The invention relates to a backlighting image sensor and a manufacturing method and an electronic device thereof. The method includes: providing a first wafer including a pixel area, which includes a relative first surface and a second surface, provides a second wafer and joins the second wafer with the first surface of the first wafer, and forms a number of deep trenches in the second surface relative to the pixel area. A slots; an antireflective layer is formed in the deep groove. In the method, a deep groove is formed on the back of the first wafer, and an anti reflective layer is formed in the deep groove, and the crosstalk and the dark current can be reduced by the setting.
【技术实现步骤摘要】
一种背照式图像传感器及其制造方法和电子装置
本专利技术涉及半导体
,具体而言涉及一种背照式图像传感器及其制造方法和电子装置。
技术介绍
通常,图像传感器是将光学图像转换成电信号的背照式图像传感器。图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。由于CMOS图像传感器(CMOSimagesensor,CIS)具有改善的制造技术和特性,因此半导体制造技术各方面都集中于开发CMOS图像传感器。CMOS图像传感器利用CMOS技术制造,并且具有较低功耗,更容易实现高度集成,制造出尺寸更小的器件,因此,CMOS图像传感器广泛的应用于各种产品,例如数字照相机和数字摄像机等。在多功能的电子设备中背照式图像传感器(BacksideilluminationCMOSimagesensor,BSICIS)得到广泛的应用,其中所述BSICIS器件的制造工艺中通常使用熔融键合(Fusionbonding)方法将器件晶圆(devicewafer)与承载衬底(carrierwafer)接合在一起。随着像素尺寸的缩小,噪声例如串扰将会增加。为了更好地图像质量,串扰问题需要被改进。目前器件中存在三种串扰:光谱串扰(spectralcrosstalk)、光学串扰(opticalcrosstalk)和电串扰(electricalcrosstalk)。其中,光谱串扰(spectralcrosstalk)是由滤色镜(colorfilter,CF)的未对准引起的。所述光学串扰(opticalcrosstalk)是由光子穿透到邻近的光电二极管导致的。电串扰(ele ...
【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器的制造方法,其特征在于,所述方法包括:提供包括像素区的第一晶圆,所述第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面;提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆的第一表面相接合;在与所述像素区相对的所述第二表面中形成若干间隔的深沟槽;在所述深沟槽中形成抗反射层。
【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器的制造方法,其特征在于,所述方法包括:提供包括像素区的第一晶圆,所述第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面;提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆的第一表面相接合;在与所述像素区相对的所述第二表面中形成若干间隔的深沟槽;在所述深沟槽中形成抗反射层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述抗反射层的折射率沿所述深沟槽的径向向内的方向递减。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述抗反射层包括具有不同折射率的一种材料或者折射率不同的多种材料。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一晶圆包括衬底,所述深沟槽形成于所述衬底中,所述深沟槽的深度至少大于所述衬底厚度的一半,所述深沟槽的深宽比至少大于5。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述抗反射层的形成温度小于400℃。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述抗反射层覆盖所述第二表面并填充所述深沟槽,在形成所述抗反射层之后所述方法还包括:在所述抗反射层上形成网格结构,所述网格结构包括主体层和设置于所述主体层中的若干网格开口,所述网格开口露出所述抗反射层。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,其中所述网格结构的所述网格开口中嵌入有滤色镜。8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一晶圆还包括位于所述像素区一侧的逻辑区,在所述逻辑区中形成有嵌入介电层中的金属互联层和焊盘层。9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一晶圆包括衬底,在所述衬底表面和所述深沟槽中形成所述抗反射层之后、形成所述网格结构之前所述方法还包括:图案化与所述逻辑区相对的所述衬底和所述衬底上的所述抗反射层,以形成开口并露出所述介电层;在所述抗反射层上和所述开口的表面形成绝缘层;图案化所述开口中的所述绝缘层和所述介电层,以形成凹槽并露出所述金属互联层;在所述绝缘层上形成金属层,以覆盖所述绝缘层,同时填充所述凹槽,以与所述金属互联层形成连接。10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,形成所述开口的方法包括:在所述第二表面上的所述衬底和所述抗反射层上形成光刻胶层;对所述光刻胶层图案化,以去除所述逻辑区上方的所述光刻胶层;对所述第一晶圆、所述第二晶圆和所述光刻胶层进行烘焙;将烘焙后的所述第一晶圆上的所述衬底进行蚀刻,以形成所述开口。11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述烘焙的温度为150℃至240℃,所述烘焙时间为60秒至300秒。12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述开口的侧壁倾斜角度小于50°,所述开口的宽度大于50μm。13.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,形成所述金属层之后,所述方法还包括:在所述金属...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚国峰,陆珏,张海芳,刘煊杰,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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