半导体封装结构制造技术

本揭露提供特殊热耦晶片的设计。特殊热耦晶片包含多种半导体封装结构。半导体封装结构包括第一重布层、载板和传感器。第一重布层具有第一表面和第二表面。载板设置于第一重布层的第一表面。传感器设置于第一重布层的第二表面，其中传感器不与第一重布层电连接。

Semiconductor packaging structure

This disclosure provides the design of a special thermocouple chip. Special thermally coupled wafers contain multiple semiconductor packaging structures. The semiconductor packaging structure includes the first redistribution layer, the carrier plate and the sensor. The first heavy cloth layer has a first surface and a second surface. The carrier plate is set on the first surface of the first heavy cloth layer. The sensor is arranged on the second surface of the first heavy cloth layer, wherein the sensor is not electrically connected with the first heavy cloth layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
本揭露涉及一种热耦晶片，特定来说，涉及可测量温度的热耦晶片。
技术介绍
在制造半导体装置的过程中，需要反复进行加热或降温的操作。一般来说，加热是透过将半导体装置放置于加热台上以提供所需热量。为生产的需要，可利用仿制(dummy)硅晶片所形成的热耦(thermalcouple)晶片来进行生产前测试操作，确认在加热过程中热量是否均匀传导到热耦晶片。然而，现行热耦晶片设置在加热台上方，且热耦晶片未包括任何线路层和封装元件，导致测试结果无法完全反映实际温度分布。例如实际欲生产的半导体装置，由于每个材料之间的CTE(coefficientofthermalexpansion)不尽相同，因此于受热时半导体装置会产生翘曲(warpage)现象，使得半导体装置的顶部和底部可能存在温度差，即半导体装置的顶部无法达到预设的加热温度，而影响加热质量。
技术实现思路
本揭露的一实施例提供一种半导体封装结构，其包括第一重布层，其具有第一表面和第二表面；载板，其设置于所述第一重布层的所述第一表面；和传感器，其设置于所述第一重布层的所述第二表面，其中所述传感器不与所述第一重布层电连接。在一或多个实施例中，所述第一重布层具有腔，所述传感器部分地设置于所述腔内。在一或多个实施例中，所述传感器内埋于所述第一重布层。在一或多个实施例中，所述传感器设置于所述第一重布层的所述第二表面上。在一或多个实施例中，所述载板包含选自玻璃、模制化合物、硅晶片的其中之一。在一或多个实施例中，所述载板包括一或多个组件，所述一或多个组件包含由所述载板包覆的至少一仿制组件。本揭露的另一实施例提供一种半导体封装结构的制造方法，包含：提供第一重布层，其具有第一表面和第二表面；提供载板，其设置于所述第一重布层的所述第一表面；和提供传感器，其设置于所述第一重布层的所述第二表面，其中所述传感器不与所述第一重布层电连接。在一或多个实施例中，制造方法包含提供加热装置，对所述半导体封装结构进行加热到预设温度。在一或多个实施例中，制造方法包含感测半导体封装结构的环境温度；计算所述预设温度与所述环境温度的温度差；和依据所述温度差调整所述加热装置的所述预设温度。在一或多个实施例中，所述感测温度约小于所述预设温度。附图说明由以下详细说明与附随图式得以最佳了解本申请案揭示内容的各方面。注意，根据产业的标准实施方式，各种特征并非依比例绘示。实际上，为了清楚讨论，可任意增大或缩小各种特征的尺寸。图1A为本揭露的一实施例的半导体封装结构的剖面图。图1B绘示本揭露的一实施例的传感器的位置。图1C绘示本揭露的一实施例的传感器的位置。图1D绘示本揭露的一实施例的传感器的位置。图2为本揭露的另一实施例的半导体封装结构的剖面图。图3为本揭露的另一实施例的半导体封装结构的剖面图。图4为本揭露的另一实施例的半导体封装结构的剖面图。图5为加热如图1A的实施例的半导体封装结构的剖面示意图。图6为本揭露的一实施例的半导体封装结构的俯视图。图7为制造本揭露的一实施例的半导体封装结构的流程图。具体实施方式本揭露提供了数个不同的实施方法或实施例，可用于实现本专利技术的不同特征。为简化说明起见，本揭露也同时描述了特定零组件与布置的范例。请注意提供这些特定范例的目的仅在于示范，而非予以任何限制。