一种抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种抗耐压冲击软关断IGBT器件结构及其制造方法，在IGBT器件的截面上，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的上表面为第一主面，下表面为第二主面，第二主面侧设置有第二导电类型集电区，其特征在于，在第二主面侧，第二导电类型集电区与第一导电类型漂移区间设置有第一导电类型电场缓冲层，从第一主面指向第二主面的方向上，第一导电类型电场缓冲层中第一导电类型杂质离子的掺杂浓度分布呈梯度逐渐增大；本实用新型专利技术通过优化背面电场缓冲层结构，用于弱化电场下降斜率，提升器件耐电压冲击能力，同时降低空穴的复合速率，降低电流的关断速度，实现器件的软关断特性。

A IGBT device structure with anti pressure impact and soft turn off

The utility model, which belongs to the technical field of semiconductor devices, relates to an anti pressure impact soft shutoff IGBT device structure and a manufacturing method. On the cross section of the IGBT device, the first conductive type drift region is included, the upper surface of the first conductive type drift region is the first main surface, the lower surface is second main surfaces, and the second main side is side set. There is a second conductive type collector region, which is characterized by the first conducting type electric field buffer layer on the second main surface side and the first conductive type drift zone, and the first conductive type of the first conductive type impurity ion in the first conductive type electric field in the direction of the second main surface. The distribution of doping concentration increases gradually. By optimizing the structure of the back electric field buffer layer, the utility model is used to weaken the slope of the electric field, improve the voltage shock resistance of the device, reduce the compound rate of the hole, reduce the closing speed of the current, and realize the soft switching characteristic of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构
本技术涉及一种IGBT器件结构，尤其是一种抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构，属于半导体器件的制造

