内连线结构及其制造方法技术

一种内连线结构，包括基底、介电层、第一导电图案与第二导电图案。介电层设置于基底上，且具有开口。第一导电图案设置于开口中。第二导电图案设置于第一导电图案上，且暴露出第一导电图案的露出部分。第一导电图案的露出部分具有缺口。

Internal connection structure and its manufacturing method

An internal wiring structure includes a substrate, a dielectric layer, a first conductive pattern and a second conductive pattern. The dielectric layer is set on the substrate and has an opening. The first conductive pattern is set in the opening. The second conductive pattern is arranged on the first conductive pattern and exposes the exposed part of the first conductive pattern. The exposing part of the first conductive pattern has a gap.

【技术实现步骤摘要】
内连线结构及其制造方法
本专利技术是有关于一种导电结构及其制造方法，且特别是有关于一种内连线结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体产业的发展，当集成电路的集成度增加，芯片的表面无法提供足够的面积来制作所需的内连线时，多层的内连线设计便逐渐地成为许多集成电路所必须采用的设计方式。随着半导体组件逐渐缩小，多层内连线结构中的上层导电组件与其下方的下层导电组件的重迭裕度(overlaywindow)也会变小，因此容易发生对准偏差。当多层内连线结构中的上层导电组件与其下方的下层导电组件发生对准偏差时，上层导电组件会暴露出其下方的下层导电组件。如此一来，相邻的两个上层导电组件会通过所暴露出的下层导电组件而产生桥接路径(bridgingpath)，进而产生电路桥接(circuitbridging)的缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供一种内连线结构及其制造方法，其可有效地防止产生电路桥接的缺陷。本专利技术提出一种内连线结构，包括基底、介电层、第一导电图案与第二导电图案。介电层设置于基底上，且具有开口。第一导电图案设置于开口中。第二导电图案设置于第一导电图案上，且暴露出第一导电图案的露出部分。第一导电图案的露出部分具有缺口。依照本专利技术的一实施例所述，在上述内连线结构中，第一导电图案的材料例如是W、Ti、TiN、Ta或TaN。依照本专利技术的一实施例所述，在上述内连线结构中，第二导电图案的材料例如是AlCu、Al或W。依照本专利技术的一实施例所述，在上述内连线结构中，第二导电图案的宽度可小于第一导电图案的宽度，且第一导电图案的露出部分可位于第二导电图案的一侧或两侧。依照本专利技术的一实施例所述，在上述内连线结构中，缺口可暴露出开口的部分侧壁。本专利技术提出一种内连线结构的制造方法，包括下列步骤。在基底上形成介电层，其中介电层具有开口。在开口中形成第一导电图案。在第一导电图案上形成第二导电图案。第二导电图案暴露出第一导电图案的露出部分。在第一导电图案的露出部分中形成缺口。依照本专利技术的一实施例所述，在上述内连线结构的制造方法中，缺口的形成方法例如是以第二导电图案为掩模，对第一导电图案的露出部分进行蚀刻工艺，以部分地移除第一导电图案的露出部分。依照本专利技术的一实施例所述，在上述内连线结构的制造方法中，蚀刻工艺所使用的蚀刻气体包括氯气与保护气体。以氯气与保护气体的总量计，氯气的含量例如是50体积％至96体积％。依照本专利技术的一实施例所述，在上述内连线结构的制造方法中，保护气体例如是氮气(N2)、三氯化硼(BCl3)、三氟甲烷(CHF3)、甲烷(CH4)或其组合。依照本专利技术的一实施例所述，在上述内连线结构的制造方法中，蚀刻气体还包括惰性气体。基于上述，在本专利技术所提出的内连线结构及其制造方法中，由于第二导电图案所暴露出的第一导电图案的露出部分具有缺口，因此可切断相邻两个第二导电图案之间的桥接路径。如此一来，本专利技术所提出的内连线结构及其制造方法可防止产生电路桥接的缺陷，且可有效地增加第二导电图案与第一导电图案的重迭裕度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A至图1D为本专利技术一实施例的内连线结构的制造流程剖面图。图2为本专利技术另一实施例的内连线结构的剖面图。【符号说明】100：基底102：介电层104：开口106、110、114：阻障层108、112：导电图案116：缺口EP：露出部分具体实施方式图1A至图1D为本专利技术一实施例的内连线结构的制造流程剖面图。首先，请参照图1A，在基底100上形成介电层102，其中介电层102具有开口104。基底100可为单层基底或多层基底，且可形成有其他膜层(未绘示)或半导体组件(未绘示)于其上。