一种Nand flash元件制造技术

本发明专利技术提供了一种Nand flash元件及其通信控制方法和装置，该Nand flash元件具体包括一个封装体，封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器，内部控制器包括基础配置模块、基础加载模块、低格模块和产品固件模块。并具体通过产品固件模块实现对Nand flash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理，这样一来也就无需通过片外的主控制器实现上述管理，从而有效解决了主控制器负担较重的问题。

A kind of Nand flash element

The invention provides a Nand flash element and its communication control method and device. The Nand flash element includes a package with a Nand flash kernel and an internal controller in the package, and the internal controller includes the basic configuration module, the base loading module, the low grid module and the product firmware module. And through the product firmware module, the ECC check management, bad block management, address mapping management or loss balance management of the Nand flash kernel are realized, so that the above management is realized without the main controller outside the chip, which effectively solves the problem of the heavy burden of the main controller.

【技术实现步骤摘要】
一种Nandflash元件
本专利技术涉及内存
，特别是涉及一种Nandflash元件。
技术介绍
Nandflash是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nandflash有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。Nandflash的数据是以bit的方式保存在memorycell中，一般来说，每个cell中只能存储一个bit；这些cell以8个或者16个为单位，连成bitline，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NANDDevice的位宽。这些bitline再组成Page，根据厂商或型号的不同，每页的bitline数也不同；多个page形成一个Block，例如32个page。具体一片Nandflash上有多少个Block视需要所定。Nandflash需要控制器管理其功能，例如ECC校验、坏块管理、地址映射、损耗均衡等，然而一般的Nandflash在其封装体内均没有设置相应的内部控制器，因此，上述对其功能的管理均依赖相应的主控制器去实现，从而增加了相应主控制器的负担。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种Nandflash元件，以解决因需要依赖主控制器对其进行管理而导致主控制器负担较重的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种Nandflash元件，包括一个封装体，所述封装体内封装有Nandflash内核和内部控制器，所述内部控制器包括产品固件模块，其中：所述内部控制器用于根据上位机发送的数据信息和控制信息对所述Nandflash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理。可选的，所述产品固件模块包括前端子模块、FTL子模块和后端子模块，其中：所述前端子模块用于与上位机进行通信；所述FTL子模块用于根据从所述上位机接收的控制指令对所述Nandflash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理；所述后端子模块用于根据从上述上位机接收的控制指令对所述Nandflash内核进行读写操作。可选的，所述前端子模块包括第一接收单元、第一发送单元和第二发送单元，其中：所述第一接收单元用于接收所述上位机发送的控制指令；所述第一发送单元用于将所述控制指令发送到所述FTL子模块；所述第二发送单元用于向所述上位机返回反馈信息。可选的，所述FTL子模块包括地址映射单元、地址偏移单元、地址保存单元和坏块记录单元，其中：所述地址映射单元用于将所述Nandflash的物理块地址与所述上位机的逻辑块地址进行对应；所述地址偏移单元用于根据所述逻辑块地址的偏移量对所述物理块地址进行同等偏移处理；所述地址保存单元用于将所述逻辑块地址与所述物理块地址的对应关系进行保存；所述坏块记录单元用于将变为坏块的物理块的物理块地址记录在坏块表中。可选的，所述后端子模块包括读写控制单元和初始化单元，其中：所述读写控制单元用于根据从上位机接收到的控制指令对所述Nandflash内核进行读操作、写操作或擦除操作；所述初始化单元用于根据所述控制指令对所述Nandflash内核进行初始化操作。可选的，所述产品固件模块还用于：在不进行低级格式化操作的情况下进行自身内容的更新处理。