A semiconductor device includes a semiconductor substrate, and the semiconductor substrate has a first region and a second region. Additionally, the semiconductor device includes an insulating structure that is transversely located between the first region and the second region in the semiconductor substrate. The insulating structure transversely electrically insulate the first region and the second region on the semiconductor substrate. The semiconductor device further includes a connection structure located at the surface of the semiconductor substrate. The connecting structure is in contact with at least one substructure of the insulating structure and at least one contact with the first region and the second region. Further, at least one sub structure of the connection structure has a resistivity greater than 1 * 103 ohms m and less than 1 * 1012 ohm m.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件和用于形成半导体器件的方法
实施例涉及用于半导体器件中的电绝缘的概念,并且具体涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件可以包括具有彼此电绝缘的若干个区域的半导体衬底。可能存在改善该区域的电绝缘性的期望。
技术实现思路
可能存在提供用于具有改善电绝缘性的半导体器件的概念的需求。这样的需求可以通过权利要求的主题来满足。一些实施例涉及一种半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底,该半导体衬底包括第一区域和第二区域。附加地,半导体器件包括绝缘结构,该绝缘结构横向地位于半导体衬底中的第一区域与第二区域之间。绝缘结构在半导体衬底中将第一区域与第二区域横向地电绝缘。该半导体器件进一步包括位于半导体衬底的表面处的连接结构。连接结构与绝缘结构的至少一个子结构接触,并且与第一区域和第二区域中的至少一个接触。附加地,连接结构的至少一个子结构具有大于1×103Ωm且小于1×1012Ωm的电阻率。一些实施例涉及用于形成半导体器件的方法。该方法包括形成绝缘结构,该绝缘结构横向地位于半导体衬底中的半导体衬底的第一区域与第二区域之间。绝缘结构在半导体衬底中将第一区域与第二区域横向地电绝缘。附加地,该方法包括形成连接结构,该连接结构位于半导体衬底的表面处。该连接结构与该绝缘结构的至少一个子结构接触,以及与第一区域和第二区域中的至少一个接触。进一步,该连接结构的至少一个子结构具有大于1×103Ωm且小于1×1012Ωm的电阻率。附图说明装置和/或方法的一些示例将在下面仅作为示例并参考附图来描述,其中图1示出了半导体器件的一部分的示意性截面图;图2示出了另一半导体器 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件(100、200、300、400、500、600、700、800、900),包括:半导体衬底(110),包括第一区域(120)和第二区域(130);绝缘结构(140),横向地位于所述半导体衬底(110)中的所述第一区域(120)与所述第二区域(130)之间,其中所述绝缘结构(140)在所述半导体衬底(110)中将所述第一区域(120)与所述第二区域(130)横向地电绝缘;以及连接结构(150),位于所述半导体衬底(110)的表面处,其中所述连接结构(150)与所述绝缘结构(140)的至少一个子结构接触,并且与所述第一区域(120)和所述第二区域(130)中的至少一个接触,并且其中所述连接结构(150)的至少一个子结构具有大于1×103Ωm且小于1×1012Ωm的电阻率。
【技术特征摘要】
2017.01.27 DE 102017101662.71.一种半导体器件(100、200、300、400、500、600、700、800、900),包括:半导体衬底(110),包括第一区域(120)和第二区域(130);绝缘结构(140),横向地位于所述半导体衬底(110)中的所述第一区域(120)与所述第二区域(130)之间,其中所述绝缘结构(140)在所述半导体衬底(110)中将所述第一区域(120)与所述第二区域(130)横向地电绝缘;以及连接结构(150),位于所述半导体衬底(110)的表面处,其中所述连接结构(150)与所述绝缘结构(140)的至少一个子结构接触,并且与所述第一区域(120)和所述第二区域(130)中的至少一个接触,并且其中所述连接结构(150)的至少一个子结构具有大于1×103Ωm且小于1×1012Ωm的电阻率。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述连接结构(150)的所述至少一个子结构是金属氧化物结构、金属氮化物结构、金刚石结构、类金刚石结构、类金刚石碳结构、碳化硅结构、类碳化硅结构、氢化碳化硅结构、氧化硅结构和氮化硅结构中的至少一种结构。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中所述连接结构(150)与所述半导体衬底(110)的所述第一区域(120)和所述半导体衬底(110)的所述第二区域(130)接触。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件,其中所述绝缘结构(140)的所述子结构由包括导电材料(322、332)和半导体材料中的至少一种材料的中间电位区域实现。5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件,其中所述绝缘结构(140)包括从所述半导体衬底(110)的所述表面延伸进入所述半导体衬底(110)的第一沟槽(320),其中所述绝缘结构(140)的所述子结构包括位于所述第一沟槽(320)内的中间电位区域,其中绝缘材料被布置在所述第一沟槽(320)的壁与所述中间电位区域之间,并且其中所述中间电位区域与所述连接结构(150)的所述子结构接触。6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件,其中所述绝缘结构(140)包括从所述半导体衬底(110)的所述表面延伸进入所述半导体衬底(110)中的第一沟槽(320)和第二沟槽(330),其中所述第一沟槽(320)和所述第二沟槽(330)每个至少部分地填充有绝缘材料(321、331),其中所述第一沟槽(320)在所述半导体衬底(110)中将所述半导体衬底(110)的第三区域与所述第一区域(120)横向地电绝缘,其中所述第二沟槽(330)将所述半导体衬底(110)的所述第三区域(340)与所述半导体衬底(110)的所述第二区域(130)横向地电绝缘,并且其中所述绝缘结构(140)的所述子结构由所述半导体衬底(110)的所述第三区域(340)实施。7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件,进一步包括掩埋绝缘层(310),位于所述半导体衬底(110)内,其中所述掩埋绝缘层(...
【专利技术属性】
技术研发人员:H·格鲁伯,M·米尔劳尔,M·斯特克,
申请(专利权)人:英飞凌科技奥地利有限公司,
类型:发明
国别省市:奥地利,AT
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