介电层102的材料例如是氧化硅。介电层102的形成方法例如是化学气相沉积法。开口104例如是接触窗开口(contacthole)、介层窗开口(viahole)或沟渠。开口104的形成方法例如是对介电层102进行图案化工艺。接着，请参照图1B，可选择性地在开口104的表面形成阻障层106。阻障层106的材料例如是Ti、TiN、Ta、TaN或其组合。然后，在开口104中的阻障层106上形成导电图案108。可通过阻障层106来增加导电图案108与其他膜层的黏着力。导电图案108例如是插塞或导线，其中插塞可为接触窗插塞或介层窗插塞。导电图案108的材料例如是W、Ti、TiN、Ta或TaN。阻障层106与导电图案108的形成方法举例说明如下，但本专利技术并不以此为限。首先，在介电层102上共形地形成阻障材料层(未绘示)。阻障材料层的形成方法例如是物理气相沉积法或化学气相沉积法。接着，在阻障材料层上形成填满开口104的导电图案材料层(未绘示)。导电图案材料层的形成方法例如是物理气相沉积法或化学气相沉积法。然后，移除开口104以外的导电图案材料层与阻障材料层。开口104以外的导电图案材料层与阻障材料层的移除方法例如是化学机械研磨法或回蚀刻法。接下来，请参照图1C，可选择性地在导电图案108上形成阻障层110。阻障层110的材料例如是Ti、TiN、Ta、TaN或其组合。之后，在阻障层110上形成导电图案112。导电图案112暴露出导电图案108的露出部分EP。可通过阻障层110来增加导电图案112与其他膜层的黏着力。在此实施例中，导电图案108的露出部分EP可位于导电图案112的一侧。导电图案112的宽度可大于、等于或小于导电图案108的宽度。导电图案112例如是导线或插塞，其中插塞可为接触窗插塞或介层窗插塞。导电图案112的材料例如是AlCu、Al或W。再者，可选择性地在导电图案112上形成阻障层114。阻障层114的材料例如是Ti、TiN、Ta、TaN或其组合。阻障层114可用以增加后续形成于其上的膜层与导电图案112之间的黏着力。阻障层114、导电图案112与阻障层110的形成方法举例说明如下，但本专利技术并不以此为限。首先，在介电层102上依序形成阻障材料层(未绘示)、导电图案材料层(未绘示)与阻障材料层(未绘示)的堆栈结构。阻障材料层与导电图案材料层的形成方法例如是物理气相沉积法或化学气相沉积法。接着，对阻障材料层、导电图案材料层与阻障材料层的堆栈结构进行图案化工艺。接着，请参照图1D，在导电图案108的露出部分EP中形成缺口116。由于缺口116可切断相邻两个导电图案112之间的桥接路径，因此可防止产生电路桥接的缺陷，且可有效地增加导电图案112与导电图案108的重迭裕度。缺口116可暴露出开口104的部分侧壁。缺口116所暴露出的导电图案108的露出部分EP可具有斜面。缺口116的形成方法例如是以导电图案112为掩模，对导电图案108的露出部分EP进行蚀刻工艺，以部分地移除导电图案108的露出部分EP。导电图案108的露出部分EP可通过原位(in-situ)蚀刻移除。在对导电图案108的露出部分EP所进行蚀刻工艺中，可同时移除开口104侧壁上的部分阻障层106。此外，在上述蚀刻工艺中，对阻障层106的蚀刻速度例如是大于对导电图案108的露出部分EP的蚀刻速度。蚀刻工艺所使用的蚀刻气体包括氯气与保护气体。以氯气与保护气体的总量计，氯气的含量例如是50体积％至96体积％。保护气体例如是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内连线结构，其特征在于，包括：一基底；一介电层，设置于该基底上，且具有一开口；一第一导电图案，设置于该开口中；以及一第二导电图案，设置于该第一导电图案上，且暴露出该第一导电图案的一露出部分，其中该第一导电图案的该露出部分具有一缺口。

【技术特征摘要】
1.一种内连线结构，其特征在于，包括：一基底；一介电层，设置于该基底上，且具有一开口；一第一导电图案，设置于该开口中；以及一第二导电图案，设置于该第一导电图案上，且暴露出该第一导电图案的一露出部分，其中该第一导电图案的该露出部分具有一缺口。2.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，其中该第一导电图案的材料包括W、Ti、TiN、Ta或TaN。3.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，其中该第二导电图案的材料包括AlCu、Al或W。4.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，其中该第二导电图案的宽度小于该第一导电图案的宽度，且该第一导电图案的该露出部分位于该第二导电图案的一侧或两侧。5.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，其中该缺口暴露出该开口的部分侧壁。6.一种内连线结构的制造方法，其特征在于，包括：在一基底上形成一介电层，其中该介...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿志，黄旻暄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71