封装体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种封装体装置及其制造方法。封装体装置包含基板、重布局结构、电路板结构、第一连接件以及第一电子元件。重布局结构设置于基板上。重布局结构包含第一介电层以及第一金属层。电路板结构设置于重布局结构上。电路板结构包含第二介电层以及第二金属层，其中，电路板结构中的第二介电层有多个突起物嵌设于重布局层的第一介电层中。第一电子元件设置于重布局结构上，而第一连接件设置于重布局结构与第一电子元件之间，以连接重布局结构与第一电子元件。本发明专利技术可以提升封装体装置的接点合格率、结构稳定度和结构平整度。

Packaging device and its manufacturing method

The invention discloses a package device and a manufacturing method thereof. The package device comprises a substrate, a re layout structure, a circuit board structure, a first connector and a first electronic component. The heavy layout structure is set on the substrate. The heavy layout structure includes the first dielectric layer and the first metal layer. The structure of the circuit board is set on the structure of the heavy layout. The circuit board structure consists of second dielectric layers and second metal layers, in which the second dielectric layer in the circuit board structure has a plurality of protrusions embedded in the first dielectric layer of the heavy layout layer. The first electronic element is set on the relayout structure, and the first connector is set between the relayout structure and the first electronic component to connect the relayout structure to the first electronic component. The invention can improve the contact pass rate, structural stability and structural flatness of the packaging device.

【技术实现步骤摘要】
封装体装置及其制造方法
本专利技术是有关于一种封装体装置及其制造方法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐进入多功能、高性能的研发方向。为满足半导体元件高积集度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的要求，重布局结构的各项要求也越来越高。举例来说，重布局结构中的线路的线宽与线距(Pitch)要求越来越小，线路重分布结构的整体厚度也希望越小越好。伴随着微型化的要求，势必需要提升接点合格率及整体可靠度。在制备封装体装置时，后来形成的电路板装置会堆叠在先前已经形成好的重分布结构之上，此时先前已经形成好的重分布结构容易受到挤压而导致变形、翘曲，进而造成电路板装置与重分布结构之间接点合格率下降及整体可靠度下降的问题。为了改善上述的问题，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有高可靠度的封装体装置及其制备方法，实属当前重要研发课题之一，也成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种封装体装置及其制造方法，其可以提升封装体装置的接点合格率、结构稳定度和结构平整度。根据本专利技术一实施方式，是提供一种封装体装置的制造方法，包含以下步骤。在基板上形成至少一个重布局结构，其包含以下步骤：在基板上形成第一介电层、移除部分的第一介电层以形成多个第一开口，并在第一开口中填充第一金属层。然后，在重布局结构的第一侧上形成多个沟槽。接着，在重布局结构的第一侧上形成电路板结构，且重布局结构电性连接至电路板结构。其中，形成电路板结构包含：在重布局结构的第一侧上形成第二介电层，并在沟槽中填入第二介电层、移除部分的第二介电层以形成多个第二开口、以及在第二开口中填充第二金属层。然后，移除基板。在本专利技术的一个或多个实施方式中，还包含在重布局结构的相对于第一侧的第二侧上配置第一电子元件，以使第一电子元件电性连接至重布局结构。在本专利技术的一个或多个实施方式中，其中在重布局结构中形成沟槽是形成贯穿重布局结构的沟槽。根据本专利技术另一实施方式，一种封装体装置的制造方法包含以下步骤。在基板上形成至少一个重布局结构，其包含以下步骤：在基板上形成第一介电层、移除部分的第一介电层以形成多个第一开口、以及在第一开口中填充第一金属层。然后，移除部分的第一介电层，以在重布局结构的第一侧上形成多个沟槽。接着，在重布局结构的第一侧上配置第一电子元件，以使第一电子元件电性连接至重布局结构。然后，形成模封层覆盖重布局结构与第一电子元件，并将模封层填入沟槽中。接着，移除基板。在本专利技术的一个或多个实施方式中，在重布局结构形成沟槽是形成贯穿重布局结构的沟槽。在本专利技术的一个或多个实施方式中，还包含在形成模封层前，先在重布局结构的第一侧上形成多个导电柱，并使导电柱电性连接至重布局结构。薄化模封层，以暴露导电柱。在模封层上形成多个第二连接件，并使第二连接件电性连接导电柱，以及在第二连接件上配置电子元件，以形成层叠封装结构(packageonpackage)。根据本专利技术另一实施方式，一种封装体装置，包含重布局结构、电路板结构、第一电子元件和第一连接件。重布局结构包含第一介电层以及多个位于第一介电层中的第一金属线路。电路板结构设置于重布局结构的第一侧。电路板结构包含第二介电层，其中第二介电层具有多个突起物嵌设于重布局结构中。电路板结构还包含多个位于第二介电层中的第二金属线路，且第二金属线路与重布局结构电性连接。第一电子元件设置于重布局结构的相对于第一侧的第二侧上。多个第一连接件设置于重布局结构与第一电子元件之间，以电性连接重布局结构与第一电子元件。在本专利技术的一个或多个实施方式中，第二介电层的突起物贯穿重布局结构。在本专利技术的一个或多个实施方式中，第二介电层的杨氏模量(Young’smodulus)大于第一介电层的杨氏模量。在本专利技术的一个或多个实施方式中，第二介电层的热膨胀系数小于第一介电层的热膨胀系数。根据本专利技术另一实施方式，一种封装体装置，包含至少一个重布局结构、第一电子元件、多个第一连接件和模封层。重布局结构包含第一介电层以及多个位于第一介电层之中的第一金属线路。第一电子元件，设置于重布局结构上。多个第一连接件，设置于重布局结构与第一电子元件之间，以电性连接重布局结构与第一电子元件。模封层覆盖重布局结构与第一电子元件，且模封层具有多个突起物嵌设于重布局结构中。在本专利技术的一个或多个实施方式中，其中模封层的杨氏模量(Young’smodulus)大于第一介电层的杨氏模量。本专利技术与现有技术相比，具有可以提升封装体装置的接点合格率、结构稳定度以及结构平整度的有益效果。附图说明为使本专利技术的特征、优点与实施例能更明显易懂，结合附图说明如下：图1到图6C是绘示根据本专利技术一实施例的封装体装置的制造方法的不同步骤的剖面图；图7到图10是绘示根据本专利技术另一实施例的封装体装置的制造方法的不同步骤的剖面图；图11到图15是绘示根据本专利技术另一实施例的封装体装置的制造方法的不同步骤的剖面图。具体实施方式以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。此外，相对词汇，如“下”或“底部”与“上”或“顶部”，用来描述文中在附图中所示的一个元件与另一个元件的关系。相对词汇是用来描述装置在附图中所描述之外的不同方位是可以被理解的。例如，如果一个附图中的装置被翻转，元件将会被描述原为位于其它元件的“下”侧将被定向为位于其他元件的“上”侧。例示性的词汇“下”，根据附图的特定方位可以包含“下”和“上”两种方位。同样地，如果一个附图中的装置被翻转，元件将会被描述原为位于其它元件的“下方”或“之下”将被定向为位于其他元件上的“上方”。例示性的词汇“下方”或“之下”，可以包含“上方”和“上方”两种方位。图1至图6C分别绘示依照本专利技术一实施方式的封装体装置100的制造方法的不同步骤的剖面图。如图1所绘示的实施方式中，提供基板110并在基板110上形成离型膜112。基板110的材质可为玻璃、金属或有机板材。离型膜112的材质可为乙烯对苯二甲酸酯(PolyethyleneTerephthalate，PET)。应了解到，以上所举的基板110和离型膜112的材质仅为例示，并非用以限制本专利技术，本专利技术所属
的技术人员，应视实际需要，弹性选择基板110和离型膜112的材质。如图2所绘示的实施方式中，在基板110上形成重布局结构210。重布局结构包含第一介电层212和由第一金属层所形成的第一金属线路214。形成重布局结构210的方法包含，在基板110上形成第一介电层212，之后，移除部分的第一介电层212以形成多个第一开口。接着，在多个第一开口中填充第一金属层，以形成多个第一金属线路214。本专利技术所属
的技术人员，可视实际需要，重复形成重布局结构210的步骤，以形成多个重布局结构210。在本专利技术的部分实施例中，第一金属线路214的材质包含铝、铜、钨或其组合，但不以此为限，其他合适的导电材料同样可以用于形成第一金属线路214。在本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装体装置的制造方法，其特征在于，包含：在基板上形成至少一个重布局结构，形成所述重布局结构包含：在所述基板上形成第一介电层；移除部分的所述第一介电层以形成多个第一开口；以及在所述多个第一开口中填充第一金属层；在所述重布局结构的第一侧上形成多个沟槽；在所述重布局结构的所述第一侧上形成电路板结构，且所述重布局结构电性连接至所述电路板结构，其中，形成所述电路板结构包含：在所述重布局结构的所述第一侧上形成第二介电层，并在所述多个沟槽中填入所述第二介电层；移除部分的所述第二介电层以形成多个第二开口；以及在所述多个第二开口中填充第二金属层；以及移除所述基板。

