像素阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种像素阵列基板及其制造方法，该像素阵列基板具有多个子像素区，其中单一个子像素区内的一像素结构包括第一信号线、第二信号线、一第一信号线、第一接垫、第二接垫、发光二极管、第一导电结构以及助焊结构层。第一接垫与第二接垫分别电连接至第一信号线与第二信号线。发光二极管位于第一接垫上。第一导电结构至少部分位于第一接垫与发光二极管的第一电极之间。助焊结构层至少部分环绕第一导电结构与发光二极管。助焊结构层的顶部高于第一电极的顶面且低于发光二极管的发光层的底面。

【技术实现步骤摘要】
像素阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及一种像素阵列基板，且特别是涉及一种具有助焊结构层的像素阵列基板。
技术介绍
目前，在一般常见的液晶显示器中，发光二极管扮演着提供背光光源的角色，并能用液晶作为光线的开关。随着科技的进展，显示技术逐渐由背光形态转成自发光型态。微型发光二极管显示器还具有高亮度、低能耗、高分辨率与高色彩饱和度等优点。然而，微型发光二极管显示器的发展还有许多技术瓶颈待克服，其中又以「巨量转移」(MassTransfer)技术最为关键。巨量转移技术是将微型发光二极管自生长基板上转移至像素阵列基板上的技术。由于要同时转移大量的微型发光二极管，微型发光二极管对位的准确性格外的重要。在现有技术中，微型发光二极管时常在转置的过程中偏移，导致像素阵列基板上的微型发光二极管不能正常运作。因此，目前亟需一种可以解决前述问题的方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素阵列基板，可以增加微型发光二极管正确电连接至接垫的机率。本专利技术提供一种像素阵列基板的制造方法，可以增加微型发光二极管正确电连接至接垫的机率。本专利技术的一种像素阵列基板，具有多个子像素区，其中单一个子像素区内的一像素结构包括第一信号线、第二信号线、第一接垫、第二接垫、发光二极管、第一导电结构以及助焊结构层。第一信号线以及第二信号线位于基板上。第一接垫与第二接垫分别电连接至第一信号线与第二信号线。发光二极管位于第一接垫上。发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层、发光层以及第一电极。发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间。第一电极位于第一半导体层与第一接垫之间。第一导电结构至少部分位于第一接垫与第一电极之间。助焊结构层，在基板垂直投影方向上至少部分环绕第一导电结构与发光二极管。助焊结构层具有顶部，顶部高于第一电极的顶面且低于发光层的底面。本专利技术的一种像素阵列基板的制造方法，包括：提供基板，具有多个子像素区，其中各子像素区上具有第一接垫与第二接垫。分别形成第一导电材料于各第一接垫上。在基板上形成助焊材料层，助焊材料层至少部分覆盖各第一导电材料，其中助焊材料层具有一软化温度，软化温度低于第一导电材料的熔点温度。设置多个发光二极管于助焊材料层上，其中发光二极管分别对应于各第一接垫上的各第一导电材料。加热基板以使助焊材料层达到软化温度。加热基板，使各该第一导电材料达到该熔点温度，以形成一第一导电结构，各第一导电结构与对应的发光二极管的第一电极电连接，其中各第一导电结构电连接对应的第一接垫。本专利技术的目的之一为增加发光二极管正确电连接至接垫的机率。本专利技术的目的之一为降低像素区域的反光问题，进而提升显示品质。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的一实施例的像素阵列基板的上视示意图；图2A～图2G为本专利技术的一实施例的像素阵列基板的制造流程的剖面示意图；图3为本专利技术的一实施例的像素阵列基板的上视示意图；图4A～图4F为本专利技术的一实施例的像素阵列基板的制造流程的剖面示意图。符号说明10、20、30：像素阵列基板100：基板110：第一信号线120：第二导电结构130、360：绝缘层140、140A：第一导电结构140B：第二导电结构140a、140Aa：第一导电材料140Ba：第二导电材料150：助焊结构层150a、150b：助焊材料层200：拾取阵列310：第一电极320：第一半导体层330：发光层340：第二半导体层350：第二电极BS：底面CL：第二信号线D：漏极DL：数据线G：栅极L：发光二极管M：通道层n：最短距离OP：开口P1：第一接垫P2：第二接垫PD：方向PX：子像素区S：源极TP：顶部TS：顶面X：高度差具体实施方式图1是依照本专利技术的一实施例的像素阵列基板10的上视示意图。图2A～图2G是本专利技术的一实施例的像素阵列基板的制造流程的剖面示意图。举例来说，图2A～图2G是图1剖线AA’的剖面的制造流程的示意图。其中图1省略绘示了部分构件。请参考图1，像素阵列基板10包括基板100。基板100具有子像素区PX，子像素区PX内设置有像素结构。虽然图1仅绘示一个子像素区PX，但本专利技术不以此为限。基板100实际上包括多个子像素区PX。单一个子像素区PX的范围是由相邻的两条具有相同作用的传输线与相邻的两条具有相同作用的导线所定义，传输线与导线分别沿不同方向延伸。在本实施例中，单一个子像素区PX的范围是由相邻的两条扫描线SL以及相邻的两条数据线DL所定义出来的。请同时参考图1与图2G，子像素区PX上的像素结构包括开关元件T、第一信号线110、第二信号线CL、第一接垫P1(绘于图2G)、第二接垫P2、发光二极管L、第一导电结构140(绘于图2G)以及助焊结构层150。开关元件T位于基板100上，开关元件T包括栅极G、通道层M、源极S以及漏极D。栅极G与通道层M之间夹有栅极绝缘层(未绘出)，且栅极G与扫描线SL电连接，在本实施例中，栅极G与对应的扫描线SL一体成形，但本专利技术不以此为限。