从上述技术方案可以看出，本专利技术提供了一种Nandflash元件及其通信控制方法和装置，该Nandflash元件具体包括一个封装体，封装体内封装有Nandflash内核和内部控制器，内部控制器包括基础配置模块、基础加载模块、低格模块和产品固件模块。并具体通过产品固件模块实现对Nandflash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理，这样一来也就无需通过片外的主控制器实现上述管理，从而有效解决了主控制器负担较重的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种Nandflash元件的结构框图；图2为本专利技术实施例提供的另一种Nandflash元件的结构框图；图3为本专利技术实施例提供的Nandflash元件的地址映射示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例图1为本专利技术实施例提供的一种Nandflash元件的结构框图。参照图1所示，本实施例提供的Nandflash元件包括一个封装体10，该封装体内设置有Nandflash内核11和一个内部控制器12。该Nandflash内核包括有多个Block，每个Block由多个Page组成，每个Page则由多个Cellline构成，该内核还包括存储ECC校验码的存储区域。上述内部控制器用于对Nandflash内核进行控制，该内部控制器具体包括基础配置模块121、基础加载模块122、低格模块123和产品固件模块124。其中，上述基础配置模块用于存储该Nandflash内核的基础信息和配置信息，如页大小，块大小，含有多少个块，查找坏块的方式，ECC等；基础加载模块用于接收上位机发送的数据信息和控制信息，且在Debug模式下接受数据信息和控制信息，在普通模式下上电时直接加载产品固件；低格模块用于根据从上位机接收到的控制信息对Nandflash内核进行低级格式化操作；产品固件模块则用于根据上位机发送的数据信息和控制信息对Nandflash内核进行读操作、写操作、擦除操作、ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理和损耗均衡管理等。从上述技术方案可以看出，本实施例提供了一种Nandflash元件，具体包括一个封装体，封装体内封装有Nandflash内核和内部控制器，内部控制器的固件包括基础配置模块、基础加载模块、低格模块和产品固件模块。并具体通过产品固件模块实现对Nandflash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理，这样一来也就无需通过片外的主控制器实现上述管理，从而有效解决了主控制器负担较重的问题。本实施例中的产品固件模块具体包括前端子模块1241、FTL子模块1242和后端子模块1243。该前端子模块用于与上位机进行通信，FTL子模块用于根据从前端子模块接收的控制指令对Nandflash内核进行ECC管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理。该前端子模块具体包括指令接收单元、第一发送单元和第二发送单元。指令接收单元用于接收上位机发送的控制指令；第一发送单元用于将控制指令发送到FTL子模块；第二发送单元用于向上位机返回反馈信息，该反馈信息用于告诉上位机已经接收到相应的控制指令。FTL子模块包括地址映射单元、地址偏移单元、地址保存单元和坏块记录单元。本实施例的Nandflash元件采用块地址映射，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Nand flash元件，其特征在于，包括一个封装体，所述封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器，所述内部控制器包括产品固件模块，其中：所述内部控制器用于根据上位机发送的数据信息和控制信息对所述Nand flash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理；所述产品固件模块用于根据所述上位机发送的控制指令对所述Nand flash内核进行地址映射管理、损耗均衡管理、读写擦除操作或初始化操作。

【技术特征摘要】
1.一种Nandflash元件，其特征在于，包括一个封装体，所述封装体内封装有Nandflash内核和内部控制器，所述内部控制器包括产品固件模块，其中：所述内部控制器用于根据上位机发送的数据信息和控制信息对所述Nandflash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理；所述产品固件模块用于根据所述上位机发送的控制指令对所述Nandflash内核进行地址映射管理、损耗均衡管理、读写擦除操作或初始化操作。2.如权利要求1所述的Nandflash元件，其特征在于，所述产品固件模块包括前端子模块、FTL子模块和后端子模块，其中：所述前端子模块用于与上位机进行通信；所述FTL子模块用于根据从所述上位机接收的控制指令对所述Nandflash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理；所述后端子模块用于根据从上述上位机接收的控制指令对所述Nandflash内核进行读写操作。3.如权利要求2所述的Nandflash元件，其特征在于，所述前端子模块包括指令接收单元、第一发送单元和第二发送单元，其中：所述指令接收单元用于接收所述上位机发送的控制指令；...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄开锋，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11