一种有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种有机电致发光器件，其发光层的主体材料由供体主体材料和受体主体材料置于同一蒸发源中共蒸镀而形成激基复合物，解决了现有技术中的有机电致发光器件发光效率低、使用寿命短或操作工艺复杂等技术问题。本发明专利技术提供的有机电致发光器件，包括阳极、阴极以及设置于所述阳极和阴极之间的发光层，所述发光层的主体材料由供体主体材料和受体主体材料预混形成，且所述供体主体材料和受体主体材料置于同一蒸发源中共蒸镀而形成激基复合物，所述主体材料中掺杂客体材料。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件
本专利技术涉及显示器件
，具体涉及一种有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件是自发光装置，由于其具有宽视角、高对比度、高亮度、低驱动电压、快速的响应时间以及面板轻薄等特性，作为下一代的平板显示器件已受到广泛关注。有机电致发光器件的发光机理属于载流子注入型，即对夹在阳极和阴极之间的发光层施加电压，则从阳极注入的空穴流经空穴传输层向发光层移动，从阴极注入的电子流经电子传输层向发光层移动。作为载流子的空穴和电子在发光层复合，以使发光物质激发，当该激发态驰豫至基态时发光。然而，经研究表明，电子传输层的电子迁移率远远低于空穴传输层的空穴迁移率，这导致了正负载流子传输的不平衡，严重影响了有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。为了调节发光层载流子的平衡性，顶发光有机电致发光器件的发光层一般会选用偏电子的电子型(接受电子型)主体材料和偏空穴的空穴型(给予电子型)主体材料相混合的双主体材料。现有技术中，通常采用两种材料共蒸镀的方式，但这需要将两种材料分别放入两个蒸发源中进行蒸镀，对量产工艺要求高，影响了量产的良率。但若采用常见的电子型主体BAlq或空穴型主体CBP单独作为主体，又都无法使载流子平衡，降低了器件的发光效率。为了解决上述问题，业界内研究出一种采用双极性单一主体材料的方法，虽然此种发光材料的有机电致发光器件在一定程度上能够调整载流子的平衡，但是一般效率仍较低，寿命尚需提高，roll-off较为严重的问题也需要解决。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种有机电致发光器件，其发光层的主体材料由供体主体材料和受体主体材料置于同一蒸发源中共蒸镀而形成激基复合物，解决了现有技术中的有机电致发光器件发光效率低、使用寿命短或操作工艺复杂等技术问题。本专利技术一实施例提供的一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极以及设置于所述阳极和阴极之间的发光层，所述发光层的主体材料由供体主体材料和受体主体材料预混形成，且所述供体主体材料和受体主体材料置于同一蒸发源中共蒸镀而形成激基复合物，所述主体材料中掺杂客体材料。本专利技术实施例提供的有机电致发光器件，其发光层的主体材料由供体主体材料和受体主体材料置于同一蒸发源中共蒸镀而形成激基复合物，不仅利于电子与空穴载流子间的平衡，提升了器件的寿命和效率，而且单源蒸镀降低了工艺操作难度，提高了量产的良率。另外，两主体材料形成激基复合物，并以该激基复合物为介质，通过FRET能量传递，将三线态能量高效地转移给客体材料，抑制了激发能量的失活，有效地解决了高亮度下roll-off下降严重的问题，使得器件的稳定性进一步提高，同时减少了客体材料的掺杂浓度，从而降低了产品成本。附图说明图1所示为本专利技术一实施例提供的一种有机电致发光器件的结构示意图。图2所示为本专利技术一实施例提供的一种有机电致发光器件发光层能量传递示意图。图3所示为本专利技术另一实施例提供的一种有机电致发光器件的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1所示为本专利技术一实施例提供的在阳极和阴极间设置有发光层的有机电致发光器件。如图1所示，该有机电致发光器件包括基板10，基板10上设置有阳极20，阳极20上依次层叠设置有空穴注入层(HIL)40、空穴传输层(HTL)50、发光层60、电子传输层(ETL)70、电子注入层(EIL)80，透明阴极30。发光层60的主体材料是由供体主体材料和受体主体材料预混形成的，且供体主体材料和受体主体材料被置于同一蒸发源中共蒸镀而形成激基复合物，主体材料中掺杂有客体材料。在一实施例中，客体材料优选为磷光材料，即磷光材料作为客体材料分散在双主体材料中，其可使发光器件具有高的发光效率。在本专利技术一实施例中，该供体主体和受体主体属于不同系列的衍生物，其中，供体主体选为偏空穴的空穴型材料，如氨类化合物，受体主体选为偏电子的电子型材料，如磷类化合物。二者的蒸发温度均为150℃～500℃，玻璃转化温度Tg均大于100℃。在本专利技术一实施例中，该供体主体和受体主体蒸镀温度的差值绝对值小于30℃，在一优选的实施例中，该供体主体和受体主体蒸镀温度的差值绝对值小于15℃，在一更优的实施例中，二者蒸镀温度的差值绝对值小于5℃。