源极S以及漏极D与通道层M电连接。源极S与数据线DL电连接。虽然在本实施例中，开关元件T是以栅极G位于通道层M与基板100之间的底部栅极型薄膜晶体管为例，但本专利技术不以此为限。开关元件T也可以是通道层M位于栅极G与基板100之间的顶部栅极型薄膜晶体管或是其他类型的开关元件。第一信号线110以及第二信号线CL位于基板100上。在本实施例中，第二信号线CL与扫描线SL可以是相同的膜层，且在相同的图案化制作工艺下形成，但本专利技术不以此为限。第二信号线CL也可以是其他额外的导电膜层。第一信号线110与漏极D电连接；在一些实施例中，第一信号线110与漏极D也可以是相同的膜层，且在相同的图案化制作工艺下形成。第一接垫P1(绘于图2G)与第二接垫P2分别电连接至第一信号线110与第二信号线CL。第一接垫P1与第二接垫P2可以于相同或不同的图案化制作工艺下形成。请参考图2G，发光二极管L位于第一接垫P1上。发光二极管L包括第一半导体层320、第二半导体层340、发光层330、第一电极310以及第二电极350。请先参考图2A，第一信号线110与第二信号线CL位于基板100上，绝缘层130覆盖第一信号线110与第二信号线CL。第一信号线110与第二信号线CL通过绝缘层130中的开口而分别电连接至第一接垫P1与第二接垫P2。在一些实施例中，第一信号线110与基板100之间及/或第二信号线CL与基板100之间可以有其他绝缘层，本专利技术并未限定第一信号线110与第二信号线CL直接与基板100接触。在一些实施例中，第一信号线110与绝缘层130之间及/或第二信号线CL与绝缘层130之间可以有其他绝缘层，本专利技术并未限定第一信号线110与第二信号线CL直接与绝缘层130接触。在一些实施例中，第一信号线110与第二信号线CL可以于不同的制作工艺中形成，意即第一信号线110与第二信号线CL可以分别属于不同的导电膜层。分别形成第一导电材料140a于每个第一接垫P1上。形成第一导电材料140a的方式例如包括镀焊(Solderplating)、印刷或其他合适的方法。请参考图2B，在基板100上形成助焊材料层150a，助焊材料层150a至少部分覆盖第一导电材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素阵列基板，其特征在于，具有多个子像素区，其中单一个子像素区内的一像素结构包括：第一信号线以及第二信号线，位于一基板上；第一接垫与第二接垫，分别电连接至该第一信号线与该第二信号线；发光二极管，位于该第一接垫上，该发光二极管包括：第一半导体层与第二半导体层；发光层，位于该第一半导体层与该第二半导体层之间；以及第一电极，位于该第一半导体层与该第一接垫之间，第一导电结构，至少部分位于该第一接垫与该第一电极之间；以及助焊结构层，在该基板垂直投影方向上至少部分环绕该第一导电结构与该发光二极管，其中该助焊结构层具有顶部，该顶部高于该第一电极的顶面且低于该发光层的底面。

【技术特征摘要】
2017.12.13 TW 1061437991.一种像素阵列基板，其特征在于，具有多个子像素区，其中单一个子像素区内的一像素结构包括：第一信号线以及第二信号线，位于一基板上；第一接垫与第二接垫，分别电连接至该第一信号线与该第二信号线；发光二极管，位于该第一接垫上，该发光二极管包括：第一半导体层与第二半导体层；发光层，位于该第一半导体层与该第二半导体层之间；以及第一电极，位于该第一半导体层与该第一接垫之间，第一导电结构，至少部分位于该第一接垫与该第一电极之间；以及助焊结构层，在该基板垂直投影方向上至少部分环绕该第一导电结构与该发光二极管，其中该助焊结构层具有顶部，该顶部高于该第一电极的顶面且低于该发光层的底面。2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该助焊结构层的该顶部与该发光层的该底面之间相对于该基板具有一高度差，该高度差大于0.2微米。3.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该助焊结构层于该基板垂直投影方向上与该第二接垫不重叠。4.如权利要求3所述的像素阵列基板，其中该助焊结构层具有开口，对应于该第二接垫，该第二接垫具有第一外轮廓，该助焊结构层的该开口具有第二外轮廓，且该第一外轮廓与该第二外轮廓之间具有一最短距离，该最短距离大于1微米。5.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该多个子像素区中的该单一个子像素区的范围是由相邻的两条具有相同作用的传输线与相邻的两条具有相同作用的导线所构成，该传输线与该导线分别沿不同方向延伸。6.如权利要求5所述的像素阵列基板，其中该单一个子像素区于该基板的垂直投影面积为B，该单一个子像素区内的该助焊结构层于该基板的垂直投影面积为A，0.05B<A<0.916B。7.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中各该发光二极管另包括：第二电极，位于该第二半导体层相对于该发光层的另一侧，且该第二半导体层位于该第二电极与该发光层之间，其中该第二电极电连接至该第二接垫。8.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中各该发光二极管另包括：第二电极，位于该第二半导体层上，其中该第二电极与一第二导电结构相连接，且该第二电极电连接至该第二接垫，其中该第一导电结构与该第二导电结构位于该发光二极管的同一侧且彼此分隔。9.如权利要求8所述的像素阵列基板，其中该助焊结构层至少部分环绕...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞方正，蔡正晔，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71