一种电致发光器件制造技术

本申请公开一种电致发光器件。该电致发光器件依次包括：基板、阳极、空穴传输层、电子给体层、电子受体层、无机发光层、电子传输层、阴极，所述电子给体层承载的有机电子给体分子和所述电子受体层承载的有机电子受体分子形成界面激基复合物。本申请实施例通过增加电子给体层和电子受体层，以形成作为主体的界面激基复合物，进而可利用界面激基复合物的三线态激子通过反向系间窜越转换为单线态激子，再通过荧光共振能量转移的方式敏化作为客体的无机发光层发光，从而实现提高发光效率的目的。

An electroluminescent device

The present application discloses an electroluminescent device. The electroluminescent device includes: substrate, anode, hole transmission layer, electron donor layer, electron acceptor layer, inorganic luminescent layer, electron transport layer, cathode, and the organic electron donor loaded by the electron donor layer and the organic electron acceptor molecules loaded by the electron acceptor layer to form an interface radical complex. By adding the electron donor layer and the electron acceptor layer to form the interface radical complex as the main body, the three wire exciton of the interface radical complex can be converted to a single wire exciton through the reverse system, and then the inorganic luminescence layer is sensitized as the object by the energy transfer of the fluorescence resonance. Therefore, the luminous efficiency can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种电致发光器件
本申请涉及显示
，尤其涉及一种电致发光器件。
技术介绍
电致发光(electroluminescent)，又可称电场发光，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。目前，有机/无机复合电致发光器件的无机材料发光机理可分为直接注入型和能量转移型，其中：注入型发光器件中，一方面无机发光层最高已占分子轨道(HOMO)能级太深(通常超过-6.5eV)，与有机空穴传输材料HOMO能级(-5～-6eV)不匹配，造成空穴从有机空穴传输层注入到无机发光层时，因界面势垒大而导致空穴注入比较困难。另一方面，无机发光层最低未占分子轨道(LUMO)能级也较深(接近-4eV)，电子从有机电子传输层注入到无机发光层时，通常无注入势垒，电子比较容易注入。因此无机发光层中的载流子注入不平衡，导致器件发光效率低。能量转移型发光器件中，从有机主体分子到无机发光材料的荧光共振能量转移是无机客体材料发光的主要方式。在电致发光器件中，有机主体材料中生成的单线态激子比例为25％、三线态激子比例为75％，而通常单线态激子才能发生能量转移，三线态激子难以得到有效利用，导致器件发光效率低。由此，需要提供一种发光效率较高的电致发光器件。
技术实现思路
本申请实施例提供一种电致发光器件，用于解决现有的有机/无机复合电致发光器件发光效率较低的的问题。本申请实施例提供一种电致发光器件，依次包括：基板、阳极、空穴传输层、无机发光层、电子传输层、阴极，还包括：位于所述无机发光层和所述空穴传输层之间的电子给体层和位于所述电子给体层和所述无机发光层之间的电子受体层；所述电子给体层承载的有机电子给体分子和所述电子受体层承载的有机电子受体分子形成界面激基复合物。优选地，所述有机电子给体分子的最高已占分子轨道HOMO能级为-5.0～-6.0eV，最低未占分子轨道LUMO能级为-2.0V～-3.0eV。优选地，所述有机电子受体分子的HOMO能级为-5.5ev～-6.8eV，LUMO能级为-2.4～-3.5eV。优选地，所述有机电子给体分子的HOMO与所述有机电子受体分子的LUMO的能级差为2.0V～3.0eV；所述有机电子给体分子的HOMO与所述有机电子受体分子的HOMO的能级差为0.2～2.0eV；所述有机电子给体分子的LUMO与所述有机电子受体分子的LUMO的能级差为0.2～2.0eV；所述有机电子给体分子和所述有机电子受体分子形成的界面激基复合物的单线态与三线态的能级差小于0.4eV。优选地，所述无机发光层的量子点类发光材料的HOMO能级为-6.0～-7.5eV，LUMO能级为-3.5～-4.8eV；或者，所述无机发光层的钙钛矿类发光材料的HOMO能级为-5.4～-6.5eV，LUMO能级为-3.0～-4.0eV。优选地，所述电子受体层的厚度为4～10nm。优选地，还包括：电子阻挡层；所述电子阻挡层位于所述空穴传输层与所述电子给体层之间。优选地，还包括：空穴阻挡层；所述空穴阻挡层位于所述无机发光层和所述电子传输层之间。