一种闪存测试设备和方法技术

本发明专利技术提供了一种闪存测试设备和方法。所述闪存测试设备分别与终端和闪存连接，所述闪存测试设备包括数据发生器、缓存器和数据比对器；所述数据发生器，用于根据所述终端发送的控制指令产生第一数据；所述缓存器，用于根据所述控制指令读取所述闪存中的第二数据，以及存储所述第一数据和所述第二数据；所述数据比对器，用于比对所述第一数据和所述第二数据，并将比对结果反馈至所述终端。本发明专利技术实施例提高了传输效率，缩短了闪存的测试时间。

A flash memory test device and method

The present invention provides a flash memory test device and method. The flash memory test device is connected to a terminal and a flash memory, which includes a data generator, a buffer, and a data comparator; the data generator is used to generate first data according to the control instructions sent by the terminal; the buffer is used to read the flash memory according to the control instruction. Second data, and storage of the first data and the second data, which is used to compare the first data and the second data, and to feed the comparison results to the terminal. The embodiment of the invention improves the transmission efficiency and shortens the testing time of the flash memory.

【技术实现步骤摘要】
一种闪存测试设备和方法
本专利技术涉及存储设备
，尤其涉及一种闪存测试设备和方法。
技术介绍
因为具有大容量、数据不丢失等特性，闪存已成为智能手机和电脑中固态硬盘首选的存储元件。在闪存的设计验证阶段，需要对闪存做擦写读测试，同时结合电参数或设置参数的改变，还需要循环多次实验，整个功能验证甚至要花费数天时间。在测试时，耗费时间的过程主要包括：终端产生整个page或者整个chip的数据，将整个page或者整个chip的数据以及配置ATE(AutomaticTestEquipment，半导体芯片自动测试设备)的参数传输到ATE设备，ATE设备从闪存读取数据传输回终端，整个测试过程传输的数据量很大，容易出现传输延迟等情况，因而比较耗费时间。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种闪存测试设备和方法，以解决现有技术中测试过程中传输数据量大、耗费时间的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种闪存测试设备，所述闪存测试设备分别与终端和闪存连接，所述闪存测试设备包括数据发生器、缓存器和数据比对器；所述数据发生器，用于根据所述终端发送的控制指令产生第一数据；所述缓存器，用于根据所述控制指令读取所述闪存中的第二数据，以及存储所述第一数据和所述第二数据；所述数据比对器，用于比对所述第一数据和所述第二数据，并将比对结果反馈至所述终端。可选地，所述缓存器，还用于根据所述控制指令将所述第一数据写入所述闪存中。可选地，所述控制指令包括配置所述数据发生器的配置指令、读写所述闪存的读写指令中的至少一种。可选地，所述第一数据的大小小于所述闪存的单页容量、单块容量、单片容量中的至少一种。可选地，所述闪存为NAND。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供了一种闪存测试方法，其特征在于，应用于上述的闪存测试设备，所述方法包括：接收终端发送的控制指令；根据所述控制指令产生第一数据，并存储所述第一数据；根据所述控制指令读取闪存中的第二数据，并存储所述第二数据；比对所述第一数据和所述第二数据，并将比对结果反馈至所述终端。可选地，所述方法还包括：根据所述控制指令将所述第一数据写入所述闪存中。可选地，所述控制指令包括配置指令、读写指令中的至少一种。可选地，所述第一数据的大小小于所述闪存的单页容量、单块容量、单片容量中的至少一种。可选地，所述闪存为NAND。在本专利技术实施例中，闪存测试设备分别与终端和闪存连接，闪存测试设备包括数据发生器、缓存器和数据比对器；数据发生器根据终端发送的控制指令产生第一数据；缓存器根据控制指令读取闪存中的第二数据，以及存储第一数据和第二数据；数据比对器比对第一数据和第二数据，并将比对结果反馈至所述终端。由于第一数据的产生，第一数据和第二数据的比对均在闪存测试设备中，终端与闪存测试设备之间的仅传输控制指令和比对结果，相比现有技术中传输大量数据，提高了传输效率，缩短了闪存的测试时间。