The present invention provides a AlGaAs/GaInP active region 795nm quantum well laser, whose epitaxial structure consists of underlay, buffer layer, N type limiting layer, lower waveguide layer, quantum well layer, upper waveguide layer, P type confinement layer, ohm contact layer, upper waveguide layer and lower wave guide layer using gallium and indium phosphorus, quantum well. The layer is aluminum gallium arsenide material, and the waveguide layer and the quantum well layer are composed of a wide waveguide half aluminum free active region. The invention can meet the special needs of the pump laser for miniaturization and simplification of the self frequency doubling laser crystal. Meanwhile, the optimized laser structure can effectively reduce the influence of the roughness of the growth interface and the reliability of the long life of the laser at the cavity surface.
【技术实现步骤摘要】
一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器
本专利技术涉及一种高效率、高可靠性的795nm应变量子阱激光器,属于单量子阱半导体激光器
技术介绍
近年来,彩虹全息、精细激光光谱、激光医学等表现出了对绿光激光器以及双波长激光器的强烈需求。全固态激光器由于其结构紧凑、峰值功率高、波长半峰宽窄等优点,在精细光谱、检测、激光医学中有不可替代的作用。常用的固体激光器一般由半导体激光器泵浦源、激光晶体、倍频晶体组合的方式实现,在实现可见光激光(如532nm)输出时,需要调整激光晶体和倍频晶体达到最近匹配,工艺复杂要求高。同时倍频晶体如KTP、LBO等相位匹配角受温度影响较大,使得固体激光器系统在温度变化时严重失配,无法实现激光输出,不能实现宽温度范围工作。自倍频晶体的出现解决这一问题,通过使用自倍频晶体即可实现结构简单、宽温度工作等;如专利文件CN103762491A提供的自倍频晶体红绿光激光器等,这些自倍频晶体需要特殊的795nm波长输出的半导体激光器泵浦源。但目前量子阱激光器领域,尚未发现有795nm波长输出的半导体激光器技术公开。此外,现有量子阱激光器的外延结构普遍采用以有源区为中心的对称结构,上下限制层、上下波导层的材料组分基本相同,存在的不足在于,一是波导层含有Al组分,对激光器的可靠性有较大影响;二是多量子阱结构中两个以上阱本身带来的多界面损耗以及散热不理想,三是量子阱组分大于3种时,加上多个界面的结构其生长也十分不容易;这些技术问题限制了量子阱激光器成为大功率激光器应用。
技术实现思路
为了弥补现有技术的不足,针对自倍频晶体所需7 ...
【技术保护点】
1.一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器,包括在衬底上顺次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、欧姆接触层,其中,量子阱层为AlGaAs层,所述衬底和缓冲层均为N型GaAs层,所述下限制层为N型AlGaInP层,上限制层为P型AlGaInP层,所述上波导层为GaInP层,所述下波导层为GaInP层或部分厚度N型掺杂的GaInP层,所述欧姆接触层为P型GaAs层,由所述的上波导层、量子阱层和下波导层共同组成宽波导半无铝有源区,即,AlGaAs/GaInP有源区。
【技术特征摘要】
1.一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器,包括在衬底上顺次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、欧姆接触层,其中,量子阱层为AlGaAs层,所述衬底和缓冲层均为N型GaAs层,所述下限制层为N型AlGaInP层,上限制层为P型AlGaInP层,所述上波导层为GaInP层,所述下波导层为GaInP层或部分厚度N型掺杂的GaInP层,所述欧姆接触层为P型GaAs层,由所述的上波导层、量子阱层和下波导层共同组成宽波导半无铝有源区,即,AlGaAs/GaInP有源区。2.根据权利要求1所述的AlGaAs/GaInP有源区795nm量子阱激光器,其特征在于,量子阱层厚度为7-11nm,激射波长795±3nm;优选的,量子阱层厚度为8-10nm。3.根据权利要求1所述的AlGaAs/GaInP有源区795nm量子阱激光器,其特征在于,量子阱层AlGaAs中,Al组分含量11-13%。4.根据权利要求1所述的AlGaAs/GaInP有源区795nm量子阱激光器,其特征在于,所述上限制层中的铝的含量为15%-25%质量比,下限制层中铝的含量为5%-15%质量比,且下限制层中铝的含量低于上限制层中铝的含量。5.根据权利要求1所述的AlGaAs/GaInP有源区795nm量子阱激光器,其特征在于,所述上限制层厚度为1.2-2μm,下限制...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐现刚,李沛旭,
申请(专利权)人:山东华光光电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。