【技术特征摘要】
1.一种封装体装置的制造方法，其特征在于，包含：在基板上形成至少一个重布局结构，形成所述重布局结构包含：在所述基板上形成第一介电层；移除部分的所述第一介电层以形成多个第一开口；以及在所述多个第一开口中填充第一金属层；在所述重布局结构的第一侧上形成多个沟槽；在所述重布局结构的所述第一侧上形成电路板结构，且所述重布局结构电性连接至所述电路板结构，其中，形成所述电路板结构包含：在所述重布局结构的所述第一侧上形成第二介电层，并在所述多个沟槽中填入所述第二介电层；移除部分的所述第二介电层以形成多个第二开口；以及在所述多个第二开口中填充第二金属层；以及移除所述基板。2.如权利要求1所述的封装体装置的制造方法，其特征在于，还包含在所述重布局结构的相对于所述第一侧的第二侧上配置第一电子元件，以使所述第一电子元件电性连接至所述重布局结构。3.如权利要求1所述的封装体装置的制造方法，其特征在于，在所述重布局结构形成所述多个沟槽是形成贯穿所述重布局结构的沟槽。4.一种封装体装置的制造方法，其特征在于，包含：在基板上形成至少一个重布局结构，形成所述重布局结构包含；在所述基板上形成第一介电层；移除部分的所述第一介电层以形成多个第一开口；以及在所述多个第一开口中填充第一金属层；移除部分的所述第一介电层，以在所述重布局结构的第一侧上形成多个沟槽；在所述重布局结构的所述第一侧上配置第一电子元件，以使所述第一电子元件电性连接至所述重布局结构；形成模封层覆盖所述重布局结构与所述第一电子元件，并在所述多个沟槽之中填入所述模封层；以及移除所述基板。5.如权利要求4所述的封装体装置的制造方法，其特征在于，在所述重布局结构形成所述多个沟槽是形成贯穿所述重布局结构的沟槽。6.如权利要求4所述的封装体装置的制造方法，其特征在于，还包含：在形成所述模封层前，先...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪英博，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71