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一的一种闪存测试设备的结构示意图；图2是本专利技术实施例二的一种闪存测试方法的步骤流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一图1示出了本专利技术实施例提供的一种闪存测试设备。所述闪存测试设备10分别与终端20和闪存30连接，所述闪存测试设备10包括数据发生器101、缓存器102和数据比对器103；所述数据发生器101，用于根据所述终端20发送的控制指令产生第一数据；所述缓存器102，用于根据所述控制指令读取所述闪存30中的第二数据，以及存储所述第一数据和所述第二数据；所述数据比对器103，用于比对所述第一数据和所述第二数据，并将比对结果反馈至所述终端20。本实施例中，终端20向闪存测试设备10发送控制指令，闪存测试设备10接收控制指令后，闪存测试设备10中的数据发生器101根据控制指令产生第一数据，闪存测试设备10中的缓存器102根据控制指令读取闪存30中的第二数据。数据发生器101产生的第一数据和闪存30中的第二数据均存储在缓存器102中，用户可以对缓存器102进行操作，从而获取到测试过程中的数据。数据比对器103从缓存器102中获取第一数据和第二数据，并对第一数据和第二数据进行比对得到比对结果，之后再将比对结果反馈给终端10。闪存测试设备10中的数据发生器101、缓存器102和数据比对器103可以通过FPGA(Field-ProgrammableGateArray，现场可编程门阵列)实现，本专利技术实施例对此不作详细限定，可以根据实际情况进行设置。由于数据在闪存测试设备20中产生，终端10和闪存测试设备20之间仅需要传输控制指令和比对结果，所以相比现有技术中需要传输大量数据，本专利技术实施例减少了数据传输量，提高了传输效率，缩短了内存的测试时间。可选地，所述缓存器102，还用于根据所述控制指令将所述第一数据写入所述闪存30中。本实施例中，缓存器102可以根据控制指令读取闪存30中的第二数据。具体地，缓存器102的数据输入管脚连接闪存30的数据输出管脚，控制指令打开两个管脚，则闪存30中第二数据可以传输至缓存器102中。缓存器102还可以根据控制指令将第一数据写入闪存30中。具体地，缓存器102的数据输出管脚连接闪存30的数据输入管脚，控制指令打开两个管脚，第一数据从缓存器102传输至闪存30中。可选地，所述控制指令包括配置所述数据发生器101的配置指令、读写所述闪存30的读写指令中的至少一种。本实施例中，控制指令可以包括配置数据发生器101配置指令。具体地，闪存测试设备10接收到配置指令后，对数据发生器101进行配置，数据发生器101根据配置生成第一数据。数据发生器101可以针对不同的配置生成不同的数据，本专利技术实施例对配置指令不作详细限定，可以根据实际情况进行设置。控制指令还可以包括读写闪存30的读写指令。具体地，闪存测试设备10在接收到读取闪存的读写指令后，开启缓存器102的数据输入管脚和闪存30的数据输出管脚，使得第二数据可以从闪存30传输至缓存器102中；在接收到写入闪存的读写指令后，开启缓存器102的数据输出管脚和闪存30的数据输入管脚，使得第一数据可以从缓存器102传输至闪存30中。控制指令还可以包括其他指令，本专利技术实施例对此不作详细限定，可以根据实际情况进行设置。可选地，所述第一数据的大小小于所述闪存30的单页容量、单块容量、单片容量中的至少一种。本实施例中，数据发生器101每次产生的第一数据很小，具体地，第一数据的大小可以小于闪存30的单页容量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存测试设备，其特征在于，所述闪存测试设备分别与终端和闪存连接，所述闪存测试设备包括数据发生器、缓存器和数据比对器；所述数据发生器，用于根据所述终端发送的控制指令产生第一数据；所述缓存器，用于根据所述控制指令读取所述闪存中的第二数据，以及存储所述第一数据和所述第二数据；所述数据比对器，用于比对所述第一数据和所述第二数据，并将比对结果反馈至所述终端。

【技术特征摘要】
1.一种闪存测试设备，其特征在于，所述闪存测试设备分别与终端和闪存连接，所述闪存测试设备包括数据发生器、缓存器和数据比对器；所述数据发生器，用于根据所述终端发送的控制指令产生第一数据；所述缓存器，用于根据所述控制指令读取所述闪存中的第二数据，以及存储所述第一数据和所述第二数据；所述数据比对器，用于比对所述第一数据和所述第二数据，并将比对结果反馈至所述终端。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述缓存器，还用于根据所述控制指令将所述第一数据写入所述闪存中。3.根据权利要求1-2任一项所述的设备，其特征在于，所述控制指令包括配置所述数据发生器的配置指令、读写所述闪存的读写指令中的至少一种。4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一数据的大小小于所述闪存的单页容量、单块容量、单片容量中的至少一种。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡德智，王永成，韩飞，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11