The utility model relates to the field of transistor technology, in particular to a IGBT package structure, including a floor, a DCB layer welded on the upper end of the bottom plate, and a IGBT chip welded on the upper end of the DCB layer. The DCB layer is in turn from the bottom to the upper part of the copper layer, the ceramic layer and the aluminum layer. The utility model is in DCB by setting the floor and welding on the DCB layer of the floor, in DCB The layer welding chip makes the IGBT device have more efficient heat dissipation performance, and the result is simple and easy to package. In addition, the utility model uses copper layer, ceramic layer and aluminum layer to form the DCB layer, which ensures high efficiency heat dissipation, reduces the weight of the device, adapts to the trend of light quantization during the electronic period and increases the market. Competitiveness of the field.
【技术实现步骤摘要】
一种IGBT封装结构
本技术涉及晶体管
,具体涉及一种IGBT封装结构。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广,但由于IGBT器件在电路中承载的电流大,功率密度高,因此需要更好的散热能力,但由于我国对IGBT研究起步晚,目前的封装结构设计中,散热性能和封装成本不能达到最佳,因此,亟待开发一种成本低,结构简单且散热性能好的IGBT封装结构。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本技术的目的在于提供一种散热性能好的IGBT封装结构。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种IGBT封装结构,包括底板、焊接于底板上端的DCB层、焊接于DCB层上端的IGBT芯片,所述DCB层从下到上依次为铜层、陶瓷层、铝层。进一步的,陶瓷层为氮化铝层或氮化硼层。氮化铝层或氮化硼层具有导热性能好、无毒害、加工性能好等特点,可加快芯片的散热。进一步的,所述底板为铜底板。进一步的,DCB层中铜层、陶瓷层及铝层的厚度比为1:4-6:1。进一步的,DCB层中铜层、陶瓷层及铝层的厚度比为1:5:1。进一步的,底板的厚度与DCB层的厚度之和为10mm。优选的,底板的厚度为5mm,DCB层的厚度为5mm。更为优选的, ...
【技术保护点】
1.一种IGBT封装结构,其特征在于:包括底板、焊接于底板上端的DCB层、焊接于DCB层上端的IGBT芯片,所述DCB层从下到上依次为铜层、陶瓷层、铝层,所述陶瓷层为氮化铝层或氮化硼层,所述底板的厚度与DCB层的厚度之和为10mm,所述DCB层中铜层、陶瓷层及铝层的厚度比为1:5:1。
【技术特征摘要】
1.一种IGBT封装结构,其特征在于:包括底板、焊接于底板上端的DCB层、焊接于DCB层上端的IGBT芯片,所述DCB层从下到上依次为铜层、陶瓷层、铝层,所述陶瓷层为氮化铝层或氮化硼层,所述底板的厚度与DCB层的厚度之和为10mm,所述DCB层中铜层、陶瓷层及铝层的厚度比为1:5:1。2.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:龙立,
申请(专利权)人:广东瑞森半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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