即供体主体和受体主体的蒸发温度和玻璃转化温度在同一范围内，二者间的蒸镀温度差值越小，越有利于将其置于同一蒸发源中进行共蒸镀(即单源蒸镀)，从而不仅可以利于电子与空穴载流子间的平衡，提升器件的寿命和效率，而且单源蒸镀降低了工艺操作难度，提高了量产的良率。供体主体和受体主体在共蒸镀成薄膜时形成激基复合物，在本专利技术一实施例中，该供体主体的三线态能级大于激基复合物的单线态能级，二者的能隙≥0.2eV，且供体主体的HOMO能级绝对值≤5.3eV；受体主体的三线态能级大于激基复合物的单线态能级，二者的能隙>0.2eV，且受体主体的LUMO能级绝对值>2.0eV。即本专利技术实施例的主体材料中供体主体(DonorHost)和受体主体(AcceptorHost)，与其形成的激基复合物间的能级关系满足下面条件：│HOMOD│≤5.3eV│LUMOA│>2.0eV其中，表示供体的三线态能级，表示受体的三线态能级，S1表示激基复合物的单线态能级，HOMOD表示供体的HOMO能级，LUMOA表示受体的LUMO能级。当两种主体材料满足上述4项条件后，其形成的激基复合物为热激活延迟荧光激基复合物(TADF激基复合物)，这种激基复合物是一种第一单线态和第一三线态之间能级差较小(△EST<0.3eV)的材料，具有热活化延迟荧光效应。如图2所示，本专利技术实施例双主体形成的TADF激基复合物，其三线态能量经反系间窜跃转移给了单线态，然后经能量传递给了磷光材料；同时，磷光材料自身的能量也从单线态转向了三线态。这样一来，器件中主体材料和客体材料的三线态能量都高效地转移到了磷光材料而得到充分利用，提升了器件效率；且热激活延迟荧光快速的能量转换过程抑制了激发能量的失活(发光或热失活)，有效地解决了高亮度下roll-off下降严重的问题，使得器件的稳定性进一步提高，延长了发光器件的寿命。另外，因为现有的磷光体系中进行的是短程Dexter能量转移，需要提高磷光材料的掺杂浓度才能保证充分的能量转移。而本专利技术实施例提供的发光器件通过长程的能量转移可以减少磷光材料的掺杂浓度，从而降低了产品成本。作为供体主体材料，在本专利技术一实施例中，其分子通式为：式中，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4取代基相同或不同，分别独立选自亚芳基或亚杂芳基(杂原子特指氮原子)；R1、R2、R3和R4的结构为其中，Ar5、A、Ar6、B和Ar7是以稠环方式连接的，共用2个原子，Ar5、Ar6和Ar7相同或不同，分别独立选自苯环、取代的苯环、萘环或取代的萘环，A为含N原子的五元杂环或六元杂环，B为五元环、五元杂环、六元环或六元杂环(杂原子为氮原子、氧原子、硫原子或硒原子中的一种或两种)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括阳极、阴极以及设置于所述阳极和阴极之间的发光层，所述发光层的主体材料由供体主体材料和受体主体材料预混形成，且所述供体主体材料和受体主体材料置于同一蒸发源中共蒸镀而形成激基复合物，所述主体材料中掺杂客体材料。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括阳极、阴极以及设置于所述阳极和阴极之间的发光层，所述发光层的主体材料由供体主体材料和受体主体材料预混形成，且所述供体主体材料和受体主体材料置于同一蒸发源中共蒸镀而形成激基复合物，所述主体材料中掺杂客体材料。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极上依次层叠设置有空穴注入层和空穴传输层，所述空穴传输层和发光层间设置有光学补偿层。3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述光学补偿层的材料为具有高迁移率的电子阻挡材料，且所述电子阻挡材料的三线态能级大于所述预混的供体主体材料和受体主体材料产生的激基复合物的三线态能级。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述供体主体的三线态能级高于所述激基复合物的单线态能级，二者的能隙≥0.2eV；且供体主体的HOMO能级绝对值≤5.3eV；所述受体主体的三线态能级高于所述激基复合物的单线态能级，二者的能隙>0.2eV；且受体主体的LUMO能级绝对值>2.0eV。5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述供体主体和受体主体蒸发温度均为150℃～500℃。6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述供体主体和受体主体蒸镀温度的差值绝对值小于30℃。7.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述供体主体和受体主体的玻璃转化温度均大于100℃。8.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述供...

【专利技术属性】
技术研发人员：李维维，赵菲，闵超，刘嵩，敖伟，刘玉成，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32