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的晶片生成方法的实施方式进行说明。图1所示的整体为圆柱形状的六方晶单晶SiC晶锭2(以下称为“晶锭2”)具有：圆形状的第一面4；第一面4的相反侧的圆形状的第二面6；位于第一面4和第二面6之间的周面8；从第一面4至第二面6的c轴(<0001>方向)；和与c轴垂直的c面({0001}面)。在图示的晶锭2中，c轴相对于第一面4的垂线10倾斜，由c面和第一面4形成偏离角α(例如α＝1、3、6度)。在图1中用箭头A表示形成偏离角α的方向。另外，在晶锭2的周面8上形成有表示晶体取向的矩形状的第一定向平面12和第二定向平面14。第一定向平面12与形成偏离角α的方向A平行，第二定向平面14与形成偏离角α的方向A垂直。如在图1的(b)中所示的那样，在垂线10的方向上观察，第二定向平面14的长度L2比第一定向平面12的长度L1短(L2<L1)。在本实施方式中，首先实施使晶锭2的端面平坦化的端面平坦化工序。端面平坦化工序例如可以使用在图2中示出其一部分的磨削装置16来实施。磨削装置16具备卡盘工作台18和磨削单元20。构成为在上表面吸附被加工物的卡盘工作台18利用旋转单元(未图示)以沿上下方向延伸的轴线为中心进行旋转。磨削单元20与电动机(未图示)连结，并且包括沿上下方向延伸的圆柱状的主轴22和固定于主轴22的下端的圆盘状的磨轮安装座24。在磨轮安装座24的下表面利用螺栓26固定有环状的磨削磨轮28。在磨削磨轮28的下表面的外周边缘部固定有在圆周方向隔开间隔以环状配置的多个磨削磨具30。如图2所示，磨削磨轮28的旋转中心相对于卡盘工作台18的旋转中心位移成磨削磨具30通过卡盘工作台18的旋转中心。因此，一边使卡盘工作台18与磨削磨轮28相互旋转，一边使保持于卡盘工作台18的上表面的被加工物的上表面与磨削磨具30接触的情况下，被加工物的整个上表面被磨削磨具30磨削。继续参照图2进行说明，在端面平坦化工序中，首先使所要磨削的晶锭2的端面(图示的实施方式中为第一面4)朝上，使晶锭2吸附于磨削装置16的卡盘工作台18的上表面。或者，也可以使粘接剂(例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片生成方法，其为从单晶SiC晶锭生成SiC晶片的SiC晶片的生成方法，该晶片生成方法具备下述工序：端面平坦化工序，使单晶SiC晶锭的端面平坦化；剥离层形成工序，在实施该端面平坦化工序后，将波长对于单晶SiC具有透过性的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成将SiC晶片剥离的剥离层；硬板配设工序，利用粘接剂将硬板配设于形成有剥离层的单晶SiC晶锭的端面；剥离工序，在实施该硬板配设工序后，将SiC晶片与该硬板一同从单晶SiC晶锭的剥离层剥离；剥离面平坦化工序，使从单晶SiC晶锭剥离的SiC晶片的剥离面平坦化；和器件形成工序，在平坦化后的剥离面形成器件。

【技术特征摘要】
2017.01.31 JP 2017-0157421.一种晶片生成方法，其为从单晶SiC晶锭生成SiC晶片的SiC晶片的生成方法，该晶片生成方法具备下述工序：端面平坦化工序，使单晶SiC晶锭的端面平坦化；剥离层形成工序，在实施该端面平坦化工序后，将波长对于单晶SiC具有透过性的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成将SiC晶片剥离的剥离层；硬板配设工序，利用粘接剂将硬板配设于形成有剥离层的单晶SiC晶锭的端面；剥离工序，在实施该硬板配设工序后，将SiC晶片与该硬板一同从单晶SiC晶锭的剥离层剥离；剥离面平坦化工序，使从单晶SiC晶锭剥离的SiC晶片的剥...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP