气体放电管制造技术

本发明专利技术涉及一种气体放电管。所述气体放电管的放电间隙中填充有掺杂物；其中，所述掺杂物导通压值高于纯惰性气体的导通压值，所述放电间隙由电极与绝缘管体密封连接形成；其中，所述掺杂物在施加到气体放电管电极两端的电压达到所述掺杂物的导通压值时被击穿，所述气体放电管开始放电，使电极两端的电压不超过击穿电压。上述气体放电管，能增大电路的续流电压，解决气体放电管的续流遮断问题，而且也能减小浪涌保护电路的占用空间。

【技术实现步骤摘要】
新型气体放电管
本专利技术涉及放电管
，特别是涉及一种新型气体放电管。
技术介绍
在通信设备，如基站设备，高铁设备等运用中，有高达几千安培或者是几十千安培的感应浪涌电流通过。感应浪涌电流会对设备造成损坏，在通信设备的运行过程中往往需要通过防浪涌器件(例如气体放电管)对设备进行保护。传统的气体放电管在对设备进行保护时，因为续流电压小，需要配合其它器件一起组成防浪涌电路。气体放电管常用于多级防浪涌电路保护电路中的第一级或前两级，起泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用。但传统的气体放电管在工作时会由于续流电压小影响防浪涌效果，需要外加多级防护电路。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的气体放电管在工作时会由于续流电压小影响防浪涌效果，需要外加多级防护电路的问题，提供一种新型气体放电管。其中，本专利技术实施例提供了一种新型气体放电管，所述新型气体放电管的放电间隙中填充有掺杂物；其中，所述掺杂物导通压值高于纯惰性气体的导通压值，所述放电间隙由电极与绝缘管体密封连接形成；其中，所述掺杂物在施加到新型气体放电管电极两端的电压达到所述掺杂物的导通压值时被击穿，所述新型气体放电管开始放电，使电极两端的电压不超过击穿电压。上述新型气体放电管，通过将掺杂物填充到气体放电管的放电间隙中，当施加到气体放电管电极两端的电压达到掺杂物的导通压值时，所述掺杂物被击穿，所述气体放电管开始放电，使电极两端的电压不超过击穿电压，当掺杂物的导通压值提高到所要保护的电路的钳位电压时，能增大电路的续流电压，解决气体放电管的续流遮断问题，而且也能减小浪涌保护电路的占用空间。在一个实施例中，所述的新型气体放电管，所述掺杂物包括惰性气体和掺杂在所述惰性气体内的纳米半导体颗粒。在一个实施例中，所述的新型气体放电管，所述掺杂物中的纳米半导体颗粒的导通压值大于掺杂物中的惰性气体的导通压值。在一个实施例中，所述的新型气体放电管，所述纳米半导体颗粒为纳米硅颗粒、纳米锗颗粒或纳米砷化镓颗粒。在一个实施例中，所述的新型气体放电管，所述放电间隙的数量为多个。在一个实施例中，所述的新型气体放电管，所述放电间隙内设有屏蔽套，所述屏蔽套设置在绝缘管表面，以防止所述电极及电极上的激活化合物在遭受浪涌时溅射到所述绝缘管体的内壁上。在一个实施例中，所述的新型气体放电管，所述放电间隙由两个电极通过气密性焊接分别与绝缘管体密封连接形成。在一个实施例中，所述的新型气体放电管，所述绝缘管体为金属化陶瓷管。附图说明图1为本专利技术一个实施例的新型气体放电管结构示意图；图2为本专利技术一个实施例的浪涌保护电路结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例中的新型气体放电管可以应用于浪涌保护电路中。下面结合图1阐述本专利技术新型气体放电管的实施例。图1为本专利技术一个实施例的新型气体放电管，所述新型气体放电管的放电间隙中填充有掺杂物；其中，所述掺杂物导通压值高于纯惰性气体的导通压值，所述放电间隙由电极与绝缘管体密封连接形成；其中，所述掺杂物在施加到新型气体放电管电极两端的电压达到所述掺杂物的导通压值时被击穿，所述新型气体放电管开始放电，使电极两端的电压不超过击穿电压。上述实施例中，导通压值为使新型气体放电管内气体放电导通的电压值。如图1所示，新型气体放电管由电极101、绝缘管体102、电极引线103、导电带104、激活105化合物以及放电间隙106组组成。通过在放电间隙内填充掺杂物，当施加到新型气体放电管电极101两端的电压达到掺杂物的导通压值时，所述掺杂物被击穿，所述新型气体放电管开始放电，使电极101两端的电压不超过击穿电压，当掺杂物的导通压值提高到所要保护的电路的钳位电压时，能增大电路的续流电压，解决气体放电管的续流遮断问题，而且也能减小浪涌保护电路的占用空间。上述实施例，通过将掺杂物填充到气体放电管的放电间隙106中，当施加到气体放电管电极101两端的电压达到掺杂物的导通压值时，所述掺杂物被击穿，所述气体放电管开始放电，使电极101两端的电压不超过击穿电压，当掺杂物的导通压值提高到所要保护的电路的钳位电压时，能增大电路的续流电压，解决气体放电管的续流遮断问题，而且也能减小浪涌保护电路的占用空间。在一个实施例中，上述新型气体放电管中的掺杂物包括惰性气体和掺杂在所述惰性气体内的纳米半导体颗粒。在上述实施例中，基于气体放电管的模式，在气体放电管两个金属电极之间用惰性气体掺杂一定浓度的纳米半导体颗粒。其中，当施加到半导体两端的电压达到一定值时，半导体颗粒可以同时伴随着惰性气体一并导通，且导通时，掺杂了半导体颗粒的惰性气体导通压值要远高于纯惰性气体。上述实施例，通过在惰性气体中掺杂纳米半导体颗粒，提高了气体放电管的导通压值，当掺杂物的导通压值提高到所要保护的电路的钳位电压时，能增大电路的续流电压，解决气体放电管的续流遮断问题，而且也能减小浪涌保护电路的占用空间。进一步地，在一个实施例中，所述掺杂物中的纳米半导体颗粒的导通压值可以大于掺杂物中的惰性气体的导通压值。上述实施例中，新型气体放电管中填充的纯惰性气体可以是氩气或者氖气，掺杂到氩气或者氖气中的半导体颗粒的导通压值可以大于上述气体放电管中填充的纯惰性气体。具体地，纳米半导体颗粒可以为纳米硅颗粒、纳米锗颗粒或纳米砷化镓颗粒。在惰性气体中填充上述纳米半导体颗粒还可以进一步提高气体放电管的放电反应时间，即加快气体放电管的反应速度。通过加快气体放电管的反应速度可以更准确快速地把电路的电压控制在电路允许通过的钳位电压。上述实施例，通过在惰性气体中掺杂纳米半导体颗粒，提高了气体放电管的导通压值，当掺杂物的导通压值提高到所要保护的电路的钳位电压时，能增大电路的续流电压，解决气体放电管的续流遮断问题，而且也能减小浪涌保护电路的占用空间，并能加快气体放电管的反应速度，可以使钳位电压更准确。鉴于掺杂物的导通压值可以由所述半导体颗粒浓度和半导体种类决定，可以通过在气体放电管中掺杂不同种类和不同浓度的纳米半导体颗粒来改变气体放电管的导通压值。可以根据不同的电路设计具有不同导通压值的气体放电管。另外，在一个实施例中，新型气体放电管中放电间隙的数量可以为多个。具体地，可以根据具体电路的需要将新型气体放电管设计成含一个放电间隙或多个放电间隙。此处不对放电间隙的数量做具体的限定。上述实施例，通过在气体放电管的惰性气体中掺杂不同种类和不同浓度的气体半导体颗粒来改变气体放电管的导通压值，当气体放电管的导通压值提高到所要保护的电路的钳位电压时，能增大电路的续流电压，解决气体放电管的续流遮断问题，而且也能减小浪涌保护电路的占用空间，并能加快气体放电管的反应速度，可以使钳位电压更准确。在一个实施例中，放电间隙内可以设有屏蔽套，所述屏蔽套设置在绝缘管表面，以防止所述电极及电极上的激活化合物在遭受浪涌时溅射到所述绝缘管体的内壁上。上述实施例中的屏蔽套可以防止电极及电极上的激活化合物(发射物)在遭受浪涌时溅射到所述绝缘管体的内壁上。在实际应用中，气体放电管在放电时，电极及电极上的发射物在遭受浪涌时会四处溅射，如果不设屏蔽套，有些电子粉会溅射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型气体放电管，其特征在于，所述新型气体放电管的放电间隙中填充有掺杂物；其中，所述掺杂物导通压值高于纯惰性气体的导通压值，所述放电间隙由电极与绝缘管体密封连接形成；其中，所述掺杂物在施加到新型气体放电管电极两端的电压达到所述掺杂物的导通压值时被击穿，所述新型气体放电管开始放电，使电极两端的电压不超过击穿电压。

【技术特征摘要】
1.一种新型气体放电管，其特征在于，所述新型气体放电管的放电间隙中填充有掺杂物；其中，所述掺杂物导通压值高于纯惰性气体的导通压值，所述放电间隙由电极与绝缘管体密封连接形成；其中，所述掺杂物在施加到新型气体放电管电极两端的电压达到所述掺杂物的导通压值时被击穿，所述新型气体放电管开始放电，使电极两端的电压不超过击穿电压。2.根据权利要求1所述的新型气体放电管，其特征在于，所述掺杂物包括惰性气体和掺杂在所述惰性气体内的纳米半导体颗粒。3.根据权利要求2所述的新型气体放电管，其特征在于，所述掺杂物中的纳米半导体颗粒的导通压值大于掺杂物中的惰性气体的导通压值。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：钟柯佳，苏文川，孔学成，陈耀森，
申请(专利权)人：广州邦讯信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44