一种半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，包括若干导电元件和电容阵列，所述电容阵列包括多个金属‑氧化物‑金属电容单元，相邻的所述金属‑氧化物‑金属电容单元之间的彼此相邻的两个电极连接至同一所述导电元件，以使所述两个电极能获得相等的电压值。本发明专利技术提供的半导体器件能够有效地降低金属‑氧化物‑金属电容单元间的寄生电容，且不需要增加金属‑氧化物‑金属电容单元间的距离，也无需在金属‑氧化物‑金属电容单元之间增加地线隔离，节省了布局面积。

A semiconductor device

The present invention provides a semiconductor device, including a number of conductive elements and capacitance arrays. The capacitance array comprises a plurality of metal oxide oxide metal capacitance units, and two adjacent electrodes of adjacent metal oxide metal capacitance units are connected to the same conductive element to make the two. The electrode can obtain an equal voltage value. The semiconductor device provided by the invention can effectively reduce the parasitic capacitance between metal oxides and metal capacitor units, and does not need to increase the distance between metal oxides and metal capacitance units, and does not need to increase the ground line isolation between metal oxide metal capacitor units, thus saving the layout area.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件
本专利技术涉及一种半导体器件，具体而言涉及一种包括金属-氧化物-金属电容的电容阵列的半导体器件。
技术介绍
随着半导体集成电路制造技术的不断进步，性能不断提升的同时也伴随着器件小型化和微型化的进程。电容器是集成电路中的重要组成单元，广泛运用于存储器，微波，射频，智能卡，高压和滤波等芯片中，具体用途有带通滤波器，锁相环，动态随机存储器等等。目前集成电容的形式主要有金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容和金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容。其中，MIM电容使用上下层金属作为电容电极，电容量主要由电容所占面积决定，因此，在需要大电容的场合中使用MIM电容会引起成本大大增加；而MOM电容采用叉指型结构和叠层相结合的方法，可以在相对较小的面积上制作容量更大的电容，且在制作MOM电容时，无需额外的光刻胶层和掩模，因而制作工艺更简单，成本更低。在模拟电路设计中，常常会用到比例电容，并且对电容比例的精度有较高要求。通常一个较大容值的电容都是由较小容值的电容单元并联而成，从而构成电容阵列。在MOM电容单元构成的电容阵列中，每个MOM电容单元与相邻MOM电容单元的边缘形成寄生电容，而MOM电容单元之间的寄生电容会影响电容比例的精度。随着电容尺寸越来越小，电容单元的排布越来越密集，寄生电容的影响也越来越明显。因此，有必要提出一种新的半导体器件，以解决上述技术问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的不足，本专利技术提供一种半导体器件，包括若干导电元件和电容阵列，所述电容阵列包括多个金属-氧化物-金属电容单元，相邻的所述金属-氧化物-金属电容单元之间的彼此相邻的两个电极连接至同一所述导电元件，以使所述两个电极能获得相等的电压值。示例性地，相邻的金属-氧化物-金属电容单元的电极是彼此镜像设置的。示例性地，所述金属-氧化物-金属电容单元排列为相互垂直的多行与多列。示例性地，所述电容阵列包括串联的第一电容和第二电容，所述第一电容由m个金属-氧化物-金属电容单元并联而成，所述第二电容由n个金属-氧化物-金属电容单元并联而成，m、n均为大于1的自然数。示例性地，m<n。示例性地，m为偶数。示例性地，所述金属-氧化物-金属电容单元的尺寸相同。示例性地，所述电容阵列中每个金属-氧化物-金属电容单元的两个电极分别连接至不同的所述导电元件。本专利技术提供的半导体器件能够有效地降低MOM电容单元间的寄生电容，且不需要增加MOM电容单元间的距离，也无需在MOM电容单元之间增加地线隔离，节省了布局面积。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1为现有的模拟电路中比例电容的电路图。图2为现有的电容阵列中寄生电容的来源示意图。图3A、图3B为MOM电容单元的结构示意图。图4为本专利技术的一个实施例中半导体器件所包括的电容阵列的示意图。图5为本专利技术的一个实施例中半导体器件所包括的电容阵列中相邻MOM电容单元的立体图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。这里参考作为本专利技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述专利技术的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本专利技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本专利技术的范围。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的结构，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。图1为现有的模拟电路中比例电容的电路图。其中，第一电容101连接于第一节点a、第二节点b之间，第二电容102连接于第二节点b、第三节点c之间，第一电容101与第二电容102相互串联，第二电容102由n个电容单元C0并联而成，电容单元C0排列成为电容阵列。在不考虑寄生电容(Cp)的理想条件下，第二电容与第一电容的容值之比为n。其中，电容单元C0为MOM(金属-氧化物-金属)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括若干导电元件和电容阵列，所述电容阵列包括多个金属‑氧化物‑金属电容单元，相邻的所述金属‑氧化物‑金属电容单元之间的彼此相邻的两个电极连接至同一所述导电元件，以使所述两个电极能获得相等的电压值。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括若干导电元件和电容阵列，所述电容阵列包括多个金属-氧化物-金属电容单元，相邻的所述金属-氧化物-金属电容单元之间的彼此相邻的两个电极连接至同一所述导电元件，以使所述两个电极能获得相等的电压值。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻的所述金属-氧化物-金属电容单元的电极是彼此镜像设置的。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属-氧化物-金属电容单元排列为相互垂直的多行与多列。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电容阵列包括串...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴蕾，陈先敏，侯舒怡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31