一种Nand flash元件及其通信控制方法和装置制造方法及图纸

技术编号:18591369 阅读:61 留言:0更新日期:2018-08-04 19:57
本发明专利技术实施例提供了一种Nand flash元件及其通信控制方法和装置,该Nand flash元件具体包括一个封装体,封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器。并具体通过产品固件模块实现对Nand flash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理,这样一来也就无需通过片外的主控制器实现上述管理,从而有效解决了主控制器负担较重的问题。

A Nand flash element and its communication control method and device

An embodiment of the invention provides a Nand flash element and a communication control method and device. The Nand flash element specifically includes a package, encapsulated in the body with a Nand flash kernel and an internal controller. And through the product firmware module, the ECC check management, bad block management, address mapping management or loss balance management of the Nand flash kernel are realized, so that the above management is realized without the main controller outside the chip, which effectively solves the problem of the heavy burden of the main controller.

【技术实现步骤摘要】
一种Nandflash元件及其通信控制方法和装置
本专利技术涉及内存
,特别是涉及一种Nandflash元件及其通信控制方法和装置。
技术介绍
Nandflash是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nandflash有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。Nandflash的数据是以bit的方式保存在memorycell中,一般来说,每个cell中只能存储一个bit;这些cell以8个或者16个为单位,连成bitline,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NANDDevice的位宽。这些bitline再组成Page,根据厂商或型号的不同,每页的bitline数也不同;多个page形成一个Block,例如32个page。具体一片Nandflash上有多少个Block视需要所定。Nandflash需要控制器管理其功能,例如ECC校验、坏块管理、地址映射、损耗均衡等,然而一般的Nandflash在其封装体内均没有设置相应的内部控制器,因此,上述对其功能的管理均依赖相应的主控制器去实现,从而增加了相应主控制器的负担。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种Nandflash元件及其通信控制方法和装置,以解决Nandflash元件因需要依赖主控制器对其进行管理而导致主控制器负担较重的问题。为了解决上述问题,本专利技术公开了一种Nandflash元件,包括一个封装体,所述封装体内封装有Nandflash内核和内部控制器,其中:所述内部控制器用于对所述Nandflash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理。另外,还提供了一种通信控制方法,应用于如上所述的Nandflash元件的内部控制器,其特征在于,所述通信控制方法包括步骤:当所述内部控制器的基础加载模块处于Debug模式时,接收上位机发送的数据和命令;根据所述数据和命令对所述Nandflash元件的Nandflash内核进行读写擦操作。可选的,所述接收上位机发送的数据和命令,包括:通过所述Nandflash元件的串行接口接收所述上位机发送的数据和命令;或者,通过所述Nandflash元件的SPI接口接收所述上位机发送的数据和命令。可选的,所述通过所述Nandflash元件的串行接口接收所述上位机发送的数据和命令,包括:与所述上位机建立连接;依次接收所述上位机发送的多个所述数据和命令,所述数据和命令包括包头和数据部分,所述包头包括命令类型、命令号和传输参数等;依次存储所接收的所述数据和命令;当所述上位机发送完毕后,解除所述连接。可选的,所述通过所述Nandflash元件的SPI接口接收所述上位机发送的数据和命令,包括:接收所述上位机通过预设的传输命令发送的数据和命令;依次存储所述数据和命令。可选的,所述根据所述数据和命令对所述Nandflash元件的Nandflash内核进行读写擦除操作,包括:从数据和命令中解析出配置参数和低格运行程序;根据所述配置参数运行所述低格运行程序;通过运行所述低格运行程序接收所述上位机发送的产品固件;将所述产品固件写入所述Nandflash内核。响应的,为了保证上述方法的实施,本专利技术还提供了一种通信控制装置,应用于如上所述的Nandflash元件的内部控制器,所述通信控制装置包括:数据和命令接收模块,用于当所述内部控制器的基础加载模块处于Debug模式时,接收上位机发送的数据和命令;内核操作模块,用于根据所述数据和命令对所述Nandflash元件的Nandflash内核进行读写擦除操作。可选的,所述数据和命令接收模块包括:第一接收单元,用于通过所述Nandflash元件的串行接口接收所述上位机发送的数据和命令;第二接收单元,用于通过所述Nandflash元件的SPI接口接收所述上位机发送的数据和命令。可选的,所述第一接收单元具体用于与所述上位机建立连接;依次接收所述上位机发送的多个所述数据和命令,所述数据和命令包括包头和数据部分,所述包头包括命令类型、命令号和传输参数等;依次存储所接收的所述数据和命令;当所述上位机发送完毕后,解除所述连接。可选的,所述第二接收单元具体用于接收所述上位机通过预设的传输命令发送的数据和命令;依次存储所述数据和命令。可选的,所述内核操作模块包括:指令解析单元,用于从数据和命令中解析出配置参数和低格运行程序;低格运行单元,用于根据所述配置参数运行所述低格运行程序;固件接收单元,用于通过运行所述低格运行程序接收所述上位机发送的产品固件;固件写入单元,用于将所述产品固件写入所述Nandflash内核。从上述技术方案可以看出,本专利技术提供了一种Nandflash元件及其通信控制方法和装置,该Nandflash元件具体包括一个封装体,封装体内封装有Nandflash内核和内部控制器。并具体通过产品固件模块实现对Nandflash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理,这样一来也就无需通过片外的主控制器实现上述管理,从而有效解决了主控制器负担较重的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种Nandflash元件的结构框图;图2为本专利技术实施例提供的一种通信控制方法的步骤流程图;图3为本专利技术实施例提供的一种利用串行接口进行通信的流程图;图4为本专利技术实施例提供的一种利用SPI接口进行通信的流程图;图5为本专利技术实施例提供的一种通信控制装置的结构框图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。实施例一图1为本专利技术实施例提供的一种Nandflash元件的结构框图。参照图1所示,本实施例提供的Nandflash元件包括一个封装体10,该封装体内设置有Nandflash内核11和一个内部控制器12。该Nandflash内核包括有多个Block,每个Block由多个Page组成,每个Page则由多个Cellline构成,该内核还包括存储ECC校验码的存储区域。上述内部控制器用于对Nandflash内核进行控制,该内部控制器具体包括基础配置模块121、基础加载模块122、低格模块123和产品固件模块124。其中,上述基础配置模块用于存储该Nandflash内核的基础信息和配置信息,如页大小,块大小,含有多少个块,查找坏块的方式,ECC等;基础加载模块用于接收上位机发送的数据信息和控制信息,并可以将产品固件加载到RAM中;低格模块用于根据从上位机接收到的控制信息对Nandflash内核进行低级格式化操作;产品固件模块则本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Nand flash元件,其特征在于,包括一个封装体,所述封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器,其中:所述内部控制器用于对所述Nand flash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理。

