一种光MOS继电器金丝线键合结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种光MOS继电器金丝线键合结构
本技术属于光MOS继电器制造
，具体涉及一种光MOS继电器金丝线键合结构。
技术介绍
光MOS固体继电器是一种光电隔离、功率场效应管输出的无触点开关器件。密封光MOS继电器内部电气连接一般采用25μm金丝线进行键合，金丝键合工艺采用热压键合法，第一点键合采用球焊键合工艺，第二点键合采用楔焊键合工艺，楔形键合可靠性一般较球形键合低，在应力的作用下，楔形键合更容易出现开焊、脱键现象，从而引起电气上的虚焊。
技术实现思路
本技术解决的技术问题：设计一种光MOS继电器金丝线键合结构，不但能提高楔形键合强度，而且实现了无尾丝长度焊接。本技术的技术解决方案：一种光MOS继电器金丝线键合结构，包括电路板，所述电路板上焊接有焊盘A和焊盘B，其特征在于：所述焊盘A和焊盘B通过金丝键合线电气连接，且金丝键合线的一端通过第一球焊点与焊盘A的上端面焊接，另一端通过第一楔焊点与焊盘B的上端面焊接；所述焊盘B的上端面焊接有金丝加固线，且金丝加固线的一端通过第二球焊点与第一楔焊点焊接，另一端通过第二楔焊点与焊盘B的上端面焊接。所述第二球焊点(6)位于第一楔焊点(4)的上面，且与第一楔焊点(4)重合，并使第一楔焊点(4)形成无尾丝长度的焊点。本技术与现有技术相比具有的优点和效果：本技术通过增加金丝加固线，并对原楔焊点进行球焊加固，不但能提高楔形键合强度，而且实现了无尾丝长度焊接。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术一种实施例的结构示意图。具体实施方式结合附图1、2描述本技术的一种实施例。一种光MOS继电器金丝线键合结构，包括电路板(1)，所述...
【技术保护点】
1.一种光MOS继电器金丝线键合结构，包括电路板(1)，所述电路板(1)上焊接有焊盘A和焊盘B，其特征在于：所述焊盘A和焊盘B通过金丝键合线(2)电气连接，且金丝键合线(2)的一端通过第一球焊点(3)与焊盘A的上端面焊接，另一端通过第一楔焊点(4)与焊盘B的上端面焊接；所述焊盘B的上端面焊接有金丝加固线(5)，且金丝加固线(5)的一端通过第二球焊点(6)与第一楔焊点(4)焊接，另一端通过第二楔焊点(7)与焊盘B的上端面焊接。
【技术特征摘要】
1.一种光MOS继电器金丝线键合结构，包括电路板(1)，所述电路板(1)上焊接有焊盘A和焊盘B，其特征在于：所述焊盘A和焊盘B通过金丝键合线(2)电气连接，且金丝键合线(2)的一端通过第一球焊点(3)与焊盘A的上端面焊接，另一端通过第一楔焊点(4)与焊盘B的上端面焊接；所述焊盘B的上端面焊接有金丝加固线(...
【专利技术属性】
技术研发人员：叱光辉，程绍燕，
申请(专利权)人：陕西群力电工有限责任公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。