举例来说，在以下说明第一特征如何在第二特征上或上方的叙述中，可能会包含某些实施例，其中第一特征与第二特征为直接接触，而叙述中也可能包含其它不同实施例，其中第一特征与第二特征中间另有其它特征，以致于第一特征与第二特征并不直接接触。此外，本揭露中的各种范例可能使用重复的参考数字和/或文字注记，以使文件更加简单化和明确，这些重复的参考数字与注记不代表不同的实施例与配置之间的关联性。另外，本揭露在使用与空间相关的叙述词汇，如“在…之下”、“低”、“下”、“上方”、“上”、“在…之上”和类似词汇时，为便于叙述，其用法均在于描述图示中一个元件或特征与另一个(或多个)元件或特征的相对关系。除了图示中所显示的角度方向外，这些空间相对词汇也用来描述所述装置在使用中以及操作时的可能角度和方向。所述装置的角度方向可能不同(旋转90度或其它方位)，而在本揭露所使用的这些空间相关叙述可以同样方式加以解释。在本文中所使用的“第一”、“第二”、“第三”以及“第四”词语是描述各种元件、组件、区域、层、以及/或区段，这些元件、组件、区域、层、以及/或区段应不受限于这些词语。这些词语可仅用于一元件、组件、区域、层、或区段与另一元件、组件、区域、层、或区段。除非内文中清楚指明，否则当于本文中使用例如“第一”、“第二”、“第三”以及“第四”词语时，并非意指序列或顺序。本揭露所描述的特殊热耦晶片设计可以利用构建仿真实结构的方式，并于最上面绝缘层埋设传感器，通过此设计可以准确观察真实结构的温度分布，避免因测量工具温度分布偏差而产生的工艺问题。参阅图1A。图1A为本揭露的一实施例的半导体封装结构100的剖面图。如图1A所示，载板101具有表面102。重布层103设置于载板101的表面102上。重布层103具有表面104。重布层103可包含介电层103a和金属层103b。介电层103a包覆金属层103b。传感器105与表面104接触。传感器105不与重布层103电连接。传感器105不与金属层103b连接。载板101形成于仿制组件106上。仿制组件106形成于球下冶金层(UBM)107上。UBM107形成于载板108上。传感器105可与外部信息收集器109通信。传感器105与外部信息收集器109可经由物理线(未示出)连接。传感器105与外部信息收集器109可经由无线通信连接。图1B到1D绘示本揭露的一实施例的传感器的位置。参阅图1B，传感器105部分地设置于腔110内(如虚线所示)。腔110可部分地设置于重布层103中。腔110可部分地设置于介电层103a中。参阅图1C，传感器105内埋于所述重布层103。传感器105内埋于介电层103a。参阅图1D，传感器105设置于重布层103的表面104上。传感器105设置于介电层103a上。传感器105的长度可为约20毫米。传感器105的宽度可为约10毫米。传感器105的高度可为约1毫米。在一或多个实施例中，载板101包含选自玻璃、模制化合物、硅晶片的其中之一。载板101中并无有源电子元件。载板101可包括一或多个组件，所述一或多个组件可包含硅通孔(TSV，throughsiliconvia)111。载板108可包含选自玻璃、模制化合物、硅晶片的其中之一。参阅图2，图2为本揭露的另一实施例的半导体封装结构200的剖面图。如图2所示，载板201具有表面202。重布层203设置于载板201的表面202上。重布层203具有表面204。重布层203可包含介电层203a和金属层203b。介电层203a包覆金属层203b。传感器205与表面204接触。传感器205不与重布层203电连接。传感器205不与金属层203b连接。载板201可包含模制化合物。仿制裸片206可形成在载板201中。连接部207可形成在表面202与仿制裸片206之间。连接部207可使仿制裸片206与重布层203电连接。连接部207可为铜柱。传感器205与外部信息本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其包含：第一重布层，其具有第一表面和第二表面；载板，其设置于所述第一重布层的所述第一表面；和传感器，其设置于邻近所述第一重布层的所述第二表面，其中所述传感器不与所述第一重布层电连接。

【技术特征摘要】
2017.01.26 TW 1061033311.一种半导体封装结构，其包含：第一重布层，其具有第一表面和第二表面；载板，其设置于所述第一重布层的所述第一表面；和传感器，其设置于邻近所述第一重布层的所述第二表面，其中所述传感器不与所述第一重布层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一重布层具有腔，所述传感器部分地设置于所述腔内。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述传感器内埋于所述第一重布层。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述传感器设置于所述第一重布层的所述第二表面上。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述载板包含选自玻璃、模制化合物、硅晶片的其中之一。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71