本申请实施例还提供一种电致发光器件，依次包括：基板、阴极、电子传输层、无机发光层、空穴传输层、阳极，还包括：位于所述无机发光层和所述空穴传输层的电子给体层和位于所述电子给体层和所述无机发光层的电子受体层；所述电子给体层承载的有机电子给体分子和所述电子受体层承载的有机电子受体分子形成界面激基复合物。优选地，所述电子传输层的材料为有机电子传输材料、氧化锌ZnO、氧化钛TiO2、氧化NiO中的一种或多种。本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：本申请实施例提供的电致器件，通过在无机发光层和空穴传输层之间增加电子给体层和电子受体层，以形成作为主体的界面激基复合物，进而可利用界面激基复合物的三线态激子通过反向系间窜越转换为单线态激子，再通过荧光共振能量转移的方式敏化作为客体的无机发光层发光，从而实现提高发光效率的目的。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1为本申请实施例1提供的一种电致发光器件的结构示意图；图2为本申请实施例1提供的一种电致发光器件的能级结构示意图；图3为本申请实施例1提供的一种电致发光器件的发光原理示意图；图4a-图4c为本申请实施例2提供的一种电致发光器件的能级结构示意图；图5为本申请实施例3提供的一种电致发光器件的结构示意图；图6为本申请实施例3提供的一种电致发光器件的能级结构示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。需要说明的是，在本申请实施例提供的电致发光器件中，最高已占分子轨道(HighestOccupiedMolecular，HOMO)为电子占有的分子轨道中，能量最高的分子轨道；最低未占分子轨道(LowestUnoccupiedMolecular，LUMO)为在电子未占有的分子轨道中，能量最低的分子轨道。Bphen为4,7-二苯基-1,10-菲啰啉；NPB为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺；TPBi为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。实施例1图1为本申请实施例1提供的一种电致发光器件的结构示意图。参见图1，该电致发光器件具体可依次包括：基板01、阳极02、空穴传输层03、无机发光层06、电子传输层07、阴极08，还包括：位于所述无机发光层06和所述空穴传输层03之间的电子给体层04和位于所述电子给体层04和所述无机发光层06之间的电子受体层05；所述电子给体层04承载的有机电子给体分子和所述电子受体层05承载的有机电子受体分子形成界面激基复合物。需要说明的是，激基复合物对应的界面激子又名电子空穴对，由一个电子和一个空穴组成。其中，电子从阴极方向注入，空穴从阳极方向注入。由于电子和空穴之间存在一定的距离(一般为几个nm)，由此，可认为是从电子给体层04和电子受体层05两层材料上形成，进而该界面激基复合物(界面激子)的HOMO能级和LUMO能级分别处于有机电子给体分子和有机电子受体分子上；而且，由于电子和空穴之间存在一定的距离，HOMO能级和LUMO能级的分离程度较高，因此，具有较小的单线态与三线态的能级差ΔEST，具体可以优选为小于0.4eV。为使得该界面激基复合物具有较小的ΔEST，电子给体层04和电子受体层05的材料可以具体为：m-TDATA/Bphen、m-TDATA/3TPYMB、NPB/TPBi等等。由此，本实施例能以界面激基复合物作为主体，将三线态激子转换为单线态激子，进而利用界面激基复合物的三线态激子通过反向系间窜越转换为单线态激子，再通过荧光共振能量转移的方式敏化作为客体的无机发光层发光，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致发光器件，依次包括：基板、阳极、空穴传输层、无机发光层、电子传输层、阴极，其特征在于，还包括：位于所述无机发光层和所述空穴传输层之间的电子给体层和位于所述电子给体层和所述无机发光层之间的电子受体层；所述电子给体层承载的有机电子给体分子和所述电子受体层承载的有机电子受体分子形成界面激基复合物。

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，依次包括：基板、阳极、空穴传输层、无机发光层、电子传输层、阴极，其特征在于，还包括：位于所述无机发光层和所述空穴传输层之间的电子给体层和位于所述电子给体层和所述无机发光层之间的电子受体层；所述电子给体层承载的有机电子给体分子和所述电子受体层承载的有机电子受体分子形成界面激基复合物。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述有机电子给体分子的最高已占分子轨道HOMO能级为-5.0～-6.0eV，最低未占分子轨道LUMO能级为-2.0V～-3.0eV。3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述有机电子受体分子的HOMO能级为-5.5ev～-6.8eV，LUMO能级为-2.4～-3.5eV。4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述有机电子给体分子的HOMO与所述有机电子受体分子的LUMO的能级差为2.0V～3.0eV；所述有机电子给体分子的HOMO与所述有机电子受体分子的HOMO的能级差为0.2～2.0eV；所述有机电子给体分子的LUMO与所述有机电子受体分子的LUMO的能级差为0.2～2.0eV；所述有机电子给体分子和所述有机电子受体分子形成的界面激基复合物的单线态与三线态的能级差小于0.4...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄根茂，黄秀颀，闵超，袁波，刘胜芳，徐琳，李雪原，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32