技术介绍
IGBT的全称是InsulateGateBipolarTransistor，即绝缘栅双极晶体管。它兼具MOSFET和GTR的多项优点，极大的扩展了功率半导体器件的应用领域。作为新型电力半导体器件的主要代表，IGBT被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。IGBT是目前最重要的功率器件之一。IGBT由于具有输入阻抗高,通态压降低，驱动电路简单，安全工作区宽，电流处理能力强等优点，在各种功率开关应用中越来越引起人们的重视。它在电机控制，中频开关电源和逆变器、机器人、空调以及要求快速低损耗的许多领域有着广泛的应用。IGBT的抗耐压冲击能力是考核器件可靠性的重要指标之一，现有的IGBT技术中多数是通过提高终端耐压能力，或者降低元胞表面电场，如专利ZL201620229014.5具有载流子存储结构的IGBT器件等。IGBT关断电流过快将会引起电压的过冲及EMI效应，因此也是IGBT器件的主要优化方向之一，现有的软关断IGBT技术，如专利CN201710827889具有软关断特性的FS型IGBT器件，是通过在第一导电类型漂移区设置高电离率区域实现，该方法的缺点是，工艺实现较为困难。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提出了一种抗耐压冲击软关断IGBT器件结构及其制造方法，通过优化背面电场缓冲层结构，用于弱化电场下降斜率，提升器件耐电压冲击能力，同时降低空穴的复合速率，降低电流的关断速度，实现器件的软关断特性，本技术制作工艺与现有IGBT工艺兼容，不增加产品技术难度和工艺成本。为实现以上技术目的，本技术的技术方案是：一种抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构，包括：在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于器件中心区的有源区和位于有源区外围的终端保护区；在所述IGBT器件的截面上，包括第一导电类型漂移区，所述第一导电类型漂移区的上表面为第一主面，下表面为第二主面，所述第二主面侧设置有第二导电类型集电区，其特征在于，在第二主面侧，所述第二导电类型集电区与第一导电类型漂移区间设置有第一导电类型电场缓冲层，从第一主面指向第二主面的方向上，所述第一导电类型电场缓冲层中第一导电类型杂质离子的掺杂浓度分布呈梯度逐渐增大。进一步地，所述第一导电类型电场缓冲层为一层或多层。进一步地，所述第一导电类型电场缓冲层中第一导电类型杂质离子的掺杂浓度大于第一导电类型漂移区，且靠近第二导电类型层集电区侧的杂质浓度高于靠近第一导电类型漂移区侧的杂质浓度。进一步地，所述第二导电类型集电区上设置有集电极金属，所述集电极金属与第二导电类型集电区欧姆接触。进一步地，在所述IGBT器件的截面上，在第一主面上，有源区内，设置有多个被绝缘绝缘介质层包围的沟槽栅电极，各个沟槽栅电极两侧设置有第二导电类型体区，第二导电类型体区内设置有第一导电类型发射区，第二导电类型体区和第一导电类型发射区均与发射极金属欧姆接触；所述沟槽栅电极与发射极金属间被绝缘绝缘介质层隔离，且在任一方向上与发射极金属均无电性连通。进一步地，对于N型IGBT器件，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；对于P型IGBT器件，所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。为了进一步实现以上技术目的，本技术还提出一种抗耐压冲击的IGBT器件结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：提供一半导体基板，选取第一导电类型半导体材料作为衬底；第二步：在所述半导体基板上，通过外延工艺生长第一层电场缓冲层；第三步：在第一层电场缓冲层上继续生长第二层电场缓冲层，直至第N层电场缓冲层，完成第一导电类型电场缓冲层的制作；第四步：在第一导电类型电场缓冲层上，通过外延工艺生长第一导电类型漂移区；第五步：在第一主面上，淀积用于刻蚀沟槽的硬掩膜层；第六步：通过光刻胶选择性的掩蔽，对硬掩膜层进行刻蚀，形成多个用于沟槽刻蚀的硬掩膜窗口，通过硬掩膜窗口，利用各项异性刻蚀在第一导电类型漂移区内形成多个沟槽结构；第七步：按照常规沟槽栅结构IGBT工艺流程，依次形成栅氧化层、栅电极、第二导电类型体区；第八步：在第一主面上，选择性的注入第一导电类杂质，在第二导电类型体区内形成第一导电类型发射区；第九步：在第一主面上，淀积绝缘介质层，选择性的刻蚀绝缘介质层形成通孔，在通孔内注入第二导电类型杂质，在通孔下方形成第二导电类型高浓度区域；第十步，在第一主面上，淀积金属，通过光刻胶掩蔽，选择性刻蚀金属，形成发射极金属电极；第十一步，对第二主面侧的半导体基板衬底进行减薄，减薄至第一导电类型电场缓冲层与衬底边界，并通过半导体工艺，形成与第一导电类型电场缓冲层邻接的第二导电类型集电区；第十步，在第二导电类型集电区背面淀积金属，形成集电极金属电极。进一步地，所述第二步和第三步可以省略，并将第十一步替换为：对第二主面侧的半导体基板衬底进行减薄，减薄至指定厚度，通过多次高能粒子注入第一导电类型杂质，再进行一次低能量第二导电类型杂质注入，然后激光退火，在第二主面形成高浓度且呈梯度分布的第一导电类型电场缓冲层及第二导电类型集电区。进一步地，所述步骤二和步骤三中的第一层电场缓冲层至第N层电场缓冲层中的第一导电类型杂质离子的掺杂浓度呈梯度逐渐降低。进一步地，所述半导体基板包括硅基板。与传统功率IGBT器件相比，本技术具有以下优点：1）本技术IGBT器件在正向阻断时，逐步渐变的高浓度第一导电类型缓冲层，使得电场缓慢截止，避免了电场的突变，因此使IGBT器件抗电压冲击能力得到大幅提升；2）同时在器件关断过程中降低空穴的复合速率，降低电流的关断速度，实现器件的软关断特性；3）本技术制作工艺与现有IGBT工艺兼容，不增加产品技术难度和工艺成本。附图说明图1是现有的电场截止型IGBT器件的剖面图。图2是本技术实施例的抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构剖面图。图3（a）~图3（i）是本技术实施例中IGBT器件制造方法剖面示意图，其中：图3（a）为半导体基板衬底剖面图。图3（b）为形成N型电场缓冲层的剖面图。图3（c）为形成N型漂移区的剖面图。图3（d）为形成硬掩膜层的剖面图。图3（e）为形成沟槽结构的剖面图。图3（f）为形成P型体区、栅电极和栅氧化层的剖面图。图3（g）为形成绝缘介质层、通孔和P+区域的剖面图。图3（h）为第一主面侧器件结构完成之后的剖面图。图3（i）为第一主面侧P型集电区形成之后剖面图。图4为现有的电场截止型IGBT器件的电场分布示意图。图5为本技术实施例的抗耐压冲击软关断的IGBT器件的电场分布示意图。附图标记说明：1-衬底、2-N型电场缓冲层、2-1-第一层电场缓冲层、2-2-第二层电场缓冲层、2-3-第三层电场缓冲层、3-N型漂移区、4-硬掩膜层、5-沟槽结构、6-栅氧化层、7-栅电极、8-P型体区、9-N型发射区、10-绝缘介质层、11-P型高浓度区域、12-发射极金属、13-P型集电区、14-集电极金属电极。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本技术作进一步说明。如图2所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构，包括：在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于器件中心区的有源区和位于有源区外围的终端保护区；在所述IGBT 器件的截面上，包括第一导电类型漂移区，所述第一导电类型漂移区的上表面为第一主面，下表面为第二主面，所述第二主面侧设置有第二导电类型集电区，其特征在于，在第二主面侧，所述第二导电类型集电区与第一导电类型漂移区间设置有第一导电类型电场缓冲层，从第一主面指向第二主面的方向上，所述第一导电类型电场缓冲层中第一导电类型杂质离子的掺杂浓度分布呈梯度逐渐增大。

【技术特征摘要】
1.一种抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构，包括：在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于器件中心区的有源区和位于有源区外围的终端保护区；在所述IGBT器件的截面上，包括第一导电类型漂移区，所述第一导电类型漂移区的上表面为第一主面，下表面为第二主面，所述第二主面侧设置有第二导电类型集电区，其特征在于，在第二主面侧，所述第二导电类型集电区与第一导电类型漂移区间设置有第一导电类型电场缓冲层，从第一主面指向第二主面的方向上，所述第一导电类型电场缓冲层中第一导电类型杂质离子的掺杂浓度分布呈梯度逐渐增大。2.根据权利要求1所述的一种抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构，其特征在于，所述第一导电类型电场缓冲层为一层或多层。3.根据权利要求1所述的抗耐压冲击软关断的IGBT器件结构，其特征在于，所述第一导电类型电场缓冲层中第一导电类型杂质离子的掺杂浓度大于第一导电类型漂移区，且靠近第二导电类型层集电区侧的杂质浓度高于靠近第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，张硕，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32