【技术特征摘要】
1.一种Nandflash元件,其特征在于,包括一个封装体,所述封装体内封装有Nandflash内核和内部控制器,其中:所述内部控制器用于对所述Nandflash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理。2.一种通信控制方法,应用于如权利要求1所述的Nandflash元件的内部控制器,其特征在于,所述通信控制方法包括步骤:当所述内部控制器的基础加载模块处于Debug模式时,接收上位机发送的数据和命令;根据所述数据包对所述Nandflash元件的Nandflash内核进行读写擦除操作。3.如权利要求2所述的通信控制方法,其特征在于,所述接收上位机发送的数据和命令,包括:通过所述Nandflash元件的串行接口接收所述上位机发送的数据和命令;或者,通过所述Nandflash元件的SPI接口接收所述上位机发送的数据和命令。4.如权利要求3所述的通信控制方法,其特征在于,所述通过所述Nandflash元件的串行接口接收所述上位机发送的数据和命令,包括:与所述上位机建立连接;依次接收所述上位机发送的多个所述数据和命令,所述数据和命令包括包头和数据部分,所述包头包括命令类型、命令号和传输参数;依次存储所接收的所述数据和命令;当所述上位机发送完毕后,解除所述连接。5.如权利要求3所述的通信控制方法,其特征在于,所述通过所述Nandflash元件的SPI接口接收所述上位机发送的数据和命令,包括:接收所述上位机通过预设的传输命令发送的数据和命令;依次存储所述数据和命令。6.如权利要求2所述的通信控制方法,其特征在于,所述根据所述数据和命令对所述Nandflash元件的Nandflash内核进行Debug操作,包括:从数据和命令中解析出配置参数和低格运行程...

【专利技术属性】
技术研发人